Спосіб термообробки оптичних елементів із селеніду цинку

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) (51)5 (И) С 30 В 33/00, 29/46 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21)4378161/26 (22)18.02,88 (46)07 05.93. Бюл. N* і7 (72) Л.П.Гальчинецкий, В,Д.Рыжиков, Н Г.Стармсипский и М.Ш.Файнер (56) Карлов Н.В , Сисякии Е.В. Оптические материалы для СО2-лазеров. Известия АН СССР, сер. "Физическая", 1980, т.44, М 8, г с.1631-1638. Авторское свидетельство СССР 14*1111516, кл. С 30 В 33/00. 1982. (54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА (57) Изобретение относится к обработке кристаллов, конкретно селенида цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области. Из кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент. Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара теллура при 1000-1050°С в течение 40-44 ч. Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения подлине волны 10,6 мкмдоЗ,5 • КГ 3 см"1. 1 табл. Изобретение относится к получению материалов, применяемых в электронном приборостроении, лазерной силовой оптике и технике, в лазерной спектроскопии, и может быть использовано, например, при разработке мощных СО2~лаэеров, оптических затворов и модуляторов. Целью изобретения является уменьшение коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области. П р и м е р і. Из кристалла селенида цинка, получением о выращиванием из расплава под давлением аргона, вырезают диски диаметром 25 мм и толщиной 6 мм. Проводят их шлифовку и полировку. Получают оптические элементы диаметром 25 мм и толщиной 5 мм с оптически полированными рабочими поверхностями. Затем оптические элементы помещают в кварцевую ампулу объемом 150 см , в которую добавляют навеску теллура, достаточную для получения насыщенного пара. Ампулу с оптическими элементами _и навеской теллура вакуумируют до 10 J мм pi .ст. и помещают в электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000°С, выдерживают при этой температуре 40 ч, затем печь выключают. После остывания печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываются равными 3 - 10" см" . П р и м є р 2. Процесс проводят, как в примере 1 • но изменяют температуру и длительность термообработки. Полученные данные по коэффициентам поглощения элементов приведены в таблице. Таким образом, из примеров видно, что способ по изобретению позволяет по сравнению с прототипом уменьшить коэффициент оптического поглощения оптических элементов из кристаллов селенидз ixmwa на 1-2 порядка. Способ обеспечивает достижение высокой оптической однородности состава материала, что обусловливается увеличение его лучевой прочности, с 1526303 Формула изобретения Способ термообработки оптических элементов из сепенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, о т л и ч а ю щ и - 5 [Гример Температура термообра• ботки, С й с я тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области, термообработку проводят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050 С в течение 40-44 ч. Длитель Коэффици- • ность термообработки, ч 1-Ю" 1050 4А,0 3-Ю 1100 Редактор ЗОьО 50,0 Не изме ряется А00 • поглощения be длине волны 10,6 мкм, см 950 4 (прототип) Примечание ент оптического Процесс экстракции примеси и рассасывания иеоднородноетеЙ прошел не полностью Процесс экстракции примеси и рассасывания неоднородностей завершился полностью Наблюдается сублимация материала, подплавление краев элементов, ухудшается класс обработки оптических поверхностей 2,5 Составитель В.Безбородова Техред М.Моргентал Корректор Ливринц Заказ 1972 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101