Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію
Номер патенту: 28402
Опубліковано: 10.12.2007
Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович
Формула / Реферат
Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 880 °С, причому швидкість зміни температури на етапах кристалізації і розчинення становить 0,5 град./хв.
Текст
Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 3 розчину-розплаву складала 900°С, інтервал охолодження 20°С, швидкість зміни температури на етапах кристалізації і розчинення 0,5град/хв. Вирощування основане на використанні явища конвекції, що виникає в розчині-розплаві, обмеженого горизонтально розміщеними в полі сили тяжіння підкладками. Так як густина розчиненого арсеніду галію менше, чим густина вісмуту, в процесі охолодження розчину-розплаву і кристалізації епітаксійного шару в розчині-розплаві формується градієнт розчиненого компоненту. В результаті, за один цикл охолодження-нагрів на верхній підкладці формується шар. Так як температурні показники процесу епітаксії підвищуються, то збільшується коефіцієнт розподілу вісмуту в арсеніді галію, що й призводить до зменшення щільності дислокацій. Зменшення швидкості зміни температури на етапах розчинення та кристалізації також призводить до зменшення щільності дислокацій, так як зменшуються термопружні напруження. Таким чином, дані технологічні особливості в порівнянні з відомими технічними рішеннями дають змогу отримати щільність дислокації 2·102см-2. 28402 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for obtaining thick homoepitaxial layers of gallium arsenide
Автори англійськоюShutov Stanislav Viktorovych, Lebed Oleh Mykolaiovych, Krasnov Vasyl Oleksandrovych
Назва патенту російськоюСпособ получения толстых гомоэпитаксиальных слоев арсенида галлия
Автори російськоюШутов Станислав Викторович, Лебедь Олег Николаевич, Краснов Василий Александрович
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/20
Мітки: товстих, отримання, галію, спосіб, арсеніду, гомоепітаксійних, шарів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-28402-sposib-otrimannya-tovstikh-gomoepitaksijjnikh-shariv-arsenidu-galiyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію</a>
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію
Номер патенту: 24815
Опубліковано: 06.10.1998
Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Попова Вікторія Євгенівна
МПК: C30B 19/00, C30B 29/40
Мітки: шарів, спосіб, нарощування, епітаксійного, арсеніду, галлію
Формула / Реферат:
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...
Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію
Номер патенту: 50883
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович
МПК: H01L 21/208
Мітки: спосіб, отримання, арсеніду, шару, галію, напівізолювального
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш’яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію
Номер патенту: 57444
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Коваленко Віктор Федорович, Літвінова Марина Борисівна
МПК: G01J 3/28
Мітки: визначення, миш'яку, величини, нелегованого, монокристалах, концентрацій, арсеніду, співвідношення, спосіб, галію, вакансій
Формула / Реферат:
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, регістрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за...
Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію
Номер патенту: 64602
Опубліковано: 15.03.2007
Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Щербань Олексій Петрович, Ковтун Генадій Прокопович
МПК: C30B 29/42, C30B 15/00
Мітки: арсеніду, галію, монокристалів, одержання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію, який включає розплавлення полікристалічного матеріалу під шаром герметизуючого флюсу, що містить вологу, в атмосфері високочистого інертного газу та витягування монокристалу з розплаву на затравку, який відрізняється тим, що перед витягуванням монокристалу з розплаву здійснюють вертикальну спрямовану кристалізацію розплаву у напрямку до флюсу із швидкістю 0,008...0,3 мм/хв з одночасним обертанням...
Розчин для травлення силіцидів кобальту на основі з арсеніду галію
Номер патенту: 9581
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Тарасенко Сергій Олегович, Циганова Ганна Іскаковна, Ільченко Василь Васильович, Шевчук Петро Павлович
Мітки: галію, силіцидів, травлення, кобальту, розчин, основі, арсеніду
Формула / Реферат:
Розчин для травлення силіцидів кобальту на основі арсеніду галію, що містить фтористоводневу і азотну кислоти, який відрізняється тим, що розчин додатково містить ортофосфорну і отцову кислоти при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: фтористоводнева кислота Н 2F2 (пит. вага 1,14) 35—45 азотна кислота НNОз (пит. вага...
Попередній патент: Машинка для стриження тварин
Наступний патент: Ділянка забирання рулону з барабана моталки
Випадковий патент: Спосіб контролю чисельності популяцій плодожерок (lepidoptera, tortricidae)