Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти

1. Спосіб отримання макропоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення. 3 51830 4 склала 110мА/см2. Напруга змінювалася у діапавід 100нм до 0,6мкм). Можна помітити, що як в зоні 2-10В, що достатньо для виникнення і розпоплощині поверхні (111), так і вглиб зразка (вздовж всюдження пор в кристалах з порушенням кристакристалографічної осі [111]) пори практично не лографічної структури, зокрема за рахунок мають виділеного напрямку росту (кола на повердислокацій. Час травлення складав (15-20) хвихні та сферичні сегменти, що створюють тупики в лин. Катодом служила пластина платини. Робоча порах в напрямку росту), що в більшій мірі проявповерхня зразків складала 0,12см2. Діаметр звороляється при травленні поверхні, на яку виходять тної поверхні зразка, що контактувала з позитивелементи третьої групи - (111)В поверхні. ним полюсом джерела електричної енергії, був При використовуванні електролітів, що містять значно більшим, ніж діаметр вікна травлення. аніони одного сорту, виділеними напрямами розНа рис.1 представлено морфологію макропоповсюдження (мультиплікації) пор завжди виявляруватих шарів ІnР, отриманих в результаті електються поверхня (111)В, формування пор в площині рохімічного травлення в розчині плавикової кислоякої є енергетично більш вигідним. В той же час ти. Рисунок демонструє визначену інтенсивність розгалуження пор під поверхнею впорядкованість пор, розмір яких складає від підвищується, що приводить до швидкого нарос100нм до 0,6 мкм, що свідчить про те, що поверхтання їх густини із збільшенням глибини поруватоня є макропоруватою. Пори проросли на 35мкм в го шару. У ІnР пори в площині поверхні (111)В виглибину. В шарі біля поверхні пори розташовані никають у всьому діапазоні електричних вільно по всьому об'ємі. Особливість фосфіду інпотенціалів формування пор, відповідних умовам дію - чудовий самоорганізований ріст пор вздовж пороутворення, у всіх фторидних електролітах. кристалографічних напрямків, що формують трьоТаким чином, у разі використання під час елехвимірний шар товщиною порядку мікрометрів біля ктролітичного травлення в якості електроліту плаповерхні кристалу. викової кислоти при щільності струму 110мА/см та В результаті електрохімічного травлення утвочасі травлення (15-20) хвилин можливе утворення рилося 2 типу пор. Перший тип, названий «crysto» макропоруватої поверхні фосфіду індію. При цьопори, має строгу тенденцію к гіллястості (рис. 2). му формуються два типи пор: «crysto» пори, що Пори ростуть нерівномірно вздовж площин. мають строгу тенденцію к гіллястості та розповсюДалі відбувається різкий перехід від «crysto» до джуються під поверхнею зразка та «сurro» пори, «сurro» пор. «Curro» пори, з іншого боку, ростуть що ростуть переважно по напрямам току, тобто переважно по напрямам току, тобто перпендикуперпендикулярно еквіпотенціальним лініям. Діалярно еквіпотенціальним лініям (рис. 3). Ці пори не метр пор складає від 100нм до 0,6мкм, товщина гілкуються і строго паралельні між собою. «Curro» поруватого шару близько 35 мкм, поруватість пори завжди потребують ядер «crysto» пор, вони складає приблизно 35%. не можуть рости без «crysto» з початку пороутвоПерелік фігур креслення рення. Поруватість складає приблизно 35 % від Рис.1. Макропорувата поверхня n-InP, отризагальної площі досліджуваних зразків. мана шляхом електролітичного травлення у розРис.4 демонструє фрагмент поверхні порувачині плавикової кислоти. того зразка n-ІnР, з якого чітко видно місцеполоРис.2. РЕМ зображення «crysto» пор, отримаження утворення ядер пор. Краї пор трохи розтягних біля поверхні n-ІnР нуті в площині (111). Розподіл щільності пор і Рис.3. «Curro» пори, що проросли вглиб зразка місцеположення ядер утворення пор дуже нерівфосфіду індію на глибину близько 35 мкм. номірний; спостерігається суттєва негомогенність. Рис.4. Зображення розколу поруватого шару Поверхня є макропоруватою (діаметр пор складає фосфіду індію, отримані з використанням РЕМ. 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 51830 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601