C30B 13/26 — перемішування розплавленої зони
Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Номер патенту: 113185
Опубліковано: 26.12.2016
Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Дремлюженко Сергій Григорович, Захарук Зінаїда Іванівна, Фочук Петро Михайлович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Мисевич Ігор Захарович, Раренко Іларій Михайлович, Колісник Михайло Георгійович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович
МПК: C30B 13/02, C30B 1/00, C30B 13/10 ...
Мітки: монокристалів, вирощування, твердих, спосіб, розчинів, cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...
Процес отримання монокристалів in2hg3te6
Номер патенту: 105367
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Дремлюженко Сергій Григорович, Захарук Зінаїда Іванівна, Галочкин Олександр Вікторович, Колісник Михайло Георгієвич
МПК: C30B 1/00, C30B 13/10, C30B 13/12 ...
Мітки: отримання, процес, in2hg3te6, монокристалів
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...