Спосіб одержання очищених кристалів

Спосіб одержання очищених кристалів, який включає формування кристала й створення в ньому принаймні однієї розплавленої зони, що не повністю займає його поперечний переріз, який відрізняється тим, що формування кристала ведуть шляхом дистиляції речовини з конденсацією в температурному градієнті. (19) (21) u200600029 (22) 03.01.2006 (24) 15.06.2006 (46) 15.06.2006, Бюл. № 6, 2006 р. (72) Кравченко Олександр Іванович (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ НАУКОВИЙ ЦЕНТР "ХАРКІВСЬКИЙ ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" 3 15263 4 необхідна для проведення безтигельної зонної установлюється температурний градієнт. Зверху в плавки, але й здійснювати ефективне попереднє пристрій уводять затравочний кристал 8. Пари очищення речовини на стадії формування стрижматеріалу, що очищається, 7 проходять по паропня. Заміна операції витягування кристала з розпроводу 2 і конденсуються на нижньому торці криславу (як це відбувається в способі по найближчотала 8. Перегородки 3 сприяють багаторазовому му аналогу) операцією дистиляції з конденсацією в зіткненню парів матеріалу 7 зі стінкою паропровотемпературному градієнті за пропонованим спосоду. При цьому важколеткі домішкові компоненти бом забезпечує підвищення ефективності очиконденсуються на паропроводі 2 на рівнях нижче щення речовини, що рафінують. рівня переважної конденсації основного компоненНа кресленні представлена схема пристрою та (нижче рівня торця кристала 8). Важколеткі додля здійснення пропонованого способу й схема мішкові компоненти йдуть через зазор між кристарозподілу температури по висоті пристрою. лом 8 і паропроводом 2 за межі пристрою в об'єм Пристрій розміщений у вакуумній камері (на вакуумної камери. У результаті на нижньому торці кресленні не показаний) і має тигель 1, установлекристала 8 наростає конденсат підвищеної чистоний над ним паропровід 2 з перегородками 3, нати. За допомогою механізму витягування (на кресгрівач тигля 4, тепловий екран 5 і зонні нагріванні ленні не показаний) кристал 8 переміщають наго6. На схемі розподілу температури показані: крива ру, у результаті чого зростаючий кристал 1 - розподіл температури уздовж тигля й паропропереміщається щодо зонних нагрівачів 6, що ствоводу; крива 2 - розподіл температури уздовж крисрюють ексцентричні рідкі зони 9 з неповним протала; Ті - температура випару; Тm - температура плавленням кристала, і піддається додатковому плавлення; Тс - температура переважної конденочищенню методом без-тигельної зонної перекрисації основного компонента. Спосіб одержання сталізації. очищеного кристала здійснюють у такий спосіб. Як показують дослідження, пропонований споВихідний матеріал 7 поміщають у тигель 1, де його сіб забезпечує в 2...7 разів більш ефективне очиза допомогою нагрівача 4 нагрівають до заданої щення ряду речовин від важколетких домішок у температури випару. При цьому уздовж паропропорівнянні зі способом, обраним у якості найближводу 2 за рахунок тепловипромінювання з тигля 1 чого аналогу. Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601