Сідлецький Олег Цезаревич

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Федоров Олександр Григорович, Архіпов Павло Васильович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Павлик Богдан Васильович, Зоренко Юрій Володимирович, Герасимов Ярослав Віталійович, Гриньов Борис Вікторович, Горбенко Віталій Іванович, Возняк Тарас Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 29/00, G01T 1/20, C09K 11/00 ...

Мітки: реєстрації, випромінювань, іонізуючих, сцинтилятор, комбінований

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Евгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: сировиною, наплавлення, монокристалів, вирощування, спосіб, тиглів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Жуков Леонід Семенович, Бондар Валерій Григорійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Курцев Данііл Олександрович, Гриньов Борис Вікторович, Волошина Олеся Василівна

МПК: G01T 1/202, C30B 15/02

Мітки: гадолінію, кристалів, одержання, лютецію, вирощування, спосіб, розплаву, оксіортосилікатів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву за методом чохральського та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євгеній Петрович, Нагорняк Володимир Теодорович, Герасимов Ярослав Віталійович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/00

Мітки: пристрій, спосіб, розплаву, методом, вирощування, чохральського, монокристалів, здійснення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/14

Мітки: низькою, випромінювання, монокристалів, вирощування, прозорістю, теплового, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Пристрій для вимірювання діелектричної проникності органічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 45673

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Будаковський Сергій Валентинович, Лисецький Лонгин Миколайович, Стаднік Петро Омел'янович, Сідлецький Олег Цезаревич, Галунов Микола Захарович, Маліков Віталій Якович

МПК: G01N 29/00

Мітки: вимірювання, матеріалів, органічних, пристрій, проникності, діелектричної

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання діелектричної проникності органічних матеріалів, що містить корпус із отворами, нагрівач, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку, який відрізняється тим, що до нього введені механізм контрольованого переміщення верхнього електрода і розташований між електродами еластичний контейнер, що служить також ізолюючою прокладкою, всередині якого розміщений матеріал, що досліджується.

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 40420

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Маліков Віталій Якович, Стаднік Петро Омел'янович, Сідлецький Олег Цезаревич, Галунов Микола Захарович, Лисецький Лонгин Миколайович

МПК: G01N 29/00

Мітки: вимірювання, рідкокристалічних, електрофізичних, матеріалів, властивостей, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів, що містить корпус, нагрівник, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку і рідкокристалічний матеріал між електродами, який відрізняється тим, що до пристрою введено перфоровану прокладку, діаметри перфорацій в якій перевищують товщину прокладки.