Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах позитивних халькогенідних резистів

Реферат: Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від Tg-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проекції на резист зображення відповідного фотошаблона чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення резисту в безводному органічному травнику на основі амінів. Експонування і селективне травлення халькогенідного резисту здійснюють послідовно. UA 100965 U (12) UA 100965 U UA 100965 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до літографії і стосується виготовлення літографічних масок на поверхні напівпровідникових чи діелектричних пластин в мікроелектронному чи оптичному виробництві, а також формування за допомогою інтерференційної літографії рельєфно-фазових періодичних структур для використання їх в інтегральній оптиці, сенсорній та лазерній техніці, голографії тощо. За своєю суттю корисна модель належить до способів здійснення літографічних процесів за допомогою неорганічних резистів на основі шарів халькогенідних стекол (ХС). Халькогенідні резисти характеризуються високою роздільною здатністю, широкою спектральною областю світлочутливості і можливістю нанесення на підкладки складної форми. Такі резисти можуть бути нанесені за допомогою вакуумного осадження, тобто в одному циклі з нанесенням функціональних шарів в мікроелектронному виробництві. В результаті експонування електромагнітним або корпускулярним випромінюванням властивості термічно осаджених у вакуумі плівок халькогеніду суттєво міняються, зокрема змінюються їх оптичні, механічні характеристики, розчинність в хімічних травниках. Фотостимульовані зміни в таких плівках мають дві компоненти: реверсивну та нереверсивну [1]. Використання халькогенідних плівок як фоторезистів пов'язано саме з нереверсивною зміною їх розчинності [2]. Нереверсивні фотостимульовані зміни в халькогенідних резистах пов'язані з фотостимульованими структурними змінами осаджених у вакуумі шарів халькогенідів. В результаті освітлення чи відпалу відбувається полімеризація молекулярних груп в основну матрицю халькогенідного скла і кількість гомополярних зв'язків та пустот зменшується, що і приводить до зміни фізико-хімічних властивостей плівки, зокрема і розчинності. В залежності від складу плівки та типу використаного розчинника можна отримати різну величину селективності, тобто відношення швидкостей розчинення експонованих та неекспонованих ділянок плівки. Як правило, в халькогенідах спостерігається травлення негативного типу, тобто коли експоновані ділянки розчиняються повільніше, ніж неекспоновані. В патенті [2] описано традиційний метод фотолітографії з використанням плівок халькогенідів як фоторезистів. Він включає вакуумне нанесення фоторезисту за допомогою термічного випаровування, експонування (в установці проекційного чи контактного експонування) та післяекспозиційне селективне травлення. В результаті формується літографічна маска, через яку можливо обробляти матеріал підкладинки. Основними критеріями при виборі травників для резистних шарів ХС є висока селективність і хороша якість травленої поверхні. Досить високу селективність (100) і хорошу якість травленої поверхні забезпечують безводні органічні травники на основі етилендіаміну і етилового спирту [6], або метиламіну і етилового спирту [7], етилендіаміну і диметилформаміду [8], етилендіаміну, ацетону і диметилсульфоксиду [9-11]. Всі ці селективні травники є травниками негативного типу. Вони дозволили реалізувати процес інтерференційної літографії з використанням халькогенідних фоторезистів (патенти [9], [11], [12], [13]). Цей технологічний процес включає вакуумне нанесення фоторезисту за допомогою термічного випаровування, експонування (однократне чи двократне) інтерференційним світловим полем, сформованим шляхом накладання когерентних пучків лазерного випромінювання, та післяекспозиційне селективне травлення. В результаті формується періодична рельєфна структура, яку можна використовувати як голографічні оптичні елементи, захисні голограми, елементи інтегральної оптики та ін. Однак описані способи реалізації процесу фотолітографії на шараххалькогенідного резисту характеризуються певними недоліками. Термічно осаджені плівки халькогенідів містять дефекти, пори, обірвані зв'язки, які