Сукач Георгій Олексійович

Номер патенту: 62573

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: H01L 21/00

Мітки: поверхні, індію, спосіб, орієнтації, фосфіду, визначення, кристалографічно

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію, який включає електрохімічну обробку кристала в розчинах плавикової чи соляної кислот з подальшим спостереженням ямок травлення на скануючому електронному мікроскопі, за формою ямок травлення визначають орієнтацію напівпровідника.

Номер патенту: 58008

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович

МПК: C03C 15/00

Мітки: поверхні, поруватого, шару, спосіб, видалення, por-inp

Формула / Реферат:

Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-ІnР, що включає електрохімічну обробку пластин в розчині плавикової кислоти при відношенні компонентів електроліту H2O:HF= 1:1, який відрізняється тим, що травлення проводиться у два етапи:1) електрохімічна обробка проводиться при середніх значення щільності струму (близько 80 мА/см2) протягом 3 хвилин;2) другий етап реалізується травленням у тому самому електроліті при щільності...

Номер патенту: 93456

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: G01N 27/00, G01N 1/32

Мітки: дослідження, спосіб, індію, структури, неоднорідності, композиційної, кристалів, фосфіду

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію, який відрізняється тим, що включає обробку поверхні монокристалічного фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення, яке проводять шляхом обробки монокристала фосфіду індію у розчині етилового спирту, води та HF у співвідношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 50 мА/см2.2. Спосіб за п. 1,...

Номер патенту: 54800

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Коноваленко Анатолій Анатольович, Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна, Балан Олександр Сергійович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: шару, поруватого, отримання, підкладці, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP, що здійснюють методом радикало-променевої епітаксії, який відрізняється тим, що плівку InN отримують методом радикало-променевої епітаксії у потоці чистого аміаку при температурі 300-400 °С протягом 1,5 години на підкладках поруватого фосфіду індію, отриманого електрохімічним травленням.

Номер патенту: 53712

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Балан Олександр Сергійович, Сукач Георгій Олексійович, Коноваленко Анатолій Анатольович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: H01L 21/306

Мітки: індію, спосіб, фосфіду, р-типу, поверхні, текстурування

Формула / Реферат:

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотоелектрохімічного травлення, що проводять у розчині плавикової бромоводневої кислоти концентрацією НВr:Н2О=1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв.3. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 51830

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: індію, спосіб, плавікової, електролітичного, поверхні, методом, отримання, травлення, кислоти, макропоруватої, фосфіду, розчині

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання макропоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині етилового спирту, води та HF у відношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 110 мА/см протягом 15...

Номер патенту: 50341

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: G01N 27/00

Мітки: отримання, фосфіду, плавікової, шляхом, електрохімічного, кислоти, розчині, нанопоруватого, індію, шару, травлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанопоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині етилового спирту, води та HF у відношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 30 мА/см2 протягом 5...

Номер патенту: 49947

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: поверхні, методом, поруватої, фосфіду, отримання, спосіб, фотоелектрохімічного, травлення, індію, р-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині 5% соляної кислоти при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2 протягом 15 хв.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять при освітленні зразків...

Номер патенту: 21939

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: отримання, підкладці, плівки, шару, поруватого, спосіб, кубічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 2901

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Ходаковський Микола Іванович, Сукач Георгій Олексійович, Олексенко Павло Феофанович, Мержвинський Павло Анатолійович, Кучеров Олександр Павлович, Осінський Володимир Іванович, Вербицький Володимир Григорович, Шкляр Михайло Петрович

МПК: H01L 21/70

Мітки: напівпровідникових, пристрій, контролю, багатошарових, структур

Формула / Реферат:

Пристрій контролю багатошарових напівпровідникових структур, що містить блок керування технологічними приладами, джерело світла, оптично зв'язане з оптичною фокусуючою системою, оптичний вихід якої через зразок, розміщений на блоці позиціювання зразка, з'єднаний з оптичним входом монохроматора, вихід якого з'єднаний із входом фотореєструючого блока, вихід якого з'єднаний з входом аналого-цифрового перетворювача, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 36152

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Білоусов Сергій Михайлович, Сукач Георгій Олексійович, Олексенко Павло Феофанович

МПК: G01R 31/26

Мітки: світловипромінюючих, області, активної, приладів, температури, пристрій, визначення

Текст:

...причому вихід другого суматора з'єднаний з другим входом першого суматора і з першим входом шостої схеми порівняння, а вихід третього - зв'язаний із другим входом шостої схеми порівняння, вихід якої підключений до першого входу сьомої схеми порівняння, другий вхід якої з'єднаний із виходом першого суматора, а вихід є ви ходом пристрою у цілому. На фіг 1 подана схема запропонованого пристрою. Пристрій містить генератор...