Спосіб контролю складу складних напівпровідникових з’єднань

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 55342

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Болгов Сергій Семенович, Яблонівській Євгеній Іванович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ контроля состава сложных полупроводниковых соединений, включающий возбуждение люминесценции в полупроводниковой пластине, регистрацию люминесценции, измерение температуры пластины и определение состава, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля для узкозонных соединений при упрощении способа, возбуждение полупроводниковой пластины производят путем помещения ее в скрещенные электрическое и магнитное поля, вектора которых взаимно перпендикулярны и лежат в плоскости пластины, регистрируют интегральный по спектру сигнал отрицательной люминесценции, измеряют максимальные сигналы отрицательной люминесценции при двух фиксированных температурах пластины и по отношению этих сигналов из номограммы для данного типа сложного полупроводникового соединения определяют его состав.

Текст

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля полупроводниковых пластин, используемых для изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение точности контроля для узкозонных соединений при упрощении способа. На чертеже(див. Фиг.) представлена номограмма, связывающая состав сложного соединения CdхHg1-хТе с отношением сигналов отрицательной люминесценции, снятых при двух температурах. Пример 1, Образцы были изготовлены из материала пластины CdхHg1-хТе (х=0,20 - по паспорту) с концентрацией нескомпенсированных доноров 5×1014см -3; образец №1 - из материала центральной части пластины, №2 - из материала у края пластины. Размеры образцов - 3x3 x0,5мм 3. Омические контакты наносили на торцовые грани. Образцы помещали между полюсами электромагнита, а к контактам прикладывали электрическое поле. Положение образца выбирали таким, чтобы векторы электрического и магнитного полей были взаимно перпендикулярны и лежали в плоскости широкой грани образца, с которой наблюдалось излучение. Сигнал отрицательной люминесценции Р0 регистрировался фотоприемником, усиливался и подавался на индикаторное устройство. Для определения состава образцов величину Р0 измеряли при температурах T 1 - 280 К и Т 2 = 330К. Для P0 (330K ) образца №1 величина P0 ( 280K ) составила 2, 4, а для образца №2 - 2,8. Сравнение с номограммой для этих же температур показывает, что образцу №1 соответствует х= 0,20, а образцу №2 - х - 0,22. Пример 2, Образец был выполнен из CdхHg1-хТе с неизвестным соотношением P0 (330K ) Величина P0 ( 280K ) оказалось равной 4, 7, что по номограмме соответствует х=0,28. компонент. Предложенный способ контроля состава сложного полупроводникового соединения, сохраняя техникоэкономическое преимущество способа-прототипа, обладает следующими достоинствами: расширение класса исследуемых материалов в сторону узкозонных сложных полупроводниковых соединений; повышение надежности контроля. Фіг.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Control method of composition of semiconductors multiple connections

Автори англійською

Bolhov Serhii Semenovych, Maliutenko Volodymyr Kostiantynovych

Назва патенту російською

Способ контроля состава сложных полупроводниковых соединений

Автори російською

Болгов Сергей Семенович, Малютенко Владимир Константинович

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/66

Мітки: з'єднань, контролю, складних, напівпровідникових, спосіб, складу

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/1-55342-sposib-kontrolyu-skladu-skladnikh-napivprovidnikovikh-zehdnan.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб контролю складу складних напівпровідникових з’єднань</a>

Подібні патенти