Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, згідно з яким на скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні та орієнтуючі шари і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю з домішкою барвника і герметизують, який відрізняється тим, що на зовнішню сторону однієї з скляних пластин наносять органічний світлодіод.

Текст

Реферат: Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, при якому на зовнішню сторону однієї з скляних пластин наносять органічний світлодіод. UA 68637 U (54) СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ЛАЗЕРА НА ОСНОВІ ХОЛЕСТЕРИЧНОГО РІДКОГО КРИСТАЛА UA 68637 U UA 68637 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Корисна модель належить до способів виготовлення лазера з розподіленим зворотним зв'язком на основі холестеричного рідкого кристала з домішкою барвника, а саме до твердотільних мікроелектронних джерел лазерного випромінювання. Відомий спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, згідно з яким на скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні та орієнтуючі шари і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю з домішкою барвника і герметизують. [Корр, V. І., Fan, В., Vithana, Η. Κ. Μ. and Genack, A. Z. Low-threshold lasing at the edge of a photonic stop band in cholesteric liquid crystals, Optics Letters 23, 21, 1998, pp. 1707-1709]. Однак при такому способі виготовлення лазера для збудження барвника використовується випромінювання іншого лазера, часто Nd:YAG лазера, що збільшує габарити та споживану потужність пристрою. В основу корисної моделі поставлена задача створити спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, який би дозволив за рахунок зміни конструкції істотно зменшити габарити та споживану потужність пристрою. Ця задача досягається тим, що в способі виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, згідно з яким на скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні та орієнтуючі шари і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю з домішкою барвника і герметизують, згідно з корисною моделлю на зовнішній стороні одної з скляних пластин наносять органічний світлодіод. Використання для збудження барвника замість Nd:YAG лазера органічного світлодіода забезпечує зменшення габаритів та споживної потужності корисної моделі, оскільки органічний світлодіод є тонкою (порядку 1 мкм) структурою, нанесеною на зовнішню сторону одної з скляних пластин, a Nd:YAG чи інший лазер є окремим пристроєм, випромінювання якого необхідно спеціально вводити в рідкокристалічну комірку. На кресленні зображено схему способу виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала: 1 - скляні пластини; 2 - провідний шар; 3 - орієнтуючий шар; 4 - холестерична рідкокристалічна суміш; 5 - домішка барвника; 6 - спейсери; 7 - органічний світлодіод; 8 випромінювання органічного світлодіода. Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала полягає у тому, що на одній із скляних пластин 1 з зовнішньої сторони наносять органічний світлодіод 7, а на внутрішні сторони двох скляних пластин 1 послідовно наносять провідні 2 та орієнтуючі 3 шари. Простір між скляними пластинами 1, товщину якого задають спейсерами 6, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю 4 з домішкою барвника 5 і герметизують. За рахунок накачки випромінюванням органічного світлодіода, флуоресценції розчиненого в рідкому кристалі барвника та ефекту брегівського відбивання світла в шарах рідкого кристала відбувається генерація лазерного випромінювання. Довжина хвилі лазерної генерації задається властивостями розчиненого в рідкому кристалі барвника та значенням кроку холестеричної рідкокристалічної спіралі. Випромінювання 8 органічного світлодіода 7 вводиться в рідкокристалічну комірку через зовнішню сторону скляної пластини 1, провідний 2 та орієнтуючий 3 шари. Лазерне випромінювання, що генерується в комірці, виходить через орієнтуючий 3, провідний 2 шари іншої скляної пластини 1. Спектр випромінювання світлодіода 7 вибирається відповідно до положення спектра поглинання домішки барвника 5, розчиненого в холестричній рідкокристалічній суміші 4, та положення фотонної забороненої зони холестеричної рідкокристалічної суміші 4 з домішкою барвника 5. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 50 55 Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, згідно з яким на скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні та орієнтуючі шари і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю з домішкою барвника і герметизують, який відрізняється тим, що на зовнішню сторону однієї з скляних пластин наносять органічний світлодіод. 1 UA 68637 U Комп’ютерна верстка Л. Купенко Державна служба інтелектуальноївласності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Manufacturing method for laser on the base of cholesteristic liquid crystals

Автори англійською

Hotra Zenon Yuriiovych, Mykytiuk Zinovii Matviiovych, Fechan Andrii Vasyliovych, Sushynskyi Orest Yevhenovych, Yasynovska Olha Yosypivna, Varanytsia Andrii Vasyliiovych

Назва патенту російською

Способ изготовления лазера на основе холестерического жидкого кристалла

Автори російською

Готра Зенон Юрьевич, Микитюк Зиновий Матвеевич, Фечан Андрей Васильевич, Сушинский Орест Евгеньевич, Ясиновская Ольга Иосифовна, Вараница Андрей Васильевич

МПК / Мітки

МПК: G02F 1/13

Мітки: рідкого, основі, лазера, виготовлення, кристала, спосіб, холестеричного

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-68637-sposib-vigotovlennya-lazera-na-osnovi-kholesterichnogo-ridkogo-kristala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала</a>

Подібні патенти