Спосіб отримання монокристалів

Спосіб отримання монокристалів, що включає створення розплаву на верхньому торці вертика 3 21535 Поставлена ціль досягається тим, що в способі отримання монокристалів, що включає створення розплаву на верхньому торці вертикально розташованого циліндрового затравочного монокристала, підсипку первинного порошку в розплав і рух затравочного монокристала вниз, в монокристалі створюють принаймні одну додаткову рідку зону з неповним проплавленням. Створення в монокристалі додаткової рідкої зони (або зон) збільшує кратність кристалізаційного очищення монокристала, що росте, тобто підсилює ефект очищення, а неповне проплавлення матеріалу в рідкій зоні зберігає цілісність монокристала, що росте (тобто забезпечує можливість реалізації способу). Схема пристрою для здійснення пропонованого способу з однією додатковою рідкою зоною показана на Фіг.1, а з двома - на Фіг.2. Поблизу верхнього торця затравочного монокристала 1 розміщений основний нагрівач 2, а нижче - додатковий зонний нагрівач (або зонні нагрівачі) 3, над монокрісталом 1 розміщений дозатор 4. Спосіб отримання монокристала здійснюють таким чином. На верхньому торці затравочного монокристала 1 за допомогою основного нагрівача 2 створюється розплав 5, а нижче на затравочному монокристалі 1 за допомогою нагрівача (або Комп’ютерна в ерстка М. Ломалова 4 нагрівачів) 3 - розплавлена зона (або розплавлені зони) 6 з неповним проплавленням монокристала 1. Монокристалу 1 додається рух вниз із швидкістю кристалізації 1...20мм/год., одночасно з цим з дозатора 4 на розплав 5 сиплють порошок 7 початкового матеріалу. Потрапляючи в розплав 5, порошок 7 плавиться. Унаслідок руху монокристала 1, розплав 5 у міру виходу із зони дії нагрівача 2 кристалізується в монокристал від затравочного монокристала. При цьому, унаслідок кристалізаційного очищення, монокристал, що росте, набуває підвищеної в порівнянні з первинним матеріалом чистоти. При подальшому русі монокристалу, що утворюється з розплаву 5, останній потрапляє в рідку зону (або рідкі зони) 6 і, проходячи через неї (через них), піддається додатковому кристалізаційному очищенню методом бестігельної зонної перекристалізації. Перевага способу, що пропонується, в порівнянні із способом по прототипу визначається ефективністю зонної перекристалізації. Наприклад, в порівнянні з процесом по прототипу, застосування пропонованого способу з однією додатковою рідкою зоною при вирощуванні монокристала молібдену дозволяє понизити вміст вольфраму в нім приблизно в два рази. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601