Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності
Номер патенту: 18230
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Лисюк Юрій Васильович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах компонентів, який відрізняється тим, що температура відпалу складає 673 К, парціальний тиск пари меркурію змінювали у межах 3.103-3.105Па, час відпалу становить 22-24 год.
2. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності за п.1, який відрізняється тим, що при PHg> 0,9.105Па монокристали мають тільки n-тип провідності при температурі відпалу 673 К.
Текст
1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, 3 18230 4 використовують чистий меркурій і чистий телур, які секційній печі. Одну секцію печі використовують синтезують у трисекційній печі. Одну секцію печі для випаровування меркурію, другу - для випаровикористовують для випаровування меркурію, друвування телуру, середня секція печі являла собою гу - для випаровування телуру, середня секція печі реакційний простір, де пари змішувалися, реагуявляє собою реакційний простір, де пари змішувавали і конденсувалися, утворюючи кристали сполися, реагували і конденсувалися, утворюючи крилуки. Одержані монокристали меркурію телуриду стали сполуки. Одержані монокристали меркурію обробляли двотемпературним відпалом у парах телуриду обробляли двотемпературним відпалом. меркурію. Температуру відпалу кристалів задаваТемпературу відпалу кристалів задавали 673К, ли 673К, парціальний тиск парів меркурію змінюпарціальний тиск парів меркурію змінюється у меється у межах 3·103-3·105Па, а час відпалу станожах 3·103-3·105Па, а час відпалу становить 22вить 22-24год. При парціальних тисках пари 24год. При парціальних тисках пари меркурію меркурію PHg>0,9·105Па одержували матеріал PHg>0,9·105Па одержували матеріал тільки n-типу тільки n-типу провідності для температури відпалу провідності для температури відпалу 673К. 673К. Одержані монокристали телуриду меркурію Приклад конкретного виконання. можуть використовуватись у приладобудуванні, Як вихідні речовини використовували чистий оптоелектроніці для створення бар'єрних структур меркурій і чистий телур, Синтез проводять у трита р-n-переходів. Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for preparing of mercury telluride single crystals of n-type conductivity
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Nykyrui Liubomyr Ivanovych, Tkachyk Oksana Volodymyrivna
Назва патенту російськоюСпособ получения монокристаллов меркурия теллурида n-типа проводимости
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Никируй Любомир Иванович, Ткачик Оксана Владимировна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/02
Мітки: провідності, монокристалів, спосіб, телуриду, отримання, меркурію, n-типу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-18230-sposib-otrimannya-monokristaliv-merkuriyu-teluridu-n-tipu-providnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності</a>
Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності
Номер патенту: 61300
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: p-типу, кадмію, монокристалів, спосіб, отримання, провідності, телуриду
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності
Номер патенту: 65337
Опубліковано: 15.03.2004
Автор: Писклинець Уляна Михайлівна
МПК: C30B 33/00, C30B 31/00
Мітки: cdte:cl, спосіб, провідності, монокристалів, отримання, n-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності
Номер патенту: 65336
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович
МПК: C30B 31/00, C30B 33/02
Мітки: провідності, спосіб, p-типу, отримання, монокристалів, cdte:cl
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...
Спосіб отримання монокристалів cdte:in n- і p-типу провідності
Номер патенту: 61299
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: провідності, спосіб, монокристалів, cdte:in, p-типу, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n- cdte
Номер патенту: 65338
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна
МПК: C30B 31/00, C30B 33/00
Мітки: хлором, спосіб, монокристалів, легованих, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...
Попередній патент: 6-[2-(діетиламіно)етил]-6н-індоло-[2,3-b]хіноксаліни як противірусні агенти та індуктори інтерферону
Наступний патент: Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду p-типу провідності
Випадковий патент: Похідні дипептидів та спосіб їх отримання