Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотоелектрохімічного травлення, що проводять у розчині плавикової бромоводневої кислоти концентрацією НВr:Н2О=1:1.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв.

3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв. при освітленні зразків вольфрамовою лампою потужністю 200 Вт.

Текст

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотое 3 53712 4 - склад травника НВr :Н2О=1:1; міди мають недостатньо виражену форму та висо- щільність струму 150мА/см2; ту (меншу за 0,5 мкм). При більш високих концент- час травлення 8 хвилин; раціях кислоти в розчині електроліту утворюються - потужність вольфрамової лампи 200 Вт. нерозчинні плівки, що складаються з адсорбоваНа рис.1, наведено принципову схему приних поверхнею напівпровідника атомів брому, при строю для травлення напівпровідникових пластин низьких концентраціях кислоти формування фігур монокристалу. Зразок занурюють у розчин кислона поверхні фосфіду індію взагалі не відбувається. ти. Катодом в електрохімічній комірці служить плаТакож необхідною умовою є освітлення пластин. стина платини, потенціостат використовують для Це забезпечує високу щільність розподілу пірамід регулювання щільності струму та/або напруги анопо поверхні злитку (щільність близько 5 пірамід на дування. Рис.2 демонструє морфологію текстуро1 мкм). Слід зауважити, що розчини інших кислот ваної пластини фосфіду індію. З рисунку видно, теж не забезпечує достатній рівень текстурування що на поверхні монокристалу утворюється щільна поверхні. Крім того, монокристали фосфіду індію картина пірамідальних наростів, які мають нахил, n-типу взагалі демонструють нездатність для тексщо пов'язаний з анізотропією кристалу, а також турування. Справа в тому, що пластини з електнапрямом струму. Висота пірамід варіюється від ронним типом провідності при анодуванні в розчи0,7 до 1,1 мкм. нах кислот легко розтравлюються, формуючи при За умови невиконання вищевказаних умов поцьому поруваті шари. ведінка напівпровідника під час анодування має Запропонований спосіб текстурування технічдеякі особливості. Так, при збільшені часу травно простий, для його реалізації застосовуються лення до 15 хв. починається ріст каналів пор вглиб дешеві реактиви, він не потребує спеціального підкладки, що супроводжується руйнуванням пообладнання, тому є економічно вигідним. верхні пластини. При часі травлення менше 8 хв., Перелік фігур креслення: спостерігається неповне текстурування поверхні, Рис.1. Принципова схема пристрою для текстобто залишаються ділянки поверхні зі збережетурування напівпровідникових пластин фосфіду ною монокристалічністю та орієнтацією поверхні. індію р-типу: Використовування щільності струму вище ніж 150(1) розчин кислоти 170мА/см2 спостерігається втравлювання шару (2) монокристал р-ІnР фосфіду індію товщиною близько 8-10мкм, при (3) платиновий електрод щільностях струму, нижчих за вказану межу піраРис.2. Текстурована поверхня р-ІnР. 5 Комп’ютерна верстка М. Мацело 53712 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for getting a textured surfaces of indium phosphide p-type

Автори англійською

Sychikova Yana Oleksandrivna, Kidalov Valerii Vitaliiovych, Sukach Heorhii Oleksiiovych, Balan Oleksandr Serhiiovych, Konovalenko Anatoliy Anatoliyevich

Назва патенту російською

Способ текстурирования поверхности фосфида индия р-типа

Автори російською

Сичикова Яна Александровна, Кидалов Валерий Витальевич, Сукач Георгий Алексеевич, Балан Александр Сергеевич, Коноваленко Анатолий Анатольевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/306

Мітки: індію, поверхні, текстурування, спосіб, р-типу, фосфіду

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-53712-sposib-teksturuvannya-poverkhni-fosfidu-indiyu-r-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу</a>

Подібні патенти