Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4
Номер патенту: 96535
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович
Формула / Реферат
Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.
Текст
Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками. (19) (21) a201012680 (22) 26.10.2010 (24) 10.11.2011 (46) 10.11.2011, Бюл.№ 21, 2011 р. (72) КОЗЬМА АНТОН АНТОНОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, ПЕРЕШ ЄВГЕН ЮЛІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ (73) ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ" (56) UA 91653 С2, 10.08.2010 UA 53638 U, 11.10.2010 3 (Фіг.2) із теоретично розрахованою дифрактограмою за літературними даними для сполуки Tl9BiSe6 (Фіг.3 [2]), а також відповідна термограма, що характеризується на кривій нагрівання одним чітким ендотермічним ефектом при 790 К. Термоелектричні властивості досліджували методом Хармана в температурному інтервалі 300-600 К на полікристалічних зразках у формі паралелепіпеда (а=3,5-3,7 мм, b=5,3-5,5 мм, с=9,12-9,3 мм). як зразки використовували синтезовані однотемпературним методом з тернарних селенідів тверді розчини, які подрібнювали в порошок і просіювали крізь каліброване сито, стандартизоване відповідно до вимог ТУ У-36.6-2210200135-0012003, марки УКС-СЛ з діаметром отворів 0,04 мм. Порошок пресували під тиском 40 МПа. Одержані пресовані зразки додатково відпалювали у вакуумованих кварцових ампулах при 423 К протягом 35 годин. Максимальні значення термоелектричної доб-3 -1 ротності складали 2,75 2,90×10 К (Табл., Фіг.1) в інтервалі температур 450-590 К, що суттєво перевищує аналогічні показники для окремих зразків Tl9BiSe6 і Tl4SnSe4 [1, 3]. Застосування сплаву Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 як робочого елемента термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізикотехнічними, так і економічними характеристиками. Винахід може бути використаний в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні додаткових 96535 4 джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах. Таблиця Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі Тl9BiSe6-Tl4SnSe4 Сполука/сплав Tl4SnSe4 Tl8,975Bi0,995S0,020Se5,990 Tl9BiSe6 -3 -1 ZT×10 , К 0,10 (425 К) 2,75 2,90 (450-590 К) 1,40 1,54 (520-590 К) Джерела інформації: 1.Wolfing В., Kloc С., Ramirez A., BucherE.Thermoelectric properties of the compounds TІ9-X-Q6 (X=antimony, bismuth; Q=selenium, tellurium) // 18th International Conference on Thermoelectrics. Baltimore, MD, USA, 08-09/02/1999. - P. 546-549. - ПРОТОТИП 2. Козьма А.А., Переш Є.Ю., Барчій І.Є., Цигика В.В. Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl2Se-SnSe2-Bi2Se3 // Укр. хім. журнал. - 2010. - Т. 76, №4. - С. 80-84. 3. Малаховська Т.О., Глух О.С., Сабов М.Ю., Барчій І.Є., Переш Є.Ю. Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl4SnS4(Se4) та Tl2SnS3(Se) // Укр. хім. журнал. - 2009. - Т. 75, №5. - С. 25-27. 5 Комп’ютерна верстка А. Рябко 96535 6 Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюthermoelectric material based on solid solution in tl9bise6-tl4snse4 system
Автори англійськоюKozma Anton Antonovych, Barchii Ihor Yevheniiovych, Peresh Yevhen Yuliiovych, Sabov Marian Yuriiovych, Betsa Volodymyr Vasyliovych, Tsyhyka Volodymyr Vasyliovych
Назва патенту російськоюТермоэлектрический материал на основе твердого раствора в системе tl9bise6-tl4snse4
Автори російськоюКозьма Антон Антонович, Барчий Игорь Евгеньевич, Переш Евгений Юлиевич, Сабов Марьян Юрьевич, Беца Владимир Васильевич, Цигика Владимир Васильевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 35/14
Мітки: розчину, термоелектричний, твердого, матеріал, тl9вise6-tl4snse4, системі, основі
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-96535-termoelektrichnijj-material-na-osnovi-tverdogo-rozchinu-v-sistemi-tl9vise6-tl4snse4.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4</a>
Попередній патент: Спосіб і пристрій для перетворення віртуальних ресурсів у фізичні ресурси в системі бездротового зв’язку
Наступний патент: Динамічне призначення асk-ресурсу в системі бездротового зв’язку
Випадковий патент: Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках