Гамма-, рентгеночутливий діод

1. Гамма-, рентгеночутливий діод, який виконаний у вигляді діода, що має основу з покриттям, на якому розташований контактний електрод, який відрізняє ться тим, що як діод використовують щонайменше один діод Шотткі, основа якого (1) виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар (2) - з матеріалу з шириною забороненої зони, меншою або рівною енергії вторинних фотонів з lс, породжених матеріалом основи, або енергетичними рівнями в забороненій зоні з енергією |Еі-Ес| < Еlс чи (|Еі-Ev| < Еlс). 2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що шар (2), збіднена область (3) та електрод (4) додатково займають бокові стінки сцинтилятора. 3. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що збіднена область (3) й електрод (4) діода Шотткі розділені ізолюючим шаром (8). 4. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що збіднена область (3) й електрод (4) діода Шотткі розташовані на верхній і нижній сторонах основи. U 2 38840 1 3 38840 4 них напівпровідникових матеріалів розташований якому генерація пар ще практично неможлива. в областях спектру від інфрачервоної до ультраШар має високий коефіцієнт поглинання вторинфіолетової. них квантів (див. наведений з [3] малюнок 6.3), де Для уникнення цього недоліку, як правило, випредставлені оптичні характеристики СЕЛДВ користовується складаний прилад, що включає в ZnSe(Te) - ZnTe: l - спектр випромінювання ZnSe(Te); себе сцинтилятор і фото діод для реєстрації люмі2 - спектр фоточутливості стр уктури ZnSe1-xTe x; 3 спектр оптичного пропускання ZnSe(Te); 4 - спектр несцентного випромінювання. Відомий детектор g-, Re-випромінювання, [описаний в патенті США оптичного пропускання ZnSe). Таке поглинання різко знижує чутливість інтегрованого фоточутли200501199819 за 2005р., авт. Wieczorek, Herfried вого елемента, а значить, прототипу в цілості. Karl)] [2]. Цей прилад також вибраний заявником в Задача - створення пристрою для реєстрації якості аналогу. Згаданий пристрій призначений для формуg-, Re – випромінювання, який буде вільний від вання зображення об’єкта при дослідженні його за вказаних недоліків. Технічне рішення поставленої задачі досягадопомогою g-, Re- випромінювання і складається з ється тим, що: сцинтилятора, та матриці фотодіодів, що комуту1. Маючи на меті сполучити в монолітному деються, закріплену на сцинтиляторі за допомогою клейового шару. текторі й конверсію g-, Re- випромінювання у виІстотним недоліком такої конструкції є наявдиме випромінювання і його реєстрацію, заявник ність клейового шару, що приводить до втрат світпропонує, як це показано на Фіг.1, наступну будову ла через трудність точно підібрати коефіцієнт заприладу: сцинтилятор (1), що має також напівпроломлення клею щодо речовин сцинтилятора та відникові властивості і є основою приладу, має фотодіода, що мають різні коефіцієнти заломленобласть (2), з ефективним поглинанням квантів lс ня та забезпечити однорідність пропускання клез утворенням електронно-діркових пар. Ця обйового шару, що позначається на якості зобраласть повинна мати Eg