H01L 21/322 — для модифікації їх характеристик, наприклад для утворення внутрішніх дефектів кристалічної решітки

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: G01N 3/08, H01L 21/322

Мітки: матеріалів, пластичної, деформації, напівпровідникових, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/324, H01L 21/322, G01N 3/18 ...

Мітки: деформацій, одновісних, характеристик, тіл, дослідження, пристрій, твердих, електрофізичних, створення

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Номер патенту: 101705

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович

МПК: H01L 21/322

Мітки: створення, наноструктур, поверхні, спосіб, германію

Формула / Реферат:

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію, що включає дифузію атомів речовини в полі локальних механічних напружень, який відрізняється тим, що пластину германію обробляють механічним та хіміко-динамічним поліруванням, після чого пластину за кімнатної температури деформують циклами стискання-розвантаження з одночасним ультразвуковим опромінюванням зі створенням наноструктур в області виходу на поверхню дислокаційної півпетлі.

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Євтух Анатолій Антонович, Єфремов Олексій Олександрович, Попов Валентин Георгійович, Костильов Віталій Петрович, Саріков Андрій Вікторович, Клюй Микола Іванович, Рассамакін Юрій Володимирович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: монокристалічному, рекомбінаційно-активних, полікристалічному, кремнії, гетерування, домішок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Марченко Ростислав Іванович, Горбулик Володимир Іванович, Клюй Микола Іванович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: гетерування, рекомбінаційно-активних, кремнії, спосіб, домішок

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...

Номер патенту: 7373

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Кудіна Альбіна Вікторівна, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Рудський Ігор Володимирович, Попов Валентин Георгійович, Думбров Володимир Іванович, Москаль Денис Миколайович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01L 21/322

Мітки: кремнійових, спосіб, геттерування, внутрішнього, пластинах

Формула / Реферат:

Способ внутреннего геттерирования в кремни­евых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухста­дийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения эффектив­ности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечи­вающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...