Спосіб термообробки радіаційно-пошкоджених монокристалів дигідрофосфату калію
Номер патенту: 10513
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Сало Віталій Іванович, Соловйов Віктор Давидович, Колибаєва Марія Іванівна
Формула / Реферат
Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым снижением скорости нагрева при температуре, приближающейся к температуре фазового перехода в кристалле, отличающийся тем, что перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям не менее чем тремя слоями металлической фольги со степенью черноты 0,06-0,09, разделенными между собой пористыми прокладками из стекловолокнистого материала, производят ступенчатое снижение скорости нагрева от 3 до 0,3°С/час в интервале температур 20-150°С, 150-175°С, 175-190°С, 190-200°С, а изотермическую выдержку осуществляют при 190-200°С в течение 20-24 часов с последующим равномерным охлаждением до комнатной температуры.
Текст
Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллоа дигидрофосфата калия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым сни жением скорости нагрева при температуре, приближающейся к температуре фазового перехода в кристалле, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям не менее чем тремя слоями металлической фольги со степенью черноты 0,06-0,09, разделенными между собой пористыми прокладками из стекловолокнистого материала, производят ступенчатое снижение скорости нагрева от 3 до 0,3°С/час в интервале температур 20-150°С, 150-175°С, 175-190°С, 190-200°С, а изотермическую выдержку осуществляют при 190-200°С в течение 20-24 часов с последующим равномерным охлаждением до комнатной температуры. Изобретение относится к прикладной кристаллофизике и может найти применение в лазерном приборостроении, основанном на п р и м е н е н и и м о н о к р и с т а л л о в дигидрофосфата калия (КДР). Целый ряд лазерных приборов и систем, укомплектованных и з д е л и я м и из этих кристаллов, предназначен для эксплуатации в условиях воздействия ионизирующей радиации. Длительность и надежность эксплуатации таких приборов лимитируется эффектом накопления в структуро кристаллов повреждений, образование которых приводит к изменению характеристик материала и как основное - к окрашиванию кристаллов,что, в свою очередь, приводит к ухудшению оптических характеристик и снижению лучевой прочности кристаллов. Окрашенные в условиях радиа ц и о н н о г о облучения элементы из монокристаллов КДР заменяются новыми, а старые дорогостоящие кристаллы бракуются. Изыскание возможности неоднократного использования радиационно-поврежденных элементов из монокристаллов КДР представляет в настоящее время весьма актуальную задачу. С целью снятия напряжений и повышения оптической однородности (обесцвечиезния) м о н о к р и с т а л л о в п р о в о д я т их термообработку (отжиг), Наиболее близким по технической сути к данному способу является способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата (21)93090866 (22)16.02.93 (24)25.12.96 (46)25.12,96. Бюл.ї^4 10513 кллия, заключающийся в том, что для улучшения механической и лучевой прочности необлучениый монокристалл КДР помещают в печь и проводят ступенчатый отжиг о интервале температур 20-120°С, 120-150°С, 150-170°С, со скоростями 20-25, 2-4, 0,50.7°С/час соответственно, в области 170195°С со с к о р о с т ь ю 0,2-0,3°С/чэс. Выдерживают при максимальной температуре в течение 14-15 суток. Охлаждение кристаллов производят с теми же скоростями и в тех же интервалах, что и нагрев. Этот способ позволяет повысить величину механической и лучевой прочности в 2-3 раза, но он непригоден ДЛИ радиэционно-поврежденных монокристаллов КДР, т.