Спосіб отримання термостабільної багатошарової плівки hfb2-hfo2

Реферат: Спосіб отримання термостабільної багатошарової плівки HfB2-HfO2 включає ВЧ-магнетронне розпилення з наступним її відпалом. Отримання багатошарової термостабільної плівки HfO2HfB2 здійснюють в умовах атмосфери печі. UA 77012 U (54) СПОСІБ ОТРИМАННЯ ТЕРМОСТАБІЛЬНОЇ БАГАТОШАРОВОЇ ПЛІВКИ HfB2-HfO2 UA 77012 U UA 77012 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Корисна модель належить до галузі техніки, а саме до технології нанесення зносостійких та інших покриттів на основі боридів перехідних металів на металеві поверхні у вакуумі та їх високотемпературний відпал у атмосфері при температурі 1000 °C, що захищає плівку від проникнення кисню і може знайти застосовується в машинобудуванні для зміцнення інструмента і захисту його від руйнування при високих температурах, супроводжуючих процес різання. Відомий спосіб одержання захисного оксидного шару Сr 2O3 на плівці CrN, який полягає в тому, що відпал плівки нітриду хрому проводять у вакуумі в атмосфері газів Ar/О 2 при температурі 825 °C. Відпал в атмосфері нітрідних покриттів у порівнянні з вакуумним характеризуються зниженням температурної стабільності до 500…600 °C, вище якої спостерігаємо формування оксидів у конденсаті, що призводять до руйнування плівкового покриття. Таким чином відбувається часткове руйнування фази нітриду металу MeN у нанокомпозиті [1]. Відомий також спосіб отримання термостабільної багатошарової плівки, вибраний як найближчий аналог, що включає отримання плівки CrN методом ВЧ-магнетронного розпилення з наступним її високотемпературним відпалом, при якому оксидний захисний шар Сr2O3 формується при вакуумному відпалі в атмосфері суміші газів Ar/О 2 [2]. Загальними суттєвими ознаками відомого способу і заявленого є отримання плівки методом ВЧ-магнетронного розпилення з наступним її відпалом при температурах до 1000 °C. Недоліком відомого способу є те, що необхідно додержуватись вакууму і процентного співвідношення в суміші газів Ar/О2, точний контроль цих параметрів, який призводить до того, що ймовірність отримання заздалегідь очікуваних результатів є дуже низькою. В основу корисної моделі поставлена задача удосконалення способу відпалу плівки диборидів перехідних металів шляхом одержання термостабільної плівки, а також одержання підвищеної стійкості покриття за рахунок високотемпературного відпалу при температурі 1000 °C. Поставлена задача вирішується за рахунок того, що отримання багатошарової термостабільної плівки HfO2-HfB2 здійснюється в діапазоні температур 600…1000 °C в умовах атмосфери печі. Приклад здійснення способу. Плівки діборидів гафнію в різних структурних станах були отримані на підкладках з нержавіючої сталі 12Х18Н9Т методом ВЧ-магнетронного розпилення. Відпал здійснювався в печі СНВЕ-1.3.1/16 при температурі 600…1000 °C з кроком в 100 °C протягом 1 години. Товщина оксидного шару змінювалася від 100 до 600 нм. Дослідження фазового складу і структурні дослідження проводилися на рентгенівському дифрактометрі ДРОН-3М у фільтрованому випромінюванні Сu-К. Зйомки дифракційних спектрів здійснювали в поточковому режимі з кроком сканування 20=0,1. Застосування пропонованого способу дозволяє отримувати багатошарове покриття HfO2HfB2 без використання суміші газів та високого тиску, що значно спрощує процес формування оксидного шару. Джерела інформації: 1. Погребняк А.Д., Шпак А.П., Азаренков Н.А., Береснев В.М. Структура и свойства твѐрдых и сверхтвѐрдых нанокомпозитных покрытий // УФН. 2009. т. 179, №1. с. 32-64. 2. Р.Н. Mayrhofer, H. Willmann, С. Mitterer. Oxidation kinetics of sputtered Cr-N hard coatings // Surf, and Coat. Technol. 2001. V. 146-147. P. 222-228. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 50 Спосіб отримання термостабільної багатошарової плівки HfB2-HfO2 методом ВЧ-магнетронного розпилення з наступним її відпалом при температурах до 1000 °C, який відрізняється тим, що отримання багатошарової термостабільної плівки HfO2-HfB2 здійснюють в діапазоні температур 600…1000 °C в умовах атмосфери печі. Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1