Спосіб керування електрофізичними параметрами напівпровідникових сполук типу а11в1

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 11659

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Карачевцева Людмила Анатольєвна, Мисливець Ксенія Артурівна, Баранський Петро Іванович, Любченко Олексій Вікторович, Сальков Євген Андрійович, Лукинський Юрій Леонідович, Курбанов Курбан Рамазанович, Оліх Ярослав Михайлович, Єргаков Валерій Костянтинович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа АІ ВVI, включающий ультразвуковое воздействие интенсивностью 102 - 2-103 Вт/ч2 на образец соединения и последующее химическое удаление приповерхностного нарушенного слоя на глубину 5-10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cdxtg1-k Te состава 0,17<x<0,4, перед ультразвуковым воздействием определяют дислокационным травлением концентрацию малоугловых границ, а ультразвуковое воздействие проводят на частоте f=>v3B·NMr/2, где f - частота ультразвука; v3в - скорость распространения звука в материале, см/с; NMr - концентрация малоуглеродных границ, см-1 , в течение 15-20 мин.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контроля процесса, одновременно с ультразвуковым воздействием контролируют электропроводимость образца и прекращают воздействие при, стабилизации во времени электропроводности.

Текст

Изобретение относится к микроэлектронике и оптоэлек*гронике и может быть использовано при изготовлений датчиков ИК-излучения. Цель изобретения - повышение эффективности управления электрофизическими параг метрами в соединениях Cd),IIg1_vTe состава 0,17 ^х ^0,40, На исходном образце проводят диелокациониое травление и определяют концентрацию малоугловых границ WMur. На торцы образца напаивают индиевые контакты и подвергают образец ультразвуковой обработке (УЗО) интенсивностью 10^-2 • 10эВт/м? Для этого с помощью высокочастотного генератора типа ГЗ-41 и преобразователя производится генерация продольных ультразвуковых волн в образец. Из набора стандартных ультразвуковых преобразователей выбирают преобразователь с частотой близкой к f = N /2 (v ъв - скорость звука в • Vъь' MVr материале). Тонкая регулировка частоты до указанной величины производится в пределах полосы частот преобразователя. Время УЗО составляет 15-20 мин. В процессе УЗО проводят контроль электропроводимости образца. После стабилизации электропроводимости во времени УЗО прекращают. После УЗО ^ удаляют нарушенный слой в бромсодержащем травителё. 1 з . п . ф-лы, 2 табл. (Л ел ел О) СО Изобретение относите? к микро«электронике и оптоэлектронике и может быть использ.овано при изготовлении датчиков ИК-излучения, Цель изобретения - повышение эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cd^Hg^Te состава 0,17 і х

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Control method for physical parameters of аі вvi-type semiconductor connections

Автори англійською

Salkov Yevhen Andriiovych, Baranskyi Petro Ivanovych, Liubchenko Oleksii Viktorovych, Olikh Yaroslav Mykhailovych, Myslyvets Ksenia Arturivna, Karachevtseva Liudmyla Anatoliivna, Yerhakov Valerii Kostiantynovych, Kurbanov Kurban Ramazanovych, Lukynskyi Yurii Leonidovych

Назва патенту російською

Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа а11в1

Автори російською

Сальков Евгений Андреевич, Баранский Петр Иванович, Любченко Алексей Викторович, Олих Ярослав Михайлович, Мысливец Ксения Артуровна, Карачевцева Людмила Анатольевна, Ергаков Валерий Константинович, Курбанов Курбан Рамазанович, Лукинский Юрий Леонидович

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/463, H01L 21/26

Мітки: а11в1, керування, напівпровідникових, сполук, типу, параметрами, електрофізичними, спосіб

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-11659-sposib-keruvannya-elektrofizichnimi-parametrami-napivprovidnikovikh-spoluk-tipu-a11v1.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб керування електрофізичними параметрами напівпровідникових сполук типу а11в1</a>

Подібні патенти