к. в них поддействием радиации возникают дополнительные поврежденные структуры и концентраторы внутренних напряжений. Кроме того, ионизирующее облучение делает прозрачный монокристалл полупрозрачным и от лучевого теплового потока со стенок печи D кристалле возникают дополнительные температурные напряжения Поэтому при ОТЖИІЄ радиационно-поврежденных монокристаллов КДР по способу происходит за 14-15 суток полное разрушение кристаллической решетки, сопровождающейся растрескиванием кристаллов Задачей изобретения является разработка способа термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия, который обеспечивает восстановление их полной работоспособности путем залечивания радиационных дефектов и повышает лучевую прочность и оптическую однородность. Решение поставленной задачи в изобретении достигается тем, что в способе термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым снижением скорости нагрева при температуре приближающейся к температуре фазового перехода в кристалле, согласно изобретению, перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям но менее чем тремя слоями металлической фольги с низкой степенью черноты, разделенными между собой пористыми прокладками из материала с ьысоким термическим сопротивлением, производят ступенчатое снижение скорости нагрева от 3 до 0,3°С/час в интервале температур 20-150°С, 150-175°С, 175-190°С, 190-200°С, а изотермическую выдержку осуществляют при 190-200°С о течение 20-24 часов с последующим равномерным охлаждением до комнатной температуры. 5 10 15 20 25 30 35 40 Специально проведенные эксперименты показали, что процесс залечивания радиационных дефектов и повышение лучевой прочности и оптической однородности при температуре 190-200°С происходит за время не менее 20-24 часов. Отжиг в течение меньшего времени приводит лишь к частичному повышению оптической однородности, Отжиг кристаллов при более низкой температуре чем 190-200°С приводит лишь к частичному повышению лучевой прочности и оптической однородности (таблица 1). В случае отжига кристаллов при температуре более высокой, чем 200°С, происходит растрескивание монокристаллов. Высокое термическое сопротивление прокладок необходимо для того, чтобы локальный перегрев одного слоя не передавался следующему, а растекался за счет теплопроводности металла вдоль слоя фольги. В изобретении первый слой, нанесенный непосредственно на монокристалл, почти зеркально отражает назад собственное излучение монокристалла, т.к. степень черноты алюминиевой отожженной фольги равна 0,06. Но одновременно за счет высокой теплопроводности вдоль слоя равномерно распределяется температура по граням монокристалла. Наружный третий слой отражает неравномерные лучевые потоки от стенок печи и сглаживает неравномерности температуры от внешней по отношению к монокристаллу конвекции. Средний второй слой выравнивает по граням монокристалла значение температуры, которые еще остаются от наружного слоя. Пористые прокладки из стеклобумаги ликвидируют конвекцию между слоями и обеспечивают по всем граням одинаковую теплопроводность по тонким слоям воздуха внутри п о р и с т о й прокладки. На чертеже представлены спектры поглощения монокристалла КДР до воздейст45 вия радиации (кривая 2), после воздействия (кривая 1) и после термообработки (кривая 3J. Способ включает следующие операции: 1. Экранируют кристаллы от излучаю50 щей поверхности печи путем обмотки их тремя слоями фольги, отделенных друг от друга пористыми прокладками. 