Спосіб одержання епітаксійних шарів pb1-xsnxte

(19) (21) a200600848 (22) 31.01.2006 (24) 10.10.2007 (72) ВОДОП'ЯНОВ ВОЛОДИМИР МИКОЛАЙОВИЧ, UA, КОНДРАТЕНКО МАКСИМ МАКСИМОВИЧ, UA (73) БУКОВИНСЬКИЙ УНІВЕРСИТЕТ, UA (56) SU, 678748, 07.08.1981 SU, 1625067, A1, 10.07.1989 US, 3647197, 07.03.1972 US, 3779801, 18.12.1973 US, 3961998, 08.06.1976 US, 4076572, 28.02.1978 2 3 80624 в якості джерела пари при вирощуванні використовують матеріал складу (Pb1-xSnx)1де 0,19£х£0,21, 0,002£у£0,004, yCdyTe1+d, 0,035£δ£0,0040. Використання в якості джерела пари матеріалу такого складу при епітаксійному вирощуванні шарів, як показали експериментальні дослідження, приводить до розширення області гомогенності з боку металічних компонент, що забезпечує досить високу стабільність електричних і фотоелектричних параметрів епітаксійних шарів. Вибір концентрації кадмію в матеріалі джерела пари в межах 0,002£у£0,004 обумовлений тим, що при такому вмісті домішка кадмію практично не змінює зонних параметрів твердого розчину Pb1-xSnxTe (0,19£х£0,21) при температурах нижче 3000К, в той же час вона підвищує квантовий вихід фотолюмінесценції [4]. Приклади конкретного виконання. Епітаксійні шари були вирощені методом гарячої стінки у вакуумі на підкладках BaF2, сколотих у площині (111). Джерелом пари при вирощуванні шарів був матеріал, хімічний склад якого був в межах 0,19£х£0,21, 0,002£у£0,004, 0,035£δ£0,0040. Послідуючий ізотермічний відпал проводився по методиці, вказаній у прототипі. Стабільність електричних параметрів досліджувалась як після гомогенізуючого відпалу, так і після витримки епітаксійних шарів на протязі 4 років. Результати досліджень зведено в таблицю, з якої видно, що епітаксійні шари, одержані запропонованим методом, на протязі чотирьох років практично не змінили своїх електричних параметрів, в той час як зразки №№ 9, 10, 11, які були одержані за прототипом, не тільки суттєво поміняли концентрацію і рухливість носіїв заряду, а і змінили тип провідності. 4 гомогенізуючого відпалу одержувати стабільні по електричним параметрам зразки. Джерела інформації: 1. Harman T.C. Control imperfections in crystal of Pb1-xSnxTe, Pb1-xSnxSe and Pb1-xSex //J. Nonmetals1973. -v.1, №3. -p.183-194. 2. Патент США, №3779801, Кл. 148-175. - 1973 (прототип). 3. Зломанов В.П., Новоселова A.B., Р-Т-х диаграммы состояния систем металл-халькоген., М., „Наука". -1987. -154с. 4. Авторское свидетельство СССР № 1625067, С ЗОВ 23/02. - 1989. Таблиця Результати дослідження стабільності електричних параметрів епітаксійних шарів № експерименту x y d 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0,19 0,19 0,20 0,20 0,20 0,20 0,21 0,21 0,19 0,20 0,21 0,002 0,004 0,002 0,002 0,004 0,004 0,002 0,004 0 0 0 0,0035 0,0040 0,0035 0,0040 0,0035 0,0040 0,0035 0,0040 0 0 0 Після відпалу Концентрація Рухливість носіїв заряду, носіїв заряду, см-3 см2/(В·с) 16 n=6,8·10 25300 n=7,2·10'6 19900 n=4,5·1016 28000 n=3,6·1016 27800 n=8,1·1016 16200 n=5,5·1016 15200 p=3,1·1016 14800 n=5,0·1016 24300 n=5,2·1016 22100 n=4,2·1016 24800 n=3,8·1016 23700 Проведені експериментальні дослідження свідчать про те, що вирощування епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова методом гарячої стінки у вакуумі, використовуючи в якості джерела пари матеріал складу (Pb1-xSnx)1де 0,19£х£0,21, 0,002£у£0,004, yCdyTe1+d, 0,035£δ£0,0040, дає можливість після Через 4 роки Концентрація Рухливість носіїв заряду, носіїв заряду, см-3 см2/(В·с) 16 n=6,6·10 25400 n=7,0·1016 19700 n=4,1·1016 27000 n=3,5·1016 27500 n=7,9·1016 16100 n=5,4·1016 15200 p=3,2·1016 14500 n=4,8·1016 24100 p=3,8·1016 16400 p=3,6·1016 14200 p=4,0·1016 12600