Вікулін Іван Михайлович

Номер патенту: 12849

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Пучкова Надія Сергіївна, Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: C03C 14/00, H01C 17/06

Мітки: скло, резисторів, товстоплівкових

Формула / Реферат:

1. Скло для товстоплівкових резисторів, яке містить PbO, SiO2 і Ві2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить CdO і Аl2О3 при наступному співвідношенні компонентів, мас %:PbO                55-65SiO2                20-30Ві2О3                1-3CdO                  4-7Аl2О3                5-10.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після подрібнення (помелу) на планетарному млині воно...

Номер патенту: 69919

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашов Шаміль Джемашевич, Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що виконаний у вигляді напівпровідникової пластини довжиною порядку довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду з р-n переходом на одному кінці та омічним контактом на другому, який відрізняється тим, що на більш широкій стороні пластини розміщений металевий електрод, відділений від пластини діелектриком, причому товщина вузької сторони пластини повинна бути рівна товщині області об'ємного заряду напроти електрода.

Номер патенту: 68538

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Мінгалев Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01L 11/00

Мітки: тиску, оптоелектронний, варіанти, перетворювач

Формула / Реферат:

1. Оптоелектронний перетворювач тиску, що містить циліндричний корпус з торцевою перегородкою у вигляді відбивача, фотоприймач і випромінювач (наприклад світлодіод), розташовані напроти відбивача, який відрізняється тим, що циліндричний корпус виконаний із пружного матеріалу, який деформується під тиском, а відбивач - із твердого матеріалу.2. Оптоелектронний перетворювач тиску, що містить циліндричний корпус з торцевими перегородками,...

Номер патенту: 66535

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павел Юрьевич

МПК: G01R 31/28

Мітки: інтегральних, виявлення, дефектів, схем, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектів інтегральних схем за вольт-амперними характеристиками складових їхніх кіл, який відрізняється тим, що по черзі вимірюються вольт-амперні характеристики всіх можливих пар виходів схеми, потім шляхом порівняння з еталонними вольт-амперними характеристиками визначають дефектні кола, що мають аномальні вольт-амперні характеристики, а дефектний елемент визначають як загальний елемент цих дефектних кіл.

Номер патенту: 57342

Опубліковано: 16.06.2003

Автор: Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітотранзистор

Формула / Реферат:

Магнітотранзистор, що містить область бази, виконану як прямокутний паралелепіпед з напівпровідникового матеріалу першого типу провідності, область емітера другого типу провідності, область омічного контакту до області бази першого типу провідності і області колекторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що область бази виконана  як куб, а області емітера, омічного контакту до бази і колекторів розташовані у вершинах куба,...

Номер патенту: 28034

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Успенський Микола Михайлович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: C02F 1/48

Мітки: води, питної, спосіб, отримання

Текст:

...веществами, обеспечивающими полезную минерализацию воды, являются кальций, бор и фтор. При изменении отверстия диафрагмы, расположенной над поверхностью испарения воды, изменяется количество проходящих через нее молекул указанных ве ществ, что и обеспечивает изменение степени минерализации воды. Достигаемый технический результат (упрощение технологического процесса получения питьевой воды) заключается в том, что устраняется дополнительная...

Номер патенту: 14404

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Вікуліна Лідія Федорівна, Вікулін Іван Михайлович, Прохоров Валерій Анатолійович, Глауберман Михайло Абович, Чирков Вадим Михайлович

МПК: G01L 9/04

Мітки: датчик, тиску

Формула / Реферат:

Датчик давления, содержащий круглую мем­брану, выполненную из монокристалла кремния одного типа проводимости, на которой сформиро­ваны первый и второй полупроводниковые тензочувствительные элементы другого типа проводимости, снабженные омическими контакта­ми, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, первый и второй тензочувствительные элементы выполнены в виде биполярных горизонтальных транзисторов с общим эмиттером, с...

Номер патенту: 14399

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Волошина Наталія Павлівна, Дручин Володимир Степанович, Прохоров Валерій Анатолійович, Ранченко Генадій Степанович

МПК: G01L 9/04, G01L 9/02, G01L 9/00 ...

Мітки: тиску, датчик

Формула / Реферат:

Датчик давления, содержащий монокристал­лическую кремниевую мембрану, на планарной поверхности которой выполнены тензорезисторы с фиксированной глубиной залегания р-n-перехода, при этом тензорезисторы соединены с контак­тными площадками, а планарная поверхность мембраны покрыта слоем двуокиси кремния, отли­чающийся тем, что, с целью повышения точности измерения в условиях воздействия ионизирующе­го излучения, в нем поверхностный слой...

Номер патенту: 14403

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Овчінікова Алла Петрівна, Бухарін Костянтин Костянтинович, Вікулін Іван Михайлович, Нейман Юрій Володимирович, Прохоров Валерій Анатолійович, Ранченко Генадій Степанович

МПК: G01L 9/04

Мітки: спосіб, вимірювання, тиску

Формула / Реферат:

Способ измерения давления интегральным датчиком, заключающийся в термостатировании мембраны датчика с измерительным тензомостом и ее основания с последующим нагружением и ре­гистрацией выходного напряжения измерительно­го тензомоста, по которому определяют величину давления, отличающийся тем, что, с целью повы­шения точности и ускорения процесса измерения за счет сокращения времени выхода датчика на рабочий режим, перед термостатированием...