Підставка тигля для вирощування монокристалів корунду
Номер патенту: 69596
Опубліковано: 15.09.2005
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович
Формула / Реферат
Корисна модель, що пропонується, належить до електровимірювальної техніки і може бути використана в енергетиці при вимірюванні електричної енергії.
Відомий пристрій за а. с. СРСР № 866491, М.кл. G01R210. Цей пристрій, як і той, що заявляється, містить датчик струму, датчик напруги, інтегратор, компаратор, вузол зворотного зв'язку, відліковий пристрій. Недоліком цього пристрою є недостатня чутливість.
Найближчим за сукупністю ознак до технічного рішення, що пропонується, є електронний лічильник електричної енергії за а. с. СРСР № 653573, М. кл. G 01 R 216, опубл. 25.03.79. Цей лічильник, як і той, що пропонується, містить датчик струму, датчик напруги, перемножувач, інтегратор, комутатор, компаратор, відліковий пристрій. Крім того, відомий пристрій має другий компаратор, другий комутатор, елемент АБО, тригер.
Відомий пристрій має наступні недоліки:
- недостатню точність вимірювання за рахунок наявності напруги зміщення на виходах перемножувача або дрейфу цієї напруги в часі, що спричиняє підвищення або зменшення часу інтегрування інтегратора і, як наслідок, зміну вихідної частоти, яка пропорційна енергії, що контролюється. Це спричиняє похибку вимірювання. Крім того наявність двох компараторів, які мають напруги зміщення, спричиняє зміну порога спрацювання компараторів і, як наслідок, також збільшує похибку вимірювання;
- складку конструкцію за рахунок того, що даний пристрій має більшу кількість функціональних вузлів, таких як другий компаратор, другий комутатор, тригер, елемент АБО та т. і.
В основу корисної моделі поставлено задачу створити такий лічильник електричної енергії, у якому уведення вузла позитивного зворотного зв'язку та елемента НІ з відповідними зв'язками, виконання помножувача таким, що містить комутатор та формувач широтно-імпульсної модуляції (ШИМ) з відповідними зв'язками, дозволило б компенсувати напругу зміщення як помножувача так і інтегратора та компаратора і тим самим підвищити точність вимірювання, і, крім того, вилучити ряд вузлів та блоків, тобто спростити лічильник.
Поставлена задача вирішується тим, що в лічильник електричної енергії, який містить датчик напруги та датчик струму, що приєднані виходами відповідно до першого та другого входів помножувача, інтегратор, підключений виходом до першого входу компаратора, комутатор та відліковий пристрій, уведені наступні істотні ознаки, які відрізняються від прототипу.
У лічильник уведені елемент НІ та вузол негативного зворотного зв'язку. Комутатор розміщено у помножувачі, який містить також формувач ШИМ, підключений виходом до першого керуючого входу комутатора, а входом - до першого входу помножувача. Його другій вхід приєднано до першого, четвертого, шостого, сьомого інформаційних входів комутатора. Другий,третій, п'ятий, восьмий інформаційні входи комутатора через тертій вхід помножувача підключено до другого виходу датчика струму. Перший, другий, третій і четвертий виходи комутатора з'єднані з виходом помножувача, який підключено до входу інтегратора. П'ятий, шостий, сьомий і восьмий виходи комутатора приєднано до загальної шини. Вихід компаратора через елемент НІ підключено до четвертого входу помножувача, що з'єднаний з другим керуючим входом комутатора, і до входів відлікового пристрою і вузла негативного зворотного зв'язку, вихід якого підключено до другого входу компаратора.
Вище наведені істотні ознаки корисної моделі, достатні у всіх випадках, на які розповсюджується об'єм правового захисту.
Управління комутатором, з виходу якого сигнал множення подається на інтегратор, здійснюється як формувачем ШИМ так і частотою, що надходить на відліковий пристрій і є пропорційною вимірюваній енергії споживання. Завдяки цьому на вхід інтегратора надходить різнополярний сигнал перемноження сигналів з датчика струму та з датчика напруги і тим самим відбувається компенсація напруги зміщення як помножувача так і інтегратора.
За рахунок цього підвищується точність вимірювання.
Крім того використання одного компаратора, поріг спрацювання якого змінюється відповідно з частотою, що надходить на відліковий пристрій, дозволяє компенсувати напругу зміщення компаратора і додатково підвищити точність пристрою, а також спростити лічильник. На фіг. наведена блок-схема лічильника електричної енергії. Лічильник містить датчик 1 напруги, датчик 2 струму, помножувач 3, інтегратор 4, компаратор 5, елемент НІ 6, вузол 7 негативного зворотного зв'язку, відліковий пристрій 8. Помножувач 3 складається з формувача 9 ШИМ та комутатора 10. Вихід датчика 1 напруги через перший вхід помножувача 3 приєднано через формувач 9 ШИМ до першого керуючого входу комутатора 10. Перший вихід датчика 2 струму з'єднано через другий вхід помножувача 3 з першим, четвертим, шостим і сьомим інформаційними входами комутатора 10. Другий вихід датчика 2 струму підключено через третій вхід помножувача 3 з другим, третім, п'ятим і восьмим інформаційними входами комутатора 10. Перший, другий, третій і четвертий виходи комутатора 10 через вихід помножувача З і далі через послідовно з'єднані інтегратор 4, компаратор 5 та елемент НІ 6 підключено до відлікового пристрою 8, через четвертий вхід помножувача 3 - до другого керуючого входу комутатора 10, а через вузол 7 негативного зворотного зв'язку - до другого входу компаратора 5. П'ятий, шостий, сьомий та восьмий виходи комутатора 10 підключені до загальної шини.