2. Закладывают кристаллы в безградиентную печь. 55 3. Нагревают кристаллы ступенчато с понижением скорости нагрева от 3°С/час до 0,03°С/час при температуре 190-200°С. 4. Проводят выдержку кристаллов при температуре 190-200°С в течение 20-24 часов. Таблица о^озз 0.034 0,035 0.032 о 'Продолжение Іниякриотаппов •** д о отжига Кристалл растрескался табл. (Л -.\i\... Продолжение табл. 1 l і і l -.-> •' . ..'1 i і іі і 12 13 14 15 t и Результаты исследоРезультаты исследования кристаллов, отожженных по изобретению 210°С 170°С 200°С 180°С 190°С вания кристаллов до отжига W" Кем"1 Кем" 1 Кем' 1 W W Кем" 1 W W W Кем" 1 Кем' 1 2 2 ГВт/см ГВт/см Л=1.06 А=Т,06 ГВт/см 2 ГВт/см 2 Я=1,0б Л-1,06 Гвт/см 2 Л=1.06 ГВт/см 2 Я=1.06 #км ДКМ дкм дкм дкм 2 0.034 4 Кристалл растре0.02 0,01 2,8 0,03 3 3.5 0,02 скался 2,3 0,033 3,2 0,02 3,2 0.02 4.5 0.01 3 0.03 2.1 0,034 0,03 0,02 3.3 3,5 0.01 3 3.2 0,02 2,0 0.035. 0.02 3.5 4'А 0,01 2.5 3 0.02 а.оз 2.5 0,032 0,02 4 5 0.01 3,2 3.5 0,01 0,03 іі Номер образца о ел со Таблица 2 Номер образца 1 і і • і і 2 3 4 5 Результаты исследования кристаллов КДР, отожженных по изобретению (выд. 15часов) Результаты исследо180°С 190°С 200°С 210°С 170°С вания кристаллов до отжига W Кем1 Кем" 1 W W KCNT Кем" 1 W Ксм^ W Кем" 1 W 2 2 2 2 2 2 ГВт/см ГВт/см А=1.06 ГВт/см А-1.06 А-1,06 ГВт/см А=1,06 ГВт/см Г8т/см А-1,06 А-1,06 //км цкм дкм дкм дкм jUKM 2 0,034 2.4 3.0 0.032 0,02 Кристалл растре2.2 0.033 2.8 0.030 скался 2,7 3.5 2.3 0,033 0.032 0,032 0,030 0,02 2.5 2,8 2.5 3,0 2.1 0.034 0.033 0.032 0,030 0,02 2.2 2,7 2.5 3.5 2.0 0,035 0.033 0.032 0,030 0,02 2.2 2,7 4,0 2.5 0,032 0,032 0,032 0,030 0.02 2.5 2,7 3,2 Таблица 3 Номер образца 1 2 3 4 5 -Результаты исследования кристаллов КДР,отожженных- по изобретению Свыд. 18 часов) Результаты исследо180°С 170°С 190°С 200°С 210°С вания кристаллов до отжига W W Кем* 1 Кем" 1 W Кем" 1 W Кем" 1 W Кем" 1 W Кем" 1 2 2 2 2 2 2 ГВт/см ГВт/см ГВт/см А-1,06 ГВт/см А-1,06 ГВт/см А-1.06 ГВт/см А-1,06 А-1.06 А-1.06 дкм дкм дкм ДКМ /икм 2.7 2 0,034 0,032 0.03 3.2 0.03 " 3,5 0.02 Кристалл растре2.5 скался » 2.3 3.0 4,2 0,033 0.031 0,03 3,0 0,03 0,02 2,8 т 3,0 2.1 3,0 0,03 0,02 0,034 0.032 С.ОЗ 3.2 2,7 4,2 0.03 0,02 2 2.8 0,035 0.033 0.03 3.0 2.2 _в 4,5 0,03 0,02 2.5 3,2 0.032 0,030 0.03 3.5 3 сл со Таблица 4 Номер образца 1 2 3 4 5 Результаты исследоРезультаты исследования кристаллов КДР, отожженных по изобретению (выд. 20 часов ) 170°С 180°С 190°С 200°С 210°С вания кристаллов до отжига W W Кем' 1 W Кем* 7 W Кем'1 Кем' 1 Кем'1 W Кем* 1 W ГВт/см 2 А-1.06 ГВт/см 2 ГВт/см 2 ГВт/см 2 ГВт/см 2 ГВт/см 2 А-1,06 А=1,06 А-1.06 А=1,06 А=1,0б #км икм ДКМ Іікм /4КМ (ЛКМ 4 Кристалл растре2 0.02 0,034 0.02 3.5 0,01 2.8 0,03 3 скался 2.3 3 0,02 0,033 0.03 3.2 0,02 3.2 4.5 0,01 2.1 0,034 3 0,02 3.3 0,02 3.5 0.01 0,03 3.2 _»_ 2,0 0,035 0,02 4,4 0.01 2,5 0,02 0,03 3 3.5 2.5 0,032 0,02 5 0.01 3.2 4 0.01 0,03 3.5 Таблица 5 Номер Результаты исследования кристаллов КДР* отожженных 170°С 190°С 180°С Результаты исследо образца вания кристаллов по изобретению (выд. 24 часов) 210°С 200°С до отжига W ГВт/см 2 Кем' 7 Л-1,06 0.034 2.8 0.03 3 Кем" 1 А-1.06 #км 0,02 0.033 0.034 0.035 0.032 3 3 2,5 3.2 0,03 0,03 0.03 0.03 3.2 3.2 3 3,5 0.02 0,02 0,02 0,02 W ГВт/см 2 Jim 1 2 3 4 5 2 2.3 • 2,1 2 2,5 Кем'1 А-1,06 W ГВт/см 2 (лкгл W ГВт/см 2 3,5 Кем' 1 А=1,06 Акм 0.02 4 Кем'1 А-1,06 дкм 0,01 3.2 3.3 3.5 4 0,02 0,02 0,02 0,01 4.5 3.5 5 5 0.01 0,01 0.01 0.01 W ГВт/см 2 Кем" 1 А-1,06 дкм Кристалл растрескался W ГВт/см 2 _-_ о ел со 10513 J ед, 2ЦО Упорядник В.