Спосіб розпилювання кристалів
Номер патенту: 16715
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Горілецький Валентин Іванович, Федько Віталій Федорович, Ейдельман Лев Георгійович, Радкевич Олексій Вікторович
Формула / Реферат
Способ распиловки кристаллов, включающий направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса распиловки и снижения потерь кристалла, нити дополнительно придают колебательное движение в плоскости распиловки с амплитудой 0,5-4 мм и частотой 0,5-4,5 Гц.
Текст
Изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ПК-лазеров, сцинтилляционных, детекторов, акустических эвукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико-механическей промышленности. Целью изобретения является повышение производитель ности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его р а с к р о е . Цель д о с т и г а е т с я тем, что в способе, включающем направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающей ся бесконечной нитью, нити придают колебательные движения в плоскости распиловки с регулируемыми амплитудой и ч а с т о т о й . При этом амплитуду выбирают от 0,5 д а 4 мм, а частоту от 0,5 до 4^5 Гц. 1 табл. Предлагаемое изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИК-лазеров, сцинтилляционных д е т е к т о ров, акустических звукопроводов и других изделии, и может быть использовано в химической, электронной, электротехническей, ядерной и оптикомеханической промышленностью. Целью предлагаемого изобретения является повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое. Способ осуществляется следующим образом. Приводят в движение нить против часовой стрелки, подают воду на вращающуюся нить, сообщают нити колебательные движения с определенной амплитудой и частотой в зависимости от высоты контакта нити с кристалпом, определяемые из таблицы. 36-89 Осуществляют процесс распиловки кристалла. При амплитудах колебательные движений менее 0,5 мм с любой частотой эффект равномерного смачивания нити rie наблюдается. При амплитудах больших 4,0 мм наблюдается понижение производительности процесса распиловки тем больше, чем меньше ч а с т о т а . Для реального использования нецелесообразно использовать амплитуды менее 0,5 мм и более 4 мм, а частоты менее 0,5 Гц и более 4,5 Гц. П р и м е р . Резка кристаллов диаметром до 500 мм проводилась на серийной автоматизированной нитяной пиле, оснащенной датчиком положения нити. При отсутствии контакта нити с кристаллом датчик подает команду, по которой нить подается вперед до соприкосновения с кристаллом, при этом меняется ее геометрическое поло г їр і;.' З 15)1979 жение: отклонение от вертикали. Изным, без колебательных дйижений нити, менение положения нити фиксируется режимом производительность реза уведатчиком, который подает на исполниличилась в 1,5 раза при снижении тельный орган команду "Назад", и как с «потерь на 40%. только нить выпрямляется, вновь поступает команда "Вперед" и т.д. Таким Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я образом, за счет растворения кристалла нить непрерывно продвигается Способ распиловки кристаллов, вперед, совершая колебательные дни- fQ включающий направленное растворение жения в плоскости распиловки, >деркристалла смоченной в воде вращающейся живая нить в положении, близком к бесконечной нитью, о т л и ч а ю вертикальному. щ и й с я тем, что, с целью повышения производительности процесса р а с При распиловке кристалла хлорида калия диаметром 500 мм достигнута 15 пиловки и снижения потерь кристалла, нити дополнительно придают колебапроизводительность процесса распительное движение в плоскости распиловки 950 см 2 /ч, а локальные отклоловки с амплитудой 0,5-4 мм и часнения от проектной плоскости не претотой 0 , 5 - 4 , 5 Гц, вышали 2-3 мм. В сравнении с нормаль_Высота контакта_нити с кристалломх_мм Показатель до 100 ] до 300 I 380 Амплитуда, мм 0,5 Частота, 0,5 Гц 1 1,5 \_Л^ 2 3 2,5 3,5 L^22. 4 4,5 Составитель Г.Афиногенова І^Е-в-АгІ^ііР^Ш11 Корректор М.Иаксимитинец Заказ 18 И/ДСП Тираж 269 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod of sawing crystals
Автори англійськоюHoryletskyi Valentyn Ivanovych, Radkevych Oleksii Viktorovych, Fedko Vitalii Fedorovych, Eidelman Lev Heorhiiovych
Назва патенту російськоюСпособ распиловки кристаллов
Автори російськоюГорилецкий Валентин Иванович, Радкевич Алексей Викторович, Федько Виталий Федорович, Эйдельман Лев Георгиевич
МПК / Мітки
МПК: B28D 5/00
Мітки: спосіб, кристалів, розпилювання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-16715-sposib-rozpilyuvannya-kristaliv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб розпилювання кристалів</a>
Попередній патент: Пристрій для вирощування профільованих монокристалів
Наступний патент: Сцинтиляційний детектор
Випадковий патент: Сполуки карбазолу і терапевтичне застосування вказаних сполук