C30B 13/02 — зонна плавка з розчинником, наприклад способом перемещающегося розчинника
Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Номер патенту: 113185
Опубліковано: 26.12.2016
Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Колісник Михайло Георгійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Захарук Зінаїда Іванівна, Демчина Любомир Андрійович, Мисевич Ігор Захарович, Раренко Іларій Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович
МПК: C30B 13/02, C30B 1/00, C30B 13/10 ...
Мітки: твердих, розчинів, cdxzn1-xte, монокристалів, cdxmn1-xte, спосіб, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...
Спосіб очистки кадмію від цинку
Номер патенту: 107955
Опубліковано: 24.06.2016
Автори: Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Ясінко Тамара Іванівна
МПК: C22B 17/06, C22B 9/16, C30B 13/02 ...
Мітки: спосіб, очистки, кадмію, цинку
Формула / Реферат:
Спосіб очистки кадмію від домішок цинку, який включає зонну плавку, який відрізняється тим, що в зразок, який очищають, попередньо вводять залізо в кількості, яка становить від 1,3 до 1,4 маси домішку цинку.
Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду
Номер патенту: 60241
Опубліковано: 10.06.2011
Автори: Картамишев Георг Олександрович, Каніщев Василь Миколайович, Адонкін Георгій Тимофійович, Бараннік Сергій Віталійович, Данько Олександр Якович
МПК: C30B 13/02
Мітки: вирощування, спосіб, корунду, зокрема, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, згідно з яким, в тигель завантажують початкову сировину, розміщують тигель у ростовій печі, розплавляють сировину, витягують у холодну зону з постійним прискоренням, який відрізняється тим, що фіксують момент різкого зростання (стрибок) швидкості кристалізації, одночасно фіксують ростову координату і швидкість витягування, зупиняють вирощування, тигель повертають назад на відстань, що...