Пузиков Замовлення 4018 28Q 320 Техред М.Моргентал 360 Л,нм Коректор М.Самборська Тираж , Підписне Державне патентне відомство України. 254655, ГСП. КиТв-53, Львівська пл,, 8 Відкрите акціонерне товариство "Патент", м. Ужгород, вул.ГагарІна, 101 УКРАЇНА 10513 (19) (5і)5 03) А С ЗО В 33/00. 29/14 ОПИС ДО ПАТЕНТУ ДЕРЖАВНЕ ПАТЕНТНЕ ВІДОМСТВО НА ВИНАХІД без проведення експертизи по суті на підставі Постанови Верховної Ради України Nr3769-XII 8ІД23.ХІІ. 1993 р. Публікується в редакції заявника (54) СПОСІБ ТЕРМООБРОБКИ РАДІАЦІЙНО-ПОШКОДЖЕНИХ М О Н О К Р И С Т А Л І В ДИГІДРОФОСФАТУ КАЛІЮ 1 (21)93090866 (22)16.02.93 (24)25.12.96 (46) 25.12.96. Бюл.№ 4 (56) Авторское свидетельство СССР № 1440098,кл. С 30 В 33/00,1988. (72) Сало Віталій Іванович, Колибаєва Марія Іванівна, Соловйов Віктор Давидович (73) Науково-дослідне відділення оптичних та конструкційних кристалів науково-технологічного концерну "Інститут монокристалів" НАН України (UA) (57) Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым сни Изобретение относится к прикладной кристаллофизике и может найти применение з лазерном приборостроении, основанном на п р и м е н е н и и монокристаллов дигидрофосфата калия (КДР). Целый ряд лазерных приборов и систем, укомплектованных и з д е л и я м и из этих кристаллов, предназначен для эксплуатации в условиях воздействия ионизирующей радиации. Длительность и надежность эксплуатации таких приборов лимитируется эффектом накопления в структуре кристаллов повреждений, образование которых приводит к иоменению характеристик материала и как основное - к окрашиванию кристаллов.что, в свою очередь, приводит к ухудшению оптических жением скорости нагрева при температуре, приближающейся к температуре фазового перехода в кристалле, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям не менее чем тремя слоями металлической фольги со степенью черноты 0,06-0,09, разделенными между собой пористыми прокладками из стекловолокнистого материала, производят ступенчатое снижение скорости нагрева от 3 до 0,3°С/час в интервале температур 20-150°С. 150~175°С, 175-190°С, 190-200°С, а изотермическую выдержку осуществляют при 190-200°С в течение 20-24 часов с последующим равномерным охлаждением до комнатной температуры. характеристик и снижению лучевой прочности кристаллов. Окрашенные в условиях радиа ц и о н н о г о облучения элементы из монокристаллов КДР заменяются новыми, а старые дорогостоящие кристаллы бракуются. Изыскание возможности неоднократного использования радиационно-поврежденных элементов из монокристаллов КДР представляет в настоящее время весьма актуальную задачу, С целью снятия напряжений и повышения оптической однородности (обесцвечивания) м о н о к р и с т а л л о в п р о в о д я т их термообработку (отжиг). Наиболее близким по технической сути к данному способу является способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата о ел со 10513 кллия, заключающийся в том, что для улучшения механической и лучевой прочности нэоблученный монокристалл КДР помещают в печь и проводят ступенчатый отжиг в интервале температур 20-120°С, 120-150°С, 150-170°С, со скоростями 20-25, 2-4, 0,50 7°С/час соответственно, в области 170195°С со с к о р о с т ь ю 0,2-0.3°С/час. Выдерживают при максимальной температуре в течение 14-15 суток Охлаждение кристэллов производят с теми же скоростями и в тех же интервалах что и нагрев Этот способ позволяет поиысить величину механической и лучевой прочности о 2-3 раза, но он непригоден для радиационно-поврежденных монокристаллов КДР, т.к в них поддействием радиации возникают дополнительные поврежденные структуры и концентраторы внутренних напряжений Кроме того, ионизирующее облучение делает прозрачный монокристзлл полупрозрачным и от лучевого теплового потока со стенок печи в кристалле ьозникают дополнительные температурные напряжения Поэтому при отжиіе радиациончо-поврежденных монокристаллов КДР по способу происходит за 14-15 суток полное разрушение кристаллической решетки, согровождающейся растрескиванием кристаллов Специально проведенные эксперименты показали, что процесс залечивания радиационных дефектов и повышение лучевой прочности и оптической однородности при 5 температуре 190-200°С происходит за время не менее 20-24 часов. Отжиг в течение меньшего времени приводит лишь к частичному повышению оптической однородности. Отжиг кристаллов при более низкой 10 температуре чем 190-200°С приводит лишь к частичному повышению лучевой прочности и оптической однородности (таблица 1). В случае отжига кристаллов при температуре более высокой, чем 200°С, происходит 15 растрескивание монокристаллов. Высокое термическое сопротивление прокладок необходимо для того, чтобы локальный перегрев одного слоя не передавался следующему, а растекался за счет 20 теплопроводности металла вдоль слоя фольги. В изобретении первый слой, нанесенный непосредственно на монокристалл, почти зеркально отражает назад собственное 25 излучение монокристалла, т.к. степень черноты алюминиевой отожженной фольги равна 0,06. Но одновременно за счет высокой теплопроводности вдоль слоя равномерно распределяется температура по граням мо30 нокристалла. Наружный третий слой отражает неравномерные лучевые потоки от стенок печи и сглаживает неравномерности температуры от внешней по отношению к монокристаллу конвекции. Средний второй 35 слой выравнивает по граням монокристалла значение температуры, которые еще остаются от наружного слоя. Пористые прокладки из стеклобумаги ликвидируют конвекцию между слоями и обеспечивают по всем гра40 ням одинаковую теплопроводность по тонким слоям воздуха внутри п о р и с т о й прокладки. Задачей изобретения является рэзрзСотка способа термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия, который обеспечивает восстановление их полной работоспособности путем залечивания радиационных дефектов и повышает лучевую прочность и оптическую однородность. Решение поставленной задачи в изобретении достигается тем, что в способе термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым снижением скоНа чертеже представлены спектры порости нагрева при температуре приближаюглощения монокристалла КДР до воздейстщейся к температуре фазового перехода в 45 вия радиации (кривая 2), после воздействия кристалле, согласно