Кулюткіна Тамара Фатихівна
Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази
Номер патенту: 103253
Опубліковано: 25.09.2013
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кушнір Костянтин Вадимович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Кононов Алєксандр
МПК: C30B 19/00, H01L 21/208
Мітки: рідкої, квантовими, фазі, структур, точками, вирощування, наногетероепітаксійних, установка
Формула / Реферат:
Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази, що складається з вакуумно-газорозподільної системи, комп'ютеризованої системи автоматики, управління та контролю параметрів процесу, систем електроживлення, технологічної системи, яка включає корпус, піч опору, в якій розміщений кварцовий реактор з металевими кришками, що мають отвори для штоків, технологічне оснащення, яке містить касету для...
Установка для очищення кремнію технічної чистоти
Номер патенту: 98161
Опубліковано: 25.04.2012
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна
МПК: C01B 33/037, C01B 33/02, C01B 33/00 ...
Мітки: кремнію, установка, очищення, технічної, чистоти
Формула / Реферат:
1. Установка для очищення кремнію технічної чистоти у вакуумі або атмосфері інертного газу, яка містить камеру (1) для очищення кремнію, з герметично замкненими дверима, в якій розміщена піч опору (2) з електричними введеннями (3), що забезпечує нагрівання до 1200 °С, тигель (4) з розплавом легкоплавкого металу, введення для штоків для здійснення обертання і переміщення уздовж своїх осей, ємність (5) з множиною отворів для витягання...
Спосіб очищення кремнію технічної чистоти
Номер патенту: 97576
Опубліковано: 27.02.2012
Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Найденкова Марія Владиміровна, Марончук Ігор Ігорович
МПК: C01B 33/037
Мітки: кремнію, спосіб, чистоти, очищення, технічної
Формула / Реферат:
Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, потім здійснюють кристалізацію розчиненого кремнію на поверхні кристалічної затравки, опущеної в одержаний розчин-розплав, витягання отриманого зливка кристалічного кремнію з тигля та його очищення від атомів...
Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок
Номер патенту: 94699
Опубліковано: 10.06.2011
Автори: Марончук Ігор Ігорович, Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна
МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/20 ...
Мітки: наногетероструктур, епітаксійних, масивами, спосіб, вирощування, точок, квантових
Формула / Реферат:
1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру
Спосіб очищення кремнію технічної чистоти
Номер патенту: 94180
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: C01B 33/00
Мітки: спосіб, чистоти, очищення, технічної, кремнію
Формула / Реферат:
Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому на стадії очищення від домішок, металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, здійснюють масоперенесення розчиненого кремнію, кристалізацію його на лицьовій поверхні кристалічної затравки при охолодженні її з тильної сторони в умовах, які дозволяють отримати...
Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти
Номер патенту: 90286
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: C01B 33/02, C01B 33/021, C01B 33/023 ...
Мітки: спосіб, ступеня, алюмотермічний, високого, одержання, чистоти, кремнію
Формула / Реферат:
Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти з діоксиду кремнію SiO2, який включає розміщення в реакторі тигля з легкоплавким металом, нагрів тигля в вакуумі та потоці аргону з одержанням розплаву, введення у розплав алюмінію та діоксиду кремнію, відновлення SiO2 алюмінієм в розплаві легкоплавкого металу до елементарного кремнію, кристалізацію кремнію, відділення одержаних кристалів кремнію від розплаву з наступною...
Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію
Номер патенту: 89661
Опубліковано: 25.02.2010
Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: C01B 33/00, C01B 33/021, C01B 33/02 ...
Мітки: установка, одержання, чистого, зливка, діоксиду, кремнію
Формула / Реферат:
Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію шляхом його алюмотермічного відновлення, яка містить реактор для відновлення кремнію з діоксиду кремнію у вакуумі або середовищі інертного газу, розташовану в реакторі піч (7), тигель (5) для розміщення в ньому розчину кремнію у розплаві легкоплавкого металу, пристрій (9) для постійного перемішування вказаного розчину-розплаву, яка відрізняється тим, що реактор являє собою...
Спосіб очищення металургійного кремнію
Номер патенту: 84653
Опубліковано: 10.11.2008
Автори: Марончук Ігор Ігорович, Марончук Ігор Євгенович, Комар Фідель Леонідович, Кулюткіна Тамара Фатихівна
МПК: C01B 33/021, C01B 33/037, C01B 33/02 ...
Мітки: кремнію, металургійного, спосіб, очищення
Формула / Реферат:
Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...