Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті

Номер патенту: 71915

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович

МПК: C30B 28/00, C30B 30/00

Мітки: спосіб, отримання, реалізації, кристалів, пристрій, розплаву, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01R 31/00

Мітки: типу, визначення, провідності, кристалів, спосіб, ниткоподібних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островський Петро Іванович, Байцар Роман Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Красножонов Євген Павлович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: резонаторів, кристалів, спосіб, вирощування, ниткоподібних, напівпровідникових, струнних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: областями, спосіб, приладів, кристалів, кремнієвих, напівпровідникових, відокремлюючими, виготовлення

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Март'янов Генадій Сергійович, Галкін Сергій Миколайович, Гурін Вячеслав Анатолійович

МПК: C30B 35/00

Мітки: летких, контейнер, термообробки, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...