Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів

Номер патенту: 60133

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Скрипник Юрій Олексійович, Цесельська Тетяна Валентинівна, Остапенко Наталія Валентинівна, Колосніченко Марина Вікторівна

МПК: G01N 33/36

Мітки: матеріалів, визначення, теплового, опору, пакета, одягу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору пакета матеріалів одягу, при якому випробовуваний пакет розміщують між двома металевими осердями, одне з яких нагрівають пропусканням змінного струму через вмонтований електронагрівник, створюють стаціонарний тепловий потік між осердями, вимірюють змінний струм електронагрівника і визначають тепловий опір по формулі, який відрізняється тим, що після нагріву одного з осердь охолоджують інше осердя пропусканням...

Номер патенту: 96061

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: G01N 25/18

Мітки: визначення, транзистора, субмікронного, опору, спосіб, теплового, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристала під кутами  і , вимірювання величини елементів теплового еквівалента, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Семеновська Олена Володимирівна, Тимофєєв Володимир Іванович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: кристала, опору, субмікронного, теплового, спосіб, транзистора, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01R 19/28, G01R 31/26, G01R 27/04

Мітки: напівпровідникових, лпд, апаратура, імпульсних, надпотужних, діагностики, лавинопрольотних, надійності, діодів

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 31120

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Сташук Вадим Данилович, Плюта Ігор Васильович, Рибчак Володимир Костянтинович

МПК: G01K 7/01

Мітки: вимірювання, переході, спосіб, напівпровідникових, температури, датчиків, мають, застосуванням

Текст:

.../2 . При цьому на р-п - переході формується імпульсна напруга, амплітуда якої дорівнює Vm = К, - V2 > яка згідно з (2) пропорційна температурі Т. Отже, для калібрування датчика достатньо виміряти амплітуду напруги на р-п - переході при одному опорному значенні температури Го , наприклад, взятому посередині діапазону вимірюваних температур,, щоб визначити коефіцієнт пропорційності між амплітудою вихідної напруги датчика і вимірюваною...