створюють дефекти і в літографічній масці. Більш однорідними та значно менш дефектними є плівки, відпалені при температурі, близькій до температури розм'якшення халькогенідного скла. Однак в традиційному способі літографії такі плівки є нечутливими і на них неможливо сформувати літографічну маску чи рельєфну структуру за допомогою інтерференційної літографії. Також нечутливими є плівки халькогенідів миш'яку, які осаджені на підкладинку за допомогою електронно-променевого випаровування, лазерного чи високочастотного магнетронного розпилення у вакуумі, хоча такі способи осадження забезпечують меншу дефектність плівок. Крім того, достатньо висока селективність травлення (тобто світлочутливість фоторезиста) спостерігається лише в халькогенідних плівках на основі миш'яку - складу As-S, As-Se та As-SSe. Наявність токсичних сполук миш'яку в складі фоторезистів суттєво обмежує їх використання. Плівки на основі халькогенідів германію, які мають переваги перед сполуками миш'яку з екологічної точки зору, мало чутливі і для їх використання як резистів необхідно нанесення додаткового шару срібла, що значно ускладнює технологічний процес [3]. 1 UA 100965 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Як найближчий аналог вибрано спосіб запису рельєфно-фазових періодичних структур, описаний в [14], який позбавлений перелічених вище недоліків. Він полягає в тому, що процес формування літографічних масок або рельєфно-фазових періодичних структур на шарах неорганічного халькогенідного фоторезисту починається з його нанесення на підкладинку. Далі плівки халькогенідного фоторезисту відпалюють протягом 1-3 годин при температурі від T g-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду. Потім здійснюють експонування фоторезисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проекції на фоторезист зображення відповідного фотошаблона чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення фоторезисту в безводному органічному травнику на основі амінів, причому експонування і селективне травлення здійснюють одночасно. В цьому процесі травники негативної дії розчиняють освітлені місця плівки халькогеніду - тобто діють як позитивні травники. Як халькогенідні фоторезисти можуть використовуватись бінарні або потрійні сполуки халькогенідів миш'яку, а також екологічно прийнятні халькогеніди германію. Нанесення халькогенідних фоторезистів здійснюють у вакуумі за допомогою термічного або електроннопроменевого випаровування, лазерного чи високочастотного магнетронного розпилення, або ж шляхом осадження на підкладинку із розчинів. Недоліком цього способу полягає є складність його практичної реалізації. Так як ефективне фототравлення стимулюється достатньо короткохвильовим випромінюванням, яке частково поглинається травником, то в процесі фототравлення товщина шару травника над пластиною з фоторезистом повинна складати не більше 1,5-2 мм, що призводить до швидкого насичення травника і сповільнення процесу. Крім того, при експонуванні можлива конвекція травника, що призводить до спотворення маски, особливо для субмікронних розмірів елементів. Ще більші складності виникають при спробі реалізувати імерсійну інтерференційну фотолітографію з метою підвищення просторової частоти маски. В цьому випадку в схемі фототравлення виникають додаткові границі розділу між імерсійною рідиною, стінками кювети та травильним розчином, що може спотворювати інтерференційну картину, якою експонується пластина з фоторезистом. В основу корисної моделі поставлено задачу спростити технологічний процес виготовлення за допомогою халькогенідних резистів (в тому числі на основі екологічно прийнятних сполук германію) літографічних масок, а також рельєфних структур і підвищити їх якість внаслідок зменшення імовірності спотворення інтерференційної картини при інтерференційному експонуванні та субмікронних елементів при проекційному та контактному експонуванні. Для вирішення поставленої задачі пропонується реалізувати літографічний процес для формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів за способом, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від T g-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проекції на резист зображення відповідного фотошаблона чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення резисту в безводному