Комутатор 10 може бути виконаним, наприклад, на мікросхемі 561КП1.
Лічильник електричної енергії працює таким чином.
Напруга з датчика 1 напруги та датчика 2 струму надходить відповідно на перший і другий входи помножувача 3. Напруга з датчика 1 перетворюється у широтно-імпульсну напругу формувачем 9 ШИМ, яка надходить на перший керуючий вхід комутатора 10. На інформаційні входи комутатора 10 надходить напруга з датчика 2 струму. При наявності на виході формувача 9 ШИМ стану «0» перший та п'ятий ключі комутатора 10 замкнені і частина синусоїдальної напруги з датчика 2 струму надходить на вхід інтегратора 4. При наявності на виході формувача 9 ШИМ стану «І» ключі перший і п'ятий розмикаються, а замикаються ключі третій і сьомий, при цьому напруга з датчика 2 струму надходить на вхід інтегратора 4 у інвертованому вигляді. Інтегратор 4 інтегрує напругу, що надходить, до порога спрацювання компаратора 5. Цей поріг установлюється напругою з виходу елемента НІ 6 через вузол 7 зворотного негативного зв'язку.
При спрацюванні компаратора 5 його вихід набуває іншого стану і через елемент НІ 6 та вузол 7 зворотного негативного зв'язку установлюється поріг спрацьовування компаратора 6 протилежної полярності. Сигнал з елемента НІ 6 надходить і на другий керуючий вхід комутатора 10. При цьому починають спрацьовувати ключі другий і шостий, четвертий і восьмий. Інтегратор 4 інтегрує у зворотному напрямку. На виході елемента НІ 6 формуються імпульси, частота яких пропорційна добутку сигналів з датчика 2 струму та датчика 1 напруги. Ці імпульси надходять на відліковий пристрій 8, де здійснюється підрахунок електричної потужності.
Зміна напруги з датчика 2 струму на вході інтегратора 4 за рахунок комутації ключів комутатора 10 і зміни полярності вхідної напруги дозволила компенсувати напругу зміщення і його дрейф як у помножувача З так й в інтеграторі 4. А зміна порога спрацьовування компаратора 5 через вузол 7 зворотного зв'язку дозволила установити поріг спрацювання різної полярності, що дало можливість компенсувати напругу зміщення компаратора 5, і, таким чином, підвищити точність.
Текст
Винахід відноситься до технології вирощування кристалів, зокрема до обладнання, і може бути використаний при одержанні об'ємних монокристалів корунду. Відома підставка тигля із графіту [1], вн утрішня поверхня якої повторює зовнішню поверхню тигля. Недоліками вказаної підставки є її форма, яка в значній мірі впливає на теплові умови в процесі вирощування кристалів (товщина стінок впливає на температуру нагрівника) та неможливість використання при вирощуванні об'ємних монокристалів корунду – α-АІ 2О3 . Більш досконалою є підставка тигля [2] у вигляді корундової (кварцової) труби, розміщеної вертикально у тепловому вузлі ростової установки, верхня частина якої знаходиться в контакті з дном тигля. Недоліком вказаної підставки є неможливість використання її при температурах >2100°С. Найбільш близькою за технічною суттю та досягаємому результату є підставка тигля у вигляді молібденового пустотілого циліндра, розміщеного вертикально у тепловому вузлі ростової установки. Тигель із сировиною установлюють на верхній частині циліндра [3]. Недоліком даної підставки є те, що в процесі експлуатації, при вирощуванні кристалів корунду (t пл=2050°С) видозміненим методом Кіропулоса із молібден-вольфрамових тиглі в, внаслідок малої площі контакту підставки та тигля і пластичності молібден-вольфрамового сплаву при вказаних температурах, дно тигля та його стінки деформуються, таким чином, що тигель набуває гр ушоподібної форми. Деформація тигля скорочує термін його експлуатації, а також змінює теплові умови процесу вирощування, що негативно впливає на якість одержуваних кристалів. У кінцевому підсумку тигель деформується настільки, що з нього неможливо витягти вирощений кристал. Завданням винаходу є продовження терміну експлуатації тигля за рахунок вдосконалення конструкції підставки. Поставлене завдання досягається таким чином, що підставка тигля для вирощування монокристалів корунду (α-АІ2О 3) направленою кристалізацією розплаву, що містить пустотілий циліндр з молібдену або його сплаву, який розміщений вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що на верхній частині циліндра встановлена підставка, що виконана у вигляді диска із конусоподібною або сферичною виїмкою у верхній частині, при цьому глибина виїмки менша половини товщини диска, а діаметр виїмки менший від зовнішнього діаметра тигля, причому відношення діаметра диска до діаметра дна тигля становить 0,75÷1,0. Порівняльний аналіз із прототипом показує, що