Спосіб отримання термоелектричного матеріалу
Номер патенту: 56654
Опубліковано: 25.01.2011
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків термоелектричного матеріалу, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти використовують ртуть, марганець, сірку у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxS, а виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів до них додають залізо у кількості, яка визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-уMnxFeyS.
Текст
1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, вирощування твердих розчинів методом 3 56654 твердого розчину. Проводять синтез кристалу, для чого ампулу поміщують у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів та витримують ампулу при цій температурі, після чого поступово охолоджують її до кімнатної температури. Внаслідок цього отримують синтезований кристал, який надалі вирощують методом Бріджмена. З отриманих твердих розчинів стехіометричного складу Hg1-хMnxS виготовляють зразки, які відпалюють у парах сірки. За іншим варіантом виготовлення до складу вихідних компонентів додають залізо, а подальше вирощування кристалу проводять за вищеописаним методом. При проведенні експериментальних досліджень синтез кристалів проводився при темпера 4 турі 900 °С протягом 200 годин, а відпал зразків у парах сірки проводився при температурі 200 °С протягом 300 годин. Були отримані зразки термоелектричного матеріалу Hg1-хMnxS та Hg1-х-уMnxFeyS з провідністю n-типу , концентрацією електронів n~1018 см-3. На отриманих зразках були проведені виміри термо-е.р.с. (), питомої електропровідності (), та при відомому значенні теплопровідності () визначався коефіцієнт термоелектричної добротності. Результати вимірів термоелектричної добротності для зразків Hg1-хMnxS представлені в таблиці 1, а результати вимірів добротності для зразків Hg1-хуMnxFeyS представлені у таблиці 2. Табл. 1 Коефіцієнт термоелектричної добротності кристалів Hg1-хMnxS x 0,017 0,03 0,12 n10-18, см-3 1,1 12 2,4 5,9 , Ом-1см-1 184 488 593 78 -, мкВ/град 200 95 154 180 Z103, град-1 0,37 0,22 0,7 0,13 Відпал до відпалу до відпалу відпал в парах сірки до відпалу Табл. 2 Коефіцієнт термоелектричної добротності кристалів Hg1-х-уMnxFeyS (x+y) 0,037 0,06 0,1 -18 -3 n10 , см 14 1,6 2,1 42 , Ом см 464 360 320 120 -1 -1 -, мкВ/град 50 120 160 450 Як видно із приведених даних, введення атомів сірки і заліза, а також додатковий відпал у парах сірки згідно запропонованого способу приво Комп’ютерна верстка І.Скворцова 3 Z10 , град 0,06 0,26 0,41 1,22 -1 Відпал до відпалу до відпалу відпал в парах сірки до відпалу дить до суттєвого збільшення термоелектричної добротності отриманих зразків. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing thermoelectric material
Автори англійськоюAndrushchak Halyna Olehivna, Marianchuk Pavlo Dmytrovych
Назва патенту російськоюСпособ получения термоэлектрического материала
Автори російськоюАндрущак Галина Олеговна, Марьянчук Павел Дмитриевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 13/00
Мітки: отримання, термоелектричного, спосіб, матеріалу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-56654-sposib-otrimannya-termoelektrichnogo-materialu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання термоелектричного матеріалу</a>
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів pbte-sb2te3
Номер патенту: 50778
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович
МПК: C30B 11/00
Мітки: розчинів, термоелектричного, матеріалу, спосіб, твердих, pbte-sb2te3, отримання, основі
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, сурму і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю
Номер патенту: 27517
Опубліковано: 12.11.2007
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна
МПК: C30B 1/00
Мітки: спосіб, основі, матеріалу, свинцю, отримання, термоелектричного, телуриду
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-типу на основі твердих розчинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 50157
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: термоелектричного, отримання, розчинів, спосіб, основі, твердих, pb1-xsnxte, матеріалу, p-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі твердих розчинів Pb1-xSnxTe, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, олово і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4
Номер патенту: 46916
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: спосіб, матеріалу, термоелектричного, р-pbsb2те4, нового, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-PbSb2Te4, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-pbte
Номер патенту: 50087
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Дзумедзей Роман Олексійович, Шевчук Мирослава Олегівна, Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: отримання, матеріалу, спосіб, p-pbte, термоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-РbТе, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Попередній патент: Процес отримання оптичного матеріалу на основі znsb
Наступний патент: Пристрій для підведення мастильно-охолодної рідини
Випадковий патент: Спосіб обробки морських організмів