изобретению, перед на(кривая 1) и после термообработки (кривая гревом монокристалл плотно обматывают 3j. по осем поверхностям но менее чем тремя СпосоЬ включает следующие операции: слоями металлической фольги с низкой сте1. Экранируют кристаллы or излучаюпенью черноты, разделенными между собой 50 щей поверхности печи путем обмотки их трепористыми прокладками из материала с вымя слоями фольги, отделенных друг от друга соким термическим сопротивлением, произпористыми прокладками, водят ступенчатое снижение скорости 2. Закладывают кристаллы в безградинагрева от 3 до 0,3°С/час в интервале тементную печь. ператур 20-150°С, 150-175°С, 175-190°С, 55 3. Нагревают кристаллы ступенчато с 190-200°С, а изотермическую выдержку осупонижением скорости нагрева от 3°С/час до ществляют при 190-200°С в течение 20-24 0,03°С/час при температуре 190-200°С. часов с последующим равномерным охлаж4. Проводят выдержку кристаллов при дением до комнатной температуры. температуре 190-200°С в течение 20-24 часов. 10513 5 Охлаждают кристаллы равномерно до комнатной температуры со скоростью 3°С/час. 6 Контроль параметров кристаллов производят до и после отжига кристаллов. Были проведены экспериментальные термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов по способу прототипа, по способу изобретения и по температурным режимам прототипа с экранированием по изобретению. Была проведена термообработка 15 радиационно-поврежденных монокристаллов КДР размером 100 х 100 х 100 мм с отполированными гранями (001). Все монокрсталлы до термообработки были исследованы на оптическую однородность (измерены спектры поглощения, измерен коэффициент поглощения К на длине волны Л - 1,06 мкм) и на величину лучевой прочности. Оптические параметры всех 15 монокристаллов оказались в диапазонах; W - 22 1 2,5 ГВт/см ; К - 0,03-0,035 см" (см таблицу 1) Ниже изобретение иллюстрируется ..онкретными примерами. П р и м е р 1. Пять кристаллов (f\fc образцов 1,2, 3,4,5 таблица 1) были термообработаны по прототипу с изотермической выдержкой при 180 С. Все пять кристаллов стали непрозрачными и приобрели молочно-белый цвет, что свидетельствует о необратимых изменениях и повышении температуры фазового перехода (таблица 1). П ри м е р2. Еще пять кристаллов (№ образцов 6, 7, 8, 9, 10 таблица 1) были экранированы по способу изобретения, но температурный режим соответствовал прототипу, Термообработка их повторялась последовательно четыре раза с изотермической выдержкой при температурах 170°С, 180°С и 200°С. Термообработку с изотермической выдержкой при 170°С выдержали осе пять кристаллов, а оптические параметры улучшались незначительно: W-2,5-3,2 ГВт/см 2 ; К = 0,03 см" 1 . Изотермическую выдержку при 1В0°С выдержали два кристалла уже с другими оптическими параметрами; W - 3,2-3,5 и К =0,02. 5 10 15 20 25 30 35 6 Три кристалла стали молочно-белыми, а два уцелевших значительно восстановили свои оптические характеристики. Изотермическую выдержку при 190°С выдержал один кристалл с параметрами; W - 4 ГВт/см и К - 0,01, а четыре кристалла растрескались. При термообработке последнего уцелевшего кристалла изотермической выдержкой при 200°С от разрушился. Пример 3. После того, как был изменен температурный режим термообработки по прототипу на режим, предложенный в изобретении, термоабработка оставшихся пяти кристаллов (№ образцов 11, 12,13,14, 15 таблица 1), экранированных фольгой, была