наявність під дном молібден-вольфрамового тигля дископодібної підставки, відношення діаметра якої до діаметра дна тигля складає 0,75÷1,0, має ряд істотних переваг, а саме: дозволяє перерозподілити як величину, так і напрям сил, що діють на нього від центральної частини до периферійної. Істотним є також те, що дископодібна підставка у верхній частині має виїмку, діаметр якої більший від зовнішнього діаметра циліндра. При температурах 2000-2100°С внаслідок пластичної деформації під дією ваги розплаву дно тигля прогинається у сферичну виїмку підставки, набуває напівсферичну форму, що сприятливо відображається на характері потоків термогравітаційної конвекції розплаву. Підставку тигля, що заявляється, використовують наступним чином. У тепловому вузлі ростової установки для вирощування монокристалів корунду - α-АІ2 О3 співвісно системі коаксіально розташованих циліндричних відбиваючих екранів розміщують пустотілий циліндр із молібдену, нижня частина якого опирається в систему плоских горизонтальних екранів, розташованих на дні ростової камери, а на верхній частині установлюють підставку дна тигля у формі диска з виїмкою у верхній частині (фіг.1), на якій симетрично відносно вище вказаних екранів та резистивного вольфрамового нагрівника, виконаного у вигляді корзини, розташовують молібден-вольфрамовий тигель із вихідною сировиною. Після екранування тигля та закріплення на штоці затравки проводять відкачку кристалізаційної камери, плавлення сировини та направлену кристалізацію розплаву. Після повної кристалізації розплаву, кристалізаційний вузол охолоджують, ростову камеру заповнюють повітрям або аргоном, відкривають і виймають кристал. В процесі вирощування, внаслідок дії високих температур та твердофазних реакцій, основа може “приварюватись” до дна тигля та підставки. У цьому випадку тигель із основою відділяють від пустотілого циліндра постукуванням по краям тигля. Симетричність фіксації основи відносно дна тигля контролюють візуально. Запропоновану підставку випробовували при вирощуванні монокристалів корунду - α-АІ 2О 3 в установках типу “Омега”. Тигель із дископодібною підставкою під дном, після 10-ти процесів вирощування, зберіг форму стінок при незначній деформації дна (фіг.2) і придатний для подальшої експлуатації. Суттєвим є те, що дископодібна основа, під дном тигля, у верхній своїй частині має конусоподібну або напівсферичну виїмку заданих розмірів; остання забезпечує перерозподіл як величини, так і напряму сил, що діють на дно та стінки тигля. Відношення діаметра підставки до діаметра дна тигля також відіграє істотну роль. Так, якщо це відношення менше 0,75, то підставка стає меншою від внутрішнього діаметра тигля, а її краї перестають бути опорою для стінок тигля. Недоцільно також, щоб відношення діаметра підставки до діаметра дна тигля перевищувало 1,0, оскільки це призводить до перевитрат матеріалів молібдену, вольфраму або їх сплаву, а також обмежується внутрішнім діаметром вольфрамового нагрівника, який використовується при вирощуванні монокристалічного корунду видозміненим методом Кіропулоса. Позитивним ефектом винаходу є значне (у 2-3 рази) продовження терміну служби тиглів із молібденвольфрамового сплаву. Запропонована підставка тигля придатна при вирощуванні об'ємних монокристалів корунду - α-АІ 2О3 в промислових масштабах. Джерела інформації: 1. Нашельский А.Я.. Монокристаллы полупроводников. Москва.: Ме таллургия, 1978, с.160. 2. Вильке К.-Т. Выращивание кристаллов. Ленинград.: Недра, 1977, с.423. 3. Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук’янчук О.Р., Машков А.І., Пекар Я.М., Цифра В.І. Промислове вирощування монокристалів сапфіру видозміненим методом Кіропулоса. - Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2000, №6, с.221-240. - прототип.
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюThe crucible support for growing corundum single crystals
Автори англійськоюBletskan Dmytro Ivanovych, Pekar Yaroslav Mykhailovych
Назва патенту російськоюПодставка тигля для выращивания монокристаллов корунда
Автори російськоюБлецкан Дмитрий Иванович, Пекарь Ярослав Михайлович
МПК / Мітки
МПК: C30B 31/00
Мітки: вирощування, корунду, підставка, тигля, монокристалів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-69596-pidstavka-tiglya-dlya-viroshhuvannya-monokristaliv-korundu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Підставка тигля для вирощування монокристалів корунду</a>
Попередній патент: Корпус апарата
Наступний патент: Спосіб переробки меланжів-окисників ракетного палива
Випадковий патент: Ємність для зберігання напоїв