органічному травнику на основі амінів, який відрізняється тим, що експонування і селективне травлення халькогенідного резисту здійснюють послідовно. Спосіб відрізняється також тим, що як халькогенідні резисти використовуються бінарні або потрійні сполуки As, Ge, S та Se. Основою для запропонованої корисної моделі є наступні факти, виявлені в процесі досліджень. Після відпалу халькогенідного резисту при температурі, близькій до T g відбувається інверсія селективності розчинення експонованих та неекспонованих ділянок фоторезисту в безводних травниках на основі амінів: на відміну від невідпалених шарів швидше розчиняються експоновані ділянки плівки халькогеніду, тобто реалізується позитивне травлення. Крім того екологічно більш сприйнятливі халькогеніди германію, які в невідпаленому вигляді малочутливі, після відпалу та експонування проявляють позитивне селективне травлення в тих же травниках, що створює можливість теж використовувати їх в літографічному процесі. 2 Відпалені шари халькогенідів мають достатню енергетичну чутливість (0,5-1,5 Дж/см ) для отримання літографічних масок за допомогою наявних промислових установок експонування та джерел когерентного випромінювання. Заявлена корисна модель відрізняється від найближчого аналогу тим, що процеси експонування та позитивного селективного травлення розділені, що суттєво зменшує 2 UA 100965 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 вірогідність виникнення під час експонування вказаних вище спотворень субмікронних елементів літографічної маски чи рельєфної інтерференційної структури. Спосіб ілюструється схемою послідовності виконання технологічних операцій, що використовуються для отримання літографічної маски чи періодичної рельєфно-фазової структури. Фіг. 1. Послідовність виконання технологічних операцій для отримання літографічної маски. На схемі використано наступні позначення: 1 - підкладинка, 2 - адгезивний шар, 3 халькогенідний резист. Зображені на Фіг. 1 фрагменти здійснення способу ілюструють наступне. На поліровану підкладинку 1 методом термічного вакуумного осадження наносять послідовно адгезивний шар 2 та шар резисту 3 (Фіг. 1, а). Далі резист відпалюють при температурі від T g-5 до Tg-15° С, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду. Після цього зразок поміщують в установку проекційної чи контактної фотолітографії і здійснюють експонування (Фіг. 1, б). Експонований зразок поміщається у ванночку із селективним травником на основі амінів, в результаті відбувається селективне розчинення освітлених ділянок халькогеніду, тобто позитивне травлення, і формується літографічна маска (Фіг.1, в). Наступним кроком є травлення адгезивного шару через отриману халькогенідну маску (Фіг. 1, г). В результаті отримуємо подвійну резистивну маску, яка може бути використана для травлення чи інших технологічних обробок підкладинки. Фіг. 2. Послідовність виконання технологічних операцій для отримання періодичної рельєфно-фазової структури. На схемі використано ті ж позначення, що і на Фіг. 1. Такими ж залишаються спосіб нанесення фоторезисту та умови його відпалу (Фіг. 2, а). Після відпалу зразок поміщують у зібрану на віброзахищеній плиті оптичну схему і здійснюють експонування фоторезисту в зоні інтерференційної картини когерентних світлових пучків лазерного випромінювання (Фіг. 2, б). Після інтерференційного експонування також відбувається селективне розчинення освітлених ділянок халькогеніду в результаті чого на поверхні шару 3 формують періодичну 1D рельєфнофазову структуру з заданою умовами експонування просторовою частотою (Фіг.2, в). Спосіб, що заявляється, дає можливість проводити багатократне експонування із поворотом чи зсувом проекційної картини чи інтерференційної картини відносно зразка. Це дає можливість формувати на поверхні фоторезисту складні двовимірні рельєфно-фазові структури чи літографічні маски. На відміну від традиційної літографії з використанням халькогенідних резистів, де селективні травники є негативними, в даному способі розчиняються освітлені ділянки фоторезисту, тобто відбувається травлення позитивного типу, що розширює можливості йоговикористання. Оскільки спосіб реалізується на відпалених шарах халькогенідів, які характеризуються значно меншою дефектністю порівняно з термічно осадженими і невідпаленими плівками, це