последовательно выполнена при температурах 170°С, 180°С, 190°С, 200°С и 210°С. Все пять монокристаллов выдержали четыре термообработки при изотермической выдержке при 200°С , имели после термообработки оптические параметры наивысшие; W - 3,5-5 ГВт/см 2 ; К =-0,01. Пятая термообработка пяти кристаллов с уже улучшенной структурой при 210°С привела к растрескиванию всех пяти кристаллов. Этот факт свидетельствует о том, что температура фазового перехода всех пяти кристаллов была поднята изобретением до максимального значения и превысила 200°С, чего нельзя было достичь при термообработке по прототипу. Были также измерены оптические параметры монокристаллов в зависимости от постепенного увеличения времени изотермической выдержки при 200°С. Время выдержки в 15 часов показало 40 незначительное улучшение параметров кристалла (таблица 2). Увеличение выдержки до 18-20 час давала улучшение оптических параметров (таблица 3,4) а при 24 часах выдерж к и оптические параметры перестали 45 улучшаться (таблица 5). Поэтому, с учетом поля допусков на температурный режим в промышленных печах и практического разброса параметров при термообработке монокристаллов установлена изотермическая 50 выдержка в пределах 2О24 часов при температурах 195-200°С. Выдержка более 24 часов приведет к необоснованным избыточным затратам времени и средств. Т з блица 1 • 1 2 К см~ . А=1,06 дкм 0,034 2 3 А 5 2,3 2.1 2 2.5 0,033 0.034 0,035 0,032 Кем"1 А=1,06«км Кристаллы стали непрозрачными, молочно-белого цвета W ГВт/см^ ! W ГВт/см 2 Результаты исследования кристаллов .отожженных по прототипу 1 ДО ОТЖИГИ 1 Результаты исследования кристаллов 1 Номер . образца о on Продолжение табл. 1 Номер образца 6 7 8 9 10 Результаты исследо- Результаты исследования кристаллов, отожженных з экранированном состоянии по способу изобретения, но температурный режим соответствовал прототипу вания кристаллов 2tO°C 180°С 190°С 200°С 170°С до отжига 1 1 1 Кем 1 W Кем"1 W Кем" 1 Кем" W W Кем* Кем" W W 2 2 2 2 ГВт/см А=1,06 ГВт/см А-1.06 .ГВт/см ГВт/см А-1.06' ГВт/см2 А-1,06 А=1.06 А=1,06 ГВт/см 2 #км ДКМ //км дкм ЦК9Л #км Кристалл растреКристалл растреКристалл растре0.034 Кристалл молочно2.8 0,03 2 белый скался скался скался -"-"-"0,02 3,2 0.033 3 0,03 2,3 Кристалл потрешал С.034 3 0,03 2,1 0.035 Кристалл молочно2 2.5 0,03 белый -"0.02 4 0,01 3.2 0,03 3,5 0.032 2,5 со Продолжение табл. 1 і і і 1 11 I і Номер Результаты исследоРезультаты исследования кристаллов, отожженных по изобретению 210°С 170°С 190°С 180°С 200°С образца вания кристаллов, до отжига Кем" 1 W Кем"1 W W Кем" 1 W Кем' 1 Кем"1 W Кем" 1 W А-1,06 ГВт/см 2 А-1,06 ГВт/см 2 ГВт/см2 А=1,06 А-1.06 ГВт/см 2 ГВт/см 2 ГВт/см 2 А-1.06 А=1,06 дкм /гкм дкм дкм filKM flKM 11 2 0,034 Кристалл растре2,8 0,03 0.02 0,02 4 0,01 3 3,5 скался 12 2.3 0.033 0,02 D.02 3 0,03 3,2 3.2 4,5 0.01 13 2.1 0.034 0,02 0,02 3 0,03 3.2 3.3 3,5 0.01 14 2,0 0.035 0,02 0,02 2,5 3 3.5 4І4 0.01 аоз 15 0.032 0,02 0.01 3.2 5 0.01 2.5 0,03 3.5 4 о ел Таблица 2 Результаты исследования кристаллов КДР, отожженных по изобретению (выд. 15 часов) Номер Результаты исследо200°С 170°С 180°С 190°С 210°С образца вания кристаллов до отжига W Ксм'1^ W Кем"1 W Кем' 1 W Ксм" 1 ^ W Ксм^ Кем"1 W 2 2 2 2 2 ГВт/см ГВт/см Л-1.06 ГВт/см ГВт/см2 Л-1,06 А-1,06 Л-1,06 Л-1,06 ГВт/см Л-1,06 ГВт/см дкм дкм дкм дкм дкм дкм 1 2,4 2.8 3.0 2 0,034 0,033 0.032 0,030 0.02 Кристалл растре2.2 скался 2,7 2,8 0,030 3.5 2 2.3 0,033 0,032 0,032 0.02 2.5 2,5 2.7 0,030 3.0 3 2.1 0.034 0.033 0.032 0.02 2.2 2.5 2,7 0.030 3,5 4 2.0 0.033 0.032 0,02 2.2 0.035 3,2 0,030 4,0 5 2.5 0,032 0,032 0,02 2.5 2.7 0.032 Таблица 3 Номер Результаты исследообразца вания кристаллов до отжига W Кем"1 2 ГВт/см Л-1,06 Результаты исследования кристаллов КДР.