Пристрій для отримання двошарових структур

Реферат: Пристрій для отримання двошарових структур містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі. Використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин. UA 77224 U (54) ПРИСТРІЙ ДЛЯ ОТРИМАННЯ ДВОШАРОВИХ СТРУКТУР UA 77224 U UA 77224 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до технології тонких напівпровідникових плівок та наноструктур і може бути використана у мікро- і наноелектроніці. Тонкі напівпровідникові плівки, наноструктури та двошарові структури мають широкий спектр використання як ефективні активні елементи у детекторах і джерелах когерентного випромінювання у різних діапазонах довжин хвиль електромагнітного випромінювання, фільтрах і відбиваючих покриттях, тощо. У зв'язку із цим актуальними залишаються технологічні розробки (Фреик Д.М., Галущак М.А., Межиловська Л.Й. Физика и технология полупроводниковых пленок. - Львов: Вища школа, 1988.-152 с.). Для отримання напівпровідникових плівок і наноструктур використовують методи молекулярно-променевої епітаксії (molecular-beam epitaxy, МВЕ), осадження із металоорганічних сполук (metaloorganic vapor phase epitaxy, MOVPE), та інші (Белявський В.Η. Физические основы полупроводниковой нанотехнології // Соросовский образовательный журнал.-1996. - № 10. - с. 92-98.) Відзначені способи отримання напівпровідникових тонких плівок і наноструктур вимагають надзвичайно дорогої технологічної апаратури, прецизійної складної системи керування та спеціальних матеріалів. Найбільш близьким до запропонованої корисної моделі є система мікропічок кільцевого вакуумного нагрівача для отримання тонких плівок: Фреик Д.М., Гайдучок Г.М., Олеськив С.П. Вакуумний секционный электрический нагреватель // Физическая электроника.-1974. - № 8. - с. 129-131. У запропонованому пристрої використовують систему мікропічок із їх нагрівачами до різної температури, що розміщені вздовж кільця, підкладки, випарник із наважкою, заслінку, які розміщуються у вакуумі. Недоліком пристрою є те, що він має обмежені функціональні можливості, так як не дозволяє здійснювати осадження на підкладки двошарових структур в одному циклі. Задачею корисної моделі є розробка пристрою, який би забезпечував отримання двошарових структур у єдиному циклі на окремих підкладках, не розгерметизовуючи вакуумну систему. Поставлена задача вирішується тим, що у пристрої для отримання тонких плівок у відкритому вакуумі використовують систему мікропічок із заданою температурою підкладок Т п, яка може повертатися, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин. Пристрій значно розширює функціональні можливості, так як забезпечує отримання двошарових структур на підкладках у одному циклі при заданих температурах випаровування наважок Тв1 і Тв2 та осадження Т п і регульованому часі осадження, без розгерметизації вакуумної системи, за рахунок повороту системи пічок, розмічених радіально, над нецентральним отвором заслінки. Приклад конкретного використання На фігурі зображена схема пристрою для отримання двошарових структур почерговим випаровуванням наважок із двох випарників у відкритому вакуумі: 1 - система мікропічок; 2 - нагрівники; 3 - радіальні кронштейни; 4 - підкладки для осадження пари; 5 - рухома заслінка; 6 - асиметрично розміщений отвір; 7 - випарники; 8 - механічна система для повороту мікропічок. Пристрій містить наступні конструктивні елементи: система мікропічок (1) із нагрівниками (2), які розміщені по кругу за допомогою радіальних кронштейнів (3); підкладки (4) для осадження пари; рухому заслінку (5) із асиметрично розміщеним отвором (6); механічну систему для повороту мікропічок (8) та два випарники(7) із наважками різних речовин. Запропонований пристрій осадження пари у відкритому вакуумі дає можливість отримати у процесі одного циклу двошарові гетероструктури різної товщини при сталих температурах осадження (Тп=const) і випаровування (Тв1=const, Тв2=const), доступний у реалізації, піддається автоматизації і відзначається доброю повторюваністю результатів. Його можна ефективно використовувати для розв'язання різних задач тонкоплівкового матеріалознавства у вакуумних постах типу ВУП-5К та інших вакуумних установках. 1 UA 77224 U ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 5 Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин. Комп’ютерна верстка І. Мироненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2