Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компо 3 60531 виготовляли з відтягнутим конічним дном з кутом порядку 30-40 градусів, що збільшує ймовірність одержання монокристала. Синтез проводили в електричній трубчатій печі. Для прискорення реакції між компонентами, в яких густини сильно відрізняються, і одержання однорідних злитків Hg1-xyMnxFeyTe в процесі синтезу, технологічна установка була обладнана пристроєм для коливального руху пічки з ампулою. Для забезпечення рівномірного нагріву по довжині ампули з шихтою, а також для запобігання руйнації пічки у разі вибуху ампули, остання поміщалась в циліндричний контейнер, виготовлений із товстостінної жароміцної нержавіючої сталі. Температура синтезу складала від 730 °С до 790 °С в залежності від складу зразків, при цьому необхідно зауважити, що температура шихти під час синтезу піднімалась поступово, з витримками при температурах плавлення та кипіння компонентів, що входять до складу твердих розчинів Hg1-x-yMnxFeyTe. Синтезовані сплави використовували для вирощування монокристалів Hg1-x-yMnxFeyTe. Монокристали Hg1-x-yMnxFeyTe одержували методом Бріджмена. Поміщену в пічку ампулу повільно нагрівали із швидкістю 20-25 град/год до температури плавлення Hg1-x-yMnxFeyTe. Особливо повільно температуру піднімали в інтервалі Т=300-400 °С, в межах якого спостерігається виділення вільної ртуті із злитку. Після витримки при температурі плавлення (~40 годин) ампулу опускали із швидкі Комп’ютерна верстка М. Мацело 4 стю 1-4 мм/год через градієнт температур ~30 град/см. Температуру при вирощуванні монокристалів стабілізували за допомогою регулятора температури ВРТ-2 з точністю ±1 °С. Відпал зразків Hg1-x-yMnxFeyTe в парах ртуті проводили при температурі t ~ 200 °С протягом 300 годин в скляних ампулах, які відкачували до -5 10 мм рт.ст. В одному кінці ампули знаходились ртуть, необхідна для створення парів середовища, в іншому - зразок. Ампулу поміщали у двосекційну піч, в якій задавали температуру, необхідну для створення контрольованого тиску парів ртуті над зразком, і температуру зразка. Температуру підтримували з точністю ±2 °С і контролювали ХА термопарами. Процес термообробки в парах ртуті продовжували до того часу, поки не наступала термодинамічна рівновага у зразку, тобто при даних умовах термообробки параметри зразка більше не змінювались із збільшенням часу відпалу. Як показали дослідження, величина відносного магнітоопору (  /  ) зразків Hg1-x-yMnxFeyTe сягає більше 100 % (при Т=77К) і поступово зменшується з ростом температури (фіг.) внаслідок погіршення виконання умови сильного магнітного поля для носіїв заряду. Отримання твердих розчинів Hg1-x-yMnxFeyTe з високим значенням відносного магнітоопору розширює їх сферу застосування у приладобудуванні. Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601