дозволяє отримувати якісні літографічні маски чи періодичні рельєфно-фазові структури. В даному способі для нанесення плівок халькогеніду також можна використовувати і більш технологічні, в порівнянні з термічним осадженням, методи виготовлення тонких плівок: електронно-променеве випаровування, лазерне чи високочастотне магнетронне розпилення, нанесення на підкладинку із розчинів. Після відпалу при температурі, близькій до температури розм'якшення, властивості всіх плівок халькогенідів наближаються до властивостей халькогенідного скла відповідного складу, незалежно від способу нанесення. Корисна модель належить до галузі сучасних високотехнологічних розробок і може бути використана в мікроелектронному виробництві, а також при виготовленні різних типів періодичних рельєфних структур субмікронних розмірів, що слугують дифракційними елементами в інтегральній оптиці, сенсорній та лазерній техніці. Нижче наведені приклади реалізації запропонованого способу. Приклад 1. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного -3 осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S40Se20 товщиною 100 нм. Потім зразок відпалюють на повітрі при температурі 170 °C протягом 1 години (T g для As40S40Se20 дорівнює 175 °C). Відпалений зразок розміщують в установці контактного експонування та експонують через хромовий фотошаблон з мінімальними розмірами елементів 5 мкм, використовуючи колімоване інтегральне випромінювання ртутної 2 лампи ДРШ-250. При густині потужності випромінювання 0,4 Вт/см час експонування складав 2,5 хвилини. Після експонування здійснюють селективне травлення фоторезиста в травнику на основі безводного розчину етилендіаміну, потім промивання та просушування зразка за допомогою стисненого повітря. В результаті отримують літографічну маску з шару халькогеніду. Наступний етап - травлення хрому в розчині соляної кислоти та формування двошарової маски 3 UA 100965 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 хром-халькогенід. При цьому товщина неосвітлених ділянок фоторезисту не змінилась. Експонування протягом меншого часу не приводить до повного протравлювання халькогеніду. Приклад 2. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного -3 осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S30Se30 товщиною 100 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1 (при цьому мінімальний час експонування, після якого відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 2 хвилин). Температура відпалу становить 170 °C оскільки Tg для As40S30Se30 дорівнює 175 °C, а час відпалу складав 3 години. В результаті отримують двошарову маску хром-халькогенід. Приклад 3. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного -3 осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S20Se40 товщиною 100 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1 (при цьому мінімальний час експонування, після якого відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 3 хвилин). Температура відпалу теж становить 165 °C оскільки Tg для As40S20Se40 дорівнює 170 °C. В результаті отримують двошарову маску хромхалькогенід. Приклад 4. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного -3 осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар Ge25Se75 товщиною 100 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1 (при цьому час експонування, після якого відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 2 хвилин). Температура відпалу становить 375 °C оскільки Tg для Ge25Se75 дорівнює 386 °C. В результаті отримують двошарову маску хром-халькогенід. Приклади 1-4 показують, що швидкість травлення в селективному травнику при однакових умовах експонування залежить від складу халькогеніду. Найбільша швидкість травлення відпалених плівок As40S30Se30 та Ge25Se75. Приклад 5. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного -3 осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 50 нм та шар As40S40Se20 товщиною 100 нм. Потім зразок відпалюють на повітрі при температурі 170 °C протягом 1 години (Tg для As40S40Se20 дорівнює 175 °C). Експонування проводилось за допомогою електронного пучка на установці ZBA-20, яка забезпечує прискорюючу напругу 20 кВ 2 при густині струму в площині об'єкта 0,4-2,0 А/см і дозволяє одержати мікроструктури з -5 -3 мінімальним розміром елементів 0,2 мкм. Дози опромінення змінювались від 2,510 до 110 2 -5 2 Кл/см з кроком 2,510 Кл/см . Для визначення роздільної здатності резисту експонувався рисунок, що складався з окремих ліній різної ширини, а також відповідних їм періодичних мікроструктур. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1. Дослідження -4 2 отриманих мікроструктур показали, що на шарі As 40S40Se20 при дозах (2-5)10 Кл/см відтворювались ізольовані лінії мінімальних розмірів, які забезпечувала установка експонування. Величини порогової і повної чутливості даного резисту до електронного -4 -3 2 опромінення, визначені з характеристичної кривої, складають 110 і 1,2510 см /Кл, відповідно. Коефіцієнт контрастності цього резисту становить 0,77 і є значно меншим, ніж для промислових електронорезистів. Низька контрастність цих резистних матеріалів в поєднанні з високою якістю травлення поверхні в органічних травниках вказує на доцільність їх використання в електронно-літографічних процесах синтезу рельєфно-фазових об'єктів, наприклад кіноформних елементів або елементів дифракційної оптики. В цьому прикладі показана можливість запропонованої корисної моделі отримувати літографічні маски за допомогою електронографії. Приклад 6. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом вакуумного -3 термічного осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар Ge25Se75 товщиною 100 нм. Зразок відпалюють при температурі 380 °C оскільки Tg для Ge25Se75 дорівнює 386 °C. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, проте експонування здійснюють випромінюванням напівпровідникового 2 лазера з довжиною хвилі 410 нм. При густині потужності випромінювання 0,12 Вт/см мінімальний час експонування, після якого відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 3,5 хвилин. Після травлення хрому в розчині соляної кислоти отримують двошарову маску хром-халькогенід. Приклад 7. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного -3 осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар Ge25Se75 товщиною 100 нм. Зразок відпалюють при температурі 375 °C оскільки Tg для Ge25Se75 дорівнює 386 °C. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, 4 UA 100965 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 проте експонування здійснюють випромінюванням напівпровідникового лазера з довжиною 2 хвилі 630 нм. При густині потужності випромінювання 0,14 Вт/см час експонування складав 15 хвилин. Після цього зразок поміщався в селективний травник, як і в попередніх прикладах, однак травлення проекспонованих ділянок халькогеніду не спостерігалось. Приклади 6 та 7 показують, що ефект травлення в селективному травнику відпалених та проекспонованих плівок халькогеніду спостерігається лише в тому випадку (приклад 6), коли експонування здійснюється світлом спектрального складу із області міжзонного поглинання халькогеніду. Приклад 8. На плоску поліровану пластинку, виготовлену з оптичного скла марки К8, -3 методом термічного осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар Ge25Se75 товщиною 150 нм. Зразок відпалюють при температурі 375 °C оскільки Tg для Ge25Se75 дорівнює 386 °C. Експонування здійснюють інтерференційним світловим полем, сформованим двома когерентними пучками випромінювання гелій-кадмієвого лазера з довжиною хвилі 440 нм. Просторова частота інтерференційної картини складала 1370 -1 2 мм . При густині потужності випромінювання 0,005 Вт/см час експонування складав 25 хвилин. Після експонування здійснюють селективне травлення фоторезиста в травнику на основі безводного розчину етилендіаміну, потім промивання та просушування зразка за допомогою стисненого повітря. В результаті отримали періодичну рельєфну структуру на поверхні шару халькогеніду у вигляді дифракційної ґратки із вказаною вище просторовою частотою. Дифракційна ефективність ґратки визначалась як відношення інтенсивності світла, дифрагованого в перший порядок, до інтенсивності падаючого на ґратку пучка в схемі Літтрова. Для довжини хвилі 632 нм дифракційна ефективність в неполяризованому світлі становила біля 55 %. Періодична структура, отримана згідно з способом, описаним в найближчому аналогу [14], має дифракційну ефективність біля 30 %. Приклад 9. На плоску поліровану пластинку, виготовлену з оптичного скла марки К8, -3 методом термічного осадження у вакуумі 2,510 