отожженных- по изобретению (выд. 18 часов) 180°С 190°С 200°С 210°С 170°С 0,031 0,032 0,033 0.030 3,0 3,0 2,8 3,2 0,03 С.ОЗ 0.03 0,03 3,0 3,2 3,0 3,5 0,03 0,03 0,03 0,03 4,2 3,0 4,2 4,5 0,02 0.02 0.02 0,02 • 2,8 2,7 2,2 3 i 0,033 0,034 0,035 0.032 3,5 i 2.3 2,1 2 2,5 3,2 Кем' 1 Л-1.06 дкм Кристалл растрескался W ГВт/см2 * 2 3 4 5 2.7 Л-1,06 дкм 0,03 Кем"1 Л-1,06 дкм 0,02 W ГВт/см2 i 2,5 ДКМ W ГВт/см 2 • 0,034 Ксм'1^ Кем'1 Л=1.06 дкм 0.03 i 2 W ГВт/см2 • 1 Кем' 1 ЛН.06 дкм 0,032 W ГВт/см2 ел со Таблица 4 Номер образца 1 2 3 4 5 Результаты исследоРезультаты исследования кристаллов КДРл отожженных по изобретению (выд 20 часов) 200°С 210°С 170°С 180°С 190°С вания кристаллов до отжига Кем ' Кем" 1 Кем" 1 W W Кем"' W W Кем' 1 W Кем" 1 W 2 2 2 2 2 2 А=1,06 ГВт/см ЛН.06 А=1.06 ГВт/см А-1.06 ГВт/см А=1,06 ГВт/см А=1.06 ГВт/см ГВт/см икм /лкм дкм дкм дкм дкм Кристалл растре2 0,02 0.01 0.034 0,02 4 2,8 3 3.5 0,03 скался 2.3 0,02 0.01 0.033 3 0.03 3.2 0,02 3.2 4.5 2.1 0,034 3 0.02 0,02 0,01 0,03 3.2 3,3 3,5 -"0.035 2,5 0,02 2.0 0.02 0,01 0,03 4,4 3 3.5 0,032 0 02 2.5 3.2 0.01 5 0,01 0.03 4 3,5 Та бли ц а 5 Номер образца 1 2 3 4 5 Результаты исследоРезультаты исследования кристаллов КДР, отожженных по изобретению (выд. 24 часов) 2Ш°С 17С)°С 18С)°С 19С 20С)°С вания кристаллов до отжига Кем'1 Кем" 1 W W Кем" 1 W Кем" 1 W Кем'1 W Кем* 1 W ГВт/см 2 ГВт/см 2 ГВт/см 2 А-1,06 А-1.06 ГВт/см 2 А-1.06 ГВт/см 2 Д-1,06 А-1.06 Л-1,06 ГВт/см 2 дкм Дкм дкм дкм дкм (МКМ Кристалл растре2 0,02 0.034 0,02 4 0,01 2.8 0,03 3 3,5 скался 0,02 2.3 0.01 0,033 3,2 0,02 4.5 3 0,03 3.2 2,1 0,02 0,01 0.034 3.2 0,02 3,5 3 0.03 3,3 0,02 2 0,02 0,01 0.035 2,5 0.03 3,5 5 3 2.5 0,032 3,2 4 0,01 0,01 0.03 0,02 5 3.5 со о СП со 10513 0 огпн. ед. _^ А Z 3 2MQ Упорядник В.Пузиков Замовлення 4018 280 320 Техред М.Моргентал 360 Л, Коректор М.Самборська Тираж ;• Підписне Державне патентне відомство УкраТни, 254655, ГСП, КиТв-53. Львівська пл., 8 Відкрите акціонерне товариство "Патеит", м. Ужгород. вул.Гагаріна, 101
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for heat treatment of radiatively affected monocrystals of potassium dihydrogen phosphate
Автори англійськоюSalo Vitalii Ivanovych, Kolybaieva Mariia Ivanivna, Soloviov Viktor Davydovych
Назва патенту російськоюСпособ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата калия
Автори російськоюСало Виталий Иванович, Колибаева Мария Ивановна, Соловъев Виктор Давидович
МПК / Мітки
МПК: C30B 33/00, C30B 29/14
Мітки: монокристалів, термообробки, радіаційно-пошкоджених, калію, дигідрофосфату, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/16-10513-sposib-termoobrobki-radiacijjno-poshkodzhenikh-monokristaliv-digidrofosfatu-kaliyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб термообробки радіаційно-пошкоджених монокристалів дигідрофосфату калію</a>
Попередній патент: Пристрій для визначення ккд насосів
Наступний патент: Спосіб зниження радіоактивного забруднення грунтів на схилах
Випадковий патент: Спосіб лікування герпесвірусних інфекцій