Матеріал для одержання тонких плівок оксиду алюмінію

Матеріал для одержання тонких плівок оксиду алюмінію на основі монодисперсного порошку сапфіру а-АЬОз, який відрізняється тим, що монодисперсний порошок сапфіру представлений індивідуальною фазою а-АЬОз з розміром зерен 24 мкм, а його конденсати утворюють тонкі плівки оксиду алюмінію, в яких не реєструється наявність низькотемпературних метастабільних у- ' 9модифікацій перехід у- фази у Є- модифікацію АЬОз І тільки по досягненні температури субстрату вище 1400°С формується стабільна кристалічна а-модифікація АІ2О3 Таким чином, до недоліків плівок, одержаних з оксиду алюмінію (глинозему), слід віднести утворення проміжних метастабільних у- і 6-фаз в аморфних та кристалічних плівках Завданням винаходу є отримання матеріалу для одержання тонких плівок оксиду алюмінію па основі монодисперсного порошку сапфіру а-АігОз, з якого формуються гомогенні тонкі плівки високотемпературної а-фази оксиду алюмінію, який забезпечує утворення рівноважної плівки вільної від домішок інших метастабільних низькотемпературних фаз незалежно від температур випаровування і конденсації Поставлене завдання досягається таким чином, що матеріал для одержання тонких плівок оксиду алюмінію на основі монодисперсного порошку моносапфіру а-АЬОз, який, згідно винаходу, відрізняється тим, що монодисперсний порошок моносапфіру представлений індивідуальною фазою а-АЬОз з розміром зерен 2-4мкм, а його конденсати утворюють тонкі плівки оксиду алюмінію, в яких не реєструється наявність низькотемпературних у- і 6-модифікацій Порівняльний аналіз запропонованого матеріалу з матеріалом-прототипом показує, що пропонований матеріал для одержання тонких плівок оксиду алюмінію на основі монодисперсного порошку моносапфіру а-АЬОз має ряд суттєвих переваг, а саме матеріал представлений індивідуа ю СО 43952 льною фазою а оксиду алюмінію (чистота 99 999, ДВІЧІ перекристалізований) і реконструктивного переходу його до 6-АІ2О3 не спостерігається внаслідок процесу високотемпературної перекристалізації, що відбувається підчас одержання монокристалів сапфіру, матеріал не потребує додаткового подрібнення та довготривалого високотемпературного відпалу Запропонований матеріал характеризується відсутністю низькотемпературних у- і 6-модифікацій в конденсатах, одержаних в результаті його термічного і лазерного випаровування у вакуумі Матеріал для одержання тонких плівок оксиду алюмінію на основі монодисперсного порошку сапфіру а-АЬОз одержують ХІМІЧНОЮ обробкою послідовно концентрованими сірчаною, азотною та плавиковою кислотами ВІДХОДІВ ВІД промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру, вирощених методами Кіропулоса, Чохральського та Вернейля [3,4] Результати випробувань запропонованого матеріалу наведено у прикладах і представлено у таблиці 1 Як свідчать приведені дані тонкі гомогенні плівки оксиду алюмінію (а-АЬОз) отримують при різних температурах, домішки інших фаз відсутні Таким чином, застосування запропонованого матеріалу забезпечує одержання індивідуального покриття а-АЬОз, стабільність та відтворювальність властивостей останнього Винахід може бути використаний у спеціальних технологічних процесах, електротехнічній, машинобудівній і металообробній галузях промисловості, в яких особливо важливе значення має одержання та використання діелектричних плівок із заданими властивостями Таблиця 1 Результати випробувань заявляемого матеріалу для одержання діелектричних плівок Номер при- Температура випа- Температура під- Характеристика фазового кладу ровування, °С кладки, °С складу діелектричної плівки Характеристика фазового складу діелектричної плівки [2] прототип 1 2050 850 гомогенна плівка, фаза а-АЬОз одна гетерогенна плівка, реєструється у-АЬОз 2 2050 1050 гомогенна плівка, фаза а-АЬОз одна гетерогенна плівка, реєструється б-АЬОз 3 2100 1200 4 2100 1500 гомогенна плівка, фаза а-АЬОз гомогенна плівка, фаза а-АЬОз одна гетерогенна плівка, реєструється а-АЬОз одна гомогенна плівка, аАІ2О3 Джерела інформації 1 Drago A L , Diamond J J // J Amer Ceram Soc -1967 -50, №11 -P 574 2 Заславський О М Закономірності фазоутворення та росту кристаллітів у плівках АЬОз, Т1О2, ZrO2, НГО2, одержаних лазерним випаровуванням Укр хім журн , 1999, т 65, № 2, с 89-92 - прототип 3 Рішення про встановлення дати подання заявки на винахід, № 99010490, від 29 01 1999 4 Рішення про встановлення дати подання заявки на винахід № 99063679, від 30 06 1999 ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна (044) 456 - 20 - 90