Патенти з міткою «квантовими»

Номер патенту: 103253

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кушнір Костянтин Вадимович, Марончук Ігор Євгенович, Кононов Алєксандр, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Мітки: фазі, рідкої, структур, квантовими, точками, вирощування, установка, наногетероепітаксійних

Формула / Реферат:

Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази, що складається з вакуумно-газорозподільної системи, комп'ютеризованої системи автоматики, управління та контролю параметрів процесу, систем електроживлення, технологічної системи, яка включає корпус, піч опору, в якій розміщений кварцовий реактор з металевими кришками, що мають отвори для штоків, технологічне оснащення, яке містить касету для...

Номер патенту: 41229

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Круковський Семен Іванович, Михащук Юрій Сергійович, Голяка Роман Любомирович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/28

Мітки: гетероструктур, квантовими, точками, кристалізації, лазерних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.

Номер патенту: 19622

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Бєгун Євгенія Валеріївна, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: квантовими, точками, спосіб, плівки, германієвими, фотолюмінесцентної, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з германієвими квантовими точками імпульсним лазерним осадженням зворотного потоку частинок ерозійного факела на підкладку, що розташована в площині мішені, який відрізняється тим, що використовують мішень з германію, що містить 1-2 % по площині поверхні алюмінію, підкладку встановлюють на відстані 2-15 мм від осі ерозійного факела в вакуумній камері з тиском аргону 13-100 Па та діють...

Номер патенту: 19621

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Каганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: квантовими, плівки, точками, одержання, спосіб, фотолюмінесцентної, кремнієвими

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінесцентної плівки з кремнієвими квантовими точками, що включає формування Аl2О3 плівки з Si нанокристалами імпульсним лазерним осадженням з прямого потоку частинок ерозійного факела при дії променем IAГ:Nd3+ лазера на мішень, що містить Si, та активацію фотолюмінесценції, який відрізняється тим, що формування Аl2О3 плівки з Si нанокристалами та активацію фотолюмінесценції проводять одностадійно осадженням на кремнієву...

Номер патенту: 18609

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Каганович Елла Борисівна, Свєчніков Сергій Васильович, Бєгун Євгенія Валеріївна, Манойлов Едуард Геннадійович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/268

Мітки: точками, плівки, фотолюмінісцентної, квантовими, спосіб, германієвими, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з германієвими квантовими точками, що включає формування GeO2 плівки з германієвими нанокристалами імпульсним лазерним осадженням зі зворотного потоку частинок ерозійного факела на підкладку, що розташована в площині мішені, який відрізняється тим, що підкладку встановлюють на відстані в 2-15 мм від осі ерозійного факела та діють променем IAГ:Nd3+ лазера з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії...

Номер патенту: 15063

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Каганович Елла Борисівна, Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Пантелус Євгенія Валеріївна

МПК: H01L 21/268, H01L 21/203

Мітки: точками, квантовими, спосіб, фотолюмінісцентної, одержання, кремнієвими, плівки

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фотолюмінісцентної плівки з кремнієвими квантовими точками, що включає формування SiO2 плівки з кремнієвими нанокристалами на підкладку, впровадження вуглецю в плівку та активацію фотолюмінісценції, який відрізняється тим, що формування SiO2 плівки з кремнієвими нанокристалами, впровадження вуглецю в плівку та активацію фотолюмінісценції проводять одностадійно методом імпульсного лазерного осадження шляхом опромінення...