Безкорпусний світлодіод
Номер патенту: 27917
Опубліковано: 26.11.2007
Автори: Лебедь Олег Миколайович, Войцеховський Олександр Нікіфорович, Лубяна Марія Дмитрівна, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Буряченко Володимир Іванович
Формула / Реферат
Безкорпусний світлодіод, що складається з підкладки, на яку знизу нанесений суцільний омічний контакт, зверху нього нанесені шари дзеркальної структури, n- та р-шари напівпровідникового випромінюючого матеріалу GaAs, багатошарова дзеркальна гетероструктура Al0,8Ga0,2As/AlAs p-типу, на тильному боці якої розташований омічний контакт, який відрізняється тим, що дзеркало, яке лежить на підкладці, виконано з багатошарової дзеркальної гетероструктури Al0,8Ga0,2As/AlAs n-типу, а багатошарова дзеркальна гетероструктура Al0,8Ga0,2As/AlAs p-типу та омічний контакт, розташований на її тильному боці, виконано з отвором посередині, на який нанесено просвітлювальне покриття з гетероструктури Al0,5Ga0,5As p-типу.
Текст
Безкорпусний світлодіод, що складається з підкладки, на яку знизу нанесений суцільний омічний контакт, зверху нього нанесені шари 3 27917 гетероструктура Al0,8Ga0,2 As/Al As p- типу на тильному боці якої розташований омічний контакт, дзеркало, яке лежить на підкладці, виконано з багатошарової дзеркальної гетероструктури Al0,8Ga0,2 As/Al As n- типу замість діелектричної структури SiO2/TiO 2, а також тим, що багатошарова дзеркальна гетероструктура Al0,8Ga0,2 As/Al As p- типу та омічний контакт, розташований на її тильному боці, виконано з отвором посередині, на який нанесено просвітлююче покриття з гетероструктури Al0,5Ga0,5 As p- типу. Суттєвою відмінністю, що забезпечує розширення функціональних можливостей заявленого світлодіоду, від прототипу є те, що термін деградації приладу суттєво більший завдяки дзеркала яке виконано з багатошарової гетероструктури Al0,8Ga0,2 As/AL As, що має коефіцієнт термічного розширення близький до коефіцієнта термічного розширення підкладки, а також завдяки зменшення розмиття n- р переходу в результаті меншого нагріву пристрою. Квантовий вихід люмінесценції суттєво збільшується завдяки виводу випромінювання крізь планарну стр уктур у, а також завдяки конструкції дзеркал з багатьох шарів, в результаті чого поглинання випромінювання підкладкою та омічними контактами зменшується. Суть корисної моделі подана на Фіг. Пристрій складається зі слідуючих елементів: підкладка n - типу Ga As 1, дзеркало з чотирьох шарів n+- Al0,8Ga0,2 As - n+ CaAs 2, n - шар Ga As 3, р-тар GaAs 4, дзеркало з чотирьох шарів p+- GaAs - p+- Al0,8Ga0,2 As 5 з отвором, всередині якого покриття, що просвітлює p+- Al 0,5 Ga0,5 As 6, омічні контакти 7, розміщені на тильному боці інтерференційного дзеркала 5 і на підкладці 1. Товщина p+- і n+ - шарів d = l/4 = 0,21мкм, де l довжина хвилі випромінювання 0,84мкм. Пристрій працює наступним чином. При прикладені напруги до контактів 7 в площині р-n - переходу народжуються кванти світла, які поширюються рівномірно у всі боки в об'ємі кристалу, поглинаючись і відбиваючись. Кванти світла (див. А), які потрапляють на просвітлююче покриття 6 під кутом меншим граничного (qА qСгр) набувають багаторазове відбиття і виходять крізь просвітлююче покриття 6. Таким чином даний безкорпусний світлодіод в порівнянні з відомими технічними рішеннями має більші функціональні можливості, що обумовлює його широке промислове застосування. 4
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюChip light diode
Автори англійськоюShutov Stanislav Viktorovych, Lebed Oleh Mykolaiovych, Krasnov Vasyl Oleksandrovych, Lubiana Mariia Dmytrivna, Buriachenko Volodymyr Ivanovych, Voitsekhovskyi Oleksandr Nykyforovych
Назва патенту російськоюБескорпусный светодиод
Автори російськоюШутов Станислав Викторович, Лебедь Олег Николаевич, Краснов Василий Александрович, Лубяна Мария Дмитриевна, Буряченко Владимир Иванович, Войцеховский Александр Никифорович
МПК / Мітки
МПК: H01L 27/10
Мітки: світлодіод, безкорпусний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-27917-bezkorpusnijj-svitlodiod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Безкорпусний світлодіод</a>
Білий супер’яскравий світлодіод та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 56544
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Мокеєв Юрій Геннадійович, Чернишов Віктор Григорович, Немчин Олександр Федорович, Вербицький Володимир Григорович, Падалко Віктор Григорович, Осінський Володимир Іванович
МПК: H01L 21/18, H01L 21/26
Мітки: виготовлення, білий, спосіб, світлодіод, супер'яскравий
Формула / Реферат:
1. Білий супер’яскравий світлодіод, який містить підкладку або іншу кристалічну орієнтуючу поверхню, на котрій із твердого розчину сполук третьої та п’ятої груп Періодичної системи, зокрема AlGaInNAs, виготовлена гетероструктура інжекторів електронів і дірок та активний випромінюючий шар, який відрізняється тим, що епітаксійна гетероструктура інжекторів електронів і дірок та активний випромінюючий шар формуються в гетерогенній варізонній...
Інтегральний світлодіод з підвищеним коефіціентом корисної дії
Номер патенту: 19211
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Білявська Олена Станіславівна, Проскурін Микола Петрович
МПК: G02F 3/00
Мітки: корисної, дії, підвищеним, інтегральній, світлодіод, коефіціентом
Формула / Реферат:
Інтегральний світлодіод (СД) з поверхневим виходом випромінювання на основі підкладки з GaAs у вигляді ізольованої мезоканавки, що складається з р-n переходу, в якому р-шар електрично зв'язаний з анодом світлодіода і є активним р+-шаром, шару n-типу, що охоплює p+-шар напівкільцем і створює вертикальний р-n перехід, електрично зв'язаний з катодом світлодіода, над p+-шаром знаходиться оптично прозорий n--шар із шириною забороненої зони Езз1...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод
Номер патенту: 8455
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Суворова Лідія Михайлівна, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Сєдова Марина Олексійовна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/868, H01L 29/86
Мітки: безкорпусний, надвисокочастотний, р-і-n-діод, кремнієвий
Формула / Реферат:
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...
Інтегральний світлодіод
Номер патенту: 12865
Опубліковано: 15.03.2006
Автори: Проскурін Микола Петрович, Білявська Олена Станіславна
МПК: G02F 3/00
Мітки: інтегральній, світлодіод
Формула / Реферат:
Інтегральний світлодіод, який має поверхневий вихід випромінювання та виконаний на основі підкладки з GