Спосіб отримання плівки inn на підкладці з поруватого шару inp

Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP, що здійснюють методом радикало-променевої епітаксії, який відрізняється тим, що плівку InN отримують методом радикалопроменевої епітаксії у потоці чистого аміаку при температурі 300-400°С протягом 1,5 години на підкладках поруватого фосфіду індію, отриманого електрохімічним травленням. (19) (21) u201006056 (22) 19.05.2010 (24) 25.11.2010 (46) 25.11.2010, Бюл.№ 22, 2010 р. (72) СИЧІКОВА ЯНА ОЛЕКСАНДРІВНА, КІДАЛОВ ВАЛЕРІЙ ВІТАЛЬОВИЧ, СУКАЧ ГЕОРГІЙ ОЛЕКСІЙОВИЧ, БАЛАН ОЛЕКСАНДР СЕРГІЙОВИЧ, КОНОВАЛЕНКО АНАТОЛІЙ АНАТОЛЬОВИЧ (73) СИЧІКОВА ЯНА ОЛЕКСАНДРІВНА 3 рохімічного травлення та нарощування плівки InN епітаксією. Епітаксію здійснюють радикалопроменевим методом при температурі 300-400°С. Плівки поруватого фосфіду індію отримуються методом електрохімічного травлення в розчині соляної кислоти (5%) у темряві при проходженні постійного струму щільністю 150мА/см2 протягом 10хв або в розчині плавикової кислоти (HF:H2O:C2H5OH=1:1:1), щільність струму 80мА/см2, час травлення - 5хв. Після травлення зразки проходять процес очищення етанолом, водою та ацетоном і просушуються в потоці азоту протягом 15хв. На Фіг.1 (а, б) наведено приклади поруватих шарів фосфіду індію отриманих анодизацією. Отримання плівок InN на поруватих підкладках методом нитридизації представлено на Фіг.2. Як атомарний азот використовується особливо чистий аміак, який проходить через високочастотний розряд, у результаті чого утворюється атомарний азот, який являється хімічно активним. Потік атомарного азоту потрапляє на кристал фосфіду індію (температура зразка 400°С, час експерименту 1,5год) в результаті чого відбувається процес конвертації поверхневих шарів на поверхні поруватого ІnР виникають тонкі плівки InN. Так, згідно з результатами скануючої електронної мікроскопії (на сколі), було отримано плівку InN товщиною 1,2мкм (Фіг.3). За кімнатної температури у спектрі фотолюмінісценції плівок нітриду індію відмічається інтенсивна фотолюмінісценція з максимумом близько 0,75еВ (Фіг.4), що добре узгоджується з відомим значенням (0,7еВ). Результати структурного аналізу за допомогою дифрактометричних досліджень свідчать про високу 54800 4 кристалічну якість, методом EDAX було встановлено хімічний склад отриманих нітрид них плівок. Аналіз цих результатів показує, що на поверхні формується стехіометрична плівка InN (Фіг.5). Таким чином, було розроблено спосіб отримання плівок InN на поруватих шарах ІnР. Отримання матеріалів, що мають робочий діапазон у області високих частот, до того ж економічно дешевим методом, яким є запропонований спосіб, є вирішенням однієї з найважливіших задач сучасної оптоелектроніки. Перелік фігур креслення: Фіг.1. Морфологія поруватого фосфіду індію, отриманого за допомогою скануючого електронного мікроскопу моделі JSM-6490: а) розчин HF:Н2О:С2Н5ОН=1:1:1, щільність струму 80мА/см2, час травлення - 5хв, б) розчин 5% НСl при проходженні постійного струму щільністю 150мА/см2 протягом 10хв. Фіг.2. Принципова схема для отримання плівок InN на поруватих підкладках фосфіду індію методом радикало-променевої епітаксії (1) генератор НВЧ (надвисокої частоти) (2) джерело напруги для підігріву зразків (3) поруваті зразки У якості високовакуумного насосу використовується турбомолекулярний насос ВМН-150М. Фіг.3. Плівка нітриду індію, вирощена методом радикало-променевої епітаксії на підкладці поруватого фосфіду індію. Фіг.4. Спектр фотолюмінісценції плівки InN. Фіг.5. Хімічний склад плівки нітриду індію, отриманий за допомогою методу енергодисперсійного аналізу рентгеновських променів (EDAX). 5 54800 6 7 Комп’ютерна верстка А. Рябко 54800 8 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601