Спосіб очищення металургійного кремнію

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Марончук Ігор Євгенович, Соловйов Олег Володимирович

МПК: C01B 33/021, C30B 29/06

Мітки: спосіб, очищення, силіцію

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Швець Євген Якович, Пожуєв Володимир Іванович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, монокристалів, кремнію, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...

Номер патенту: 17528

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Тербан Віктор Андрійович, Семенюк Олександр Васильович, Волохов Сергій Олександрович

МПК: C01B 33/158, C01B 33/021

Мітки: спосіб, очищення, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнію, який включає механічну обробку кремнієвмісної шихти, видалення металевих та неметалевих домішок і видалення вологи шляхом сушіння в середовищі інертного газу, який відрізняється тим, що механічну обробку здійснюють до одержання з шихти порошку, після чого одержаний порошок змішують з водним розчином кислоти, вибраної з НСl та/або Н3РO4, та/або H2SO4, або суміші НСl / Н3РO4, Н3РO4 / H2SO4 та Н3РO4 /НСl/ H2SO4, суміш...

Номер патенту: 61107

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Яремчук Богдан Миколайович, Чуйко Олексій Олексійович, Огенко Володимир Михайлович, Миронюк Іван Федорович

МПК: C09C 1/28, C01B 33/158, C01B 33/18, C01B 33/12

Мітки: високодисперсного, кремнію, діоксиду, спосіб, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення високодисперсного діоксиду кремнію від адсорбованого хлористого водню шляхом обробки зволоженим повітрям при температурі 300-500°С протягом від 40 с до 5 хв. при прямотечійному русі фаз газодисперсного потоку компонентів від зони змішування через зону термообробки до зони відділення очищеного продукту від газів, який відрізняється тим, що неочищений діоксид кремнію вводять через усі зони в зону змішування по осі...

Номер патенту: 73847

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Домашев Євген Дмитрович, Карєлін Владімір Алєксандровіч, Карєлін Алєксандр Івановіч, Абубекєров Равіль Абдурахімович

МПК: C01B 33/10, C01B 33/02, C01B 33/037, C01B 33/021, C01B 9/00, C25B 1/00, C01B 33/03, C25B 1/24

Мітки: спосіб, фторидів, домішок, кисню, відділення, тетрафториду, одержання, кремнію, порошку, високолетких

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання тетрафториду кремнію, що полягає в тому, що здійснюють фторування природних кремнієвмісних концентратів з 97,0 - 99,998 % мас. SiO2 у дві наступні стадії, що протікають незалежно без поділу продуктів реакцій:- на 1-ій стадії фторування проводять у факелі при 1500 - 2000 °С з надлишком елементного фтору 15-20 % мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виводом із процесу нелетких фторидів при 100 - 350°С, а...