Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками. (19) (21) u201012678 (22) 26.10.2010 (24) 25.05.2011 (46) 25.05.2011, Бюл.№ 10, 2011 р. (72) КОЗЬМА АНТОН АНТОНОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, ПЕРЕШ ЄВГЕН ЮЛІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ 3 59606 ралелепіпеда (а=3,5-3,7мм, b=5,3-5,5мм, с=9,29,3мм). В якості зразків використовували синтезовані однотемпературним методом з тернарних селенідів тверді розчини, які подрібнювали в порошок і просіювали крізь каліброване сито, стандартизоване відповідно до вимог ТУ У-36.6-2210200135001-2003, марки УКС-СЛ з діаметром отворів 0,04мм. Порошок пресували під тиском 40МПа. Одержані пресовані зразки додатково відпалювали у вакуумованих кварцових ампулах при 423К протягом 3-5 годин. Максимальні значення термоелектричної доб-3 -1 ротності складали 2,75÷2,90÷10 K (Таблиця, Фіг.1) в інтервалі тщцератур 450-590К, що суттєво перевищує аналогічні показники для окремих зразків Tl9BiSe6 і Tl4SnSe4[1, 3]. Застосування сплаву Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 в якості робочого елементу термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізико-технічними, так і економічними характеристиками. Корисна модель може бути використана в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні Комп’ютерна верстка Н. Лиcенко 4 додаткових джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах. Джерела інформації: 1. Wolfing В., Kloc C, Ramirez A., Bucher E. Thermoelectric properties of the compounds T19-X-Q6 (X= antimony, bismuth; Q=selenium, tellurium) // 18th International Conference on Thermoelectrics. Baltimore, MD, USA, 08-09/02/1999. -P.546-549. ПРОТОТИП 2. Козьма А.А., Переш Є.Ю., БарчійІ.Є., ЦигикаВ.В. Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl2Se-SnSe2-Bi2Se3 // Укр. хім. журнал.- 2010.- Т.76, №4.-С. 80-84. 3. Малаховська Т.О., ГлухО.С, Сабов М.Ю., Барчій І.Є., Переш Є.Ю. Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl4SnS4(Se4) та Tl2SnS3(Se3) //Укр. хім. журнал-2009.-Т.75, №5.С.25-27. Таблиця Сполука / сплав Tl4SnSe4 Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 Tl9BiSe6 Підписне -3 -1 ZT×10 , К 0,10 (425 К) 2,75÷2,90 (450-590К) 1,40÷1,54 (520-590К) Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601