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар Ge25Se75 товщиною 150 нм. Зразок відпалюють при температурі 375 °C оскільки Tg для Ge25Se75 дорівнює 386 °C. Зрізану призму, виготовлену із оптичного скла марки К8 розміщують поверх шару фоторезисту і за допомогою імерсійної рідини з показником заломлення 1,58 забезпечують оптичний контакт між фоторезистом та полірованою гранню призми. Потім зразок разом з призмою розміщують в оптичній схемі для запису інтерференційного світлового поля. Експонування здійснюють через бокові грані призми інтерференційним світловим полем, сформованим двома когерентними пучками випромінювання гелій-кадмієвого лазера з довжиною хвилі 440 нм. При густині потужності 2 випромінювання 0,003 Вт/см час експонування складав 30 хвилин. Після експонування здійснюють селективне травлення фоторезиста в травнику на основі безводного розчину етилендіаміну, потім промивання та просушування зразка за допомогою стисненого повітря. В результаті отримали періодичну рельєфну структуру на поверхні шару халькогеніду у вигляді -1 дифракційної ґратки із просторовою частотою 4700 мм та формою профілю штрихів близькою до синусоїдальної. Визначення морфологічних параметрів отриманих зразків проводилось за допомогою мікроскопа атомних сил Dimension 3000 Scanning Probe Microscope фірми Digital Instruments. Дифракційна ефективність ґратки визначалась як відношення інтенсивності світла, дифрагованого в перший порядок, до інтенсивності падаючого на ґратку пучка в схемі Літтрова. Для довжини хвилі 514 нм дифракційна ефективність в неполяризованому світлі становила біля 40 %. В прикладах 8-9 показана можливість запропонованої корисної моделі формувати високочастотні рельєфно-фазові дифракційні структури за допомогою інтерференційної літографії та імерсійної інтерференційної літографії, причому розділення процесів експонування та позитивного селективного травлення суттєво зменшує в порівнянні з найближчим аналогом спотворення субмікронних елементів літографічної маски чи рельєфної інтерференційної структури, що дозволяє отримувати періодичні структури з вищою дифракційною ефективністю (приклад 8). Таким чином, наведені приклади демонструють, що спосіб, який заявляється, дозволяє виготовлення з допомогою халькогенідних резистів (в тому числі на основі сполук германію) літографічних масок, а також періодичних високочастотних рельєфних структур, і підвищує їх якість внаслідок зменшення імовірності спотворення інтерференційної картини при інтерференційному експонуванні та субмікронних елементів при проекційному та контактному експонуванні. 5 UA 100965 U 5 10 15 Джерела інформації: 1. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл-полупроводник /И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум и др. - Киев: Наук, думка, 1992. - 240 с. 2. Патент США № 3,762,325, G03F 7/004 (20060101); В41N 1/00, 1973. 3. Патент США № 4,127,414, G03F 1/08 (20060101); G03F 7/004 (20060101), 1978. 4 4. А.с. ЧССР № 239785, МПК G 03 С 1/76, 1984. 4 5. А.с. СССР № 1160483, МПК Н 01 L 21/302, 1985. 5 6. Патент України № 7442, МПК G02B 5/18, 1995. 5 7. Патент України № 4737, МПК G03H 1/18, 1994. 5 8. Патент України № 7443, МПК G03H1/18, G02B5/32, 1995. 5 9. Патент Російської Федерації № 2008285, МПК С 03 С 15/00, 1994. 6 10. Патент України № 34995 А МПК С 03С 15/00, С 03С 23/00, G 03С 1/76, 2001. 6 11. Патент України № 36209 А, МПК G 03Н 1/18, G 02В 5/32, 2001. 6 12. Патент України №4737, МПК G 03Н 1/18, G 02В 5/18, 1994. 7 13. Патент № 87393 України, МПК G03H 1/26; G03G 5/082; G03F 7/00, 2009. 14. Патент України № 99226 UA, МПК G03H 1/00; G03F 7/00; G03G 5/00, 2012. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 20 25 30 1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від T g-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проекції на резист зображення відповідного фотошаблона чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення резисту в безводному органічному травнику на основі амінів, який відрізняється тим, що експонування і селективне травлення халькогенідного резисту здійснюють послідовно. 2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що як халькогенідні резисти використовують бінарні або потрійні сполуки As, Ge, S та Se. 6 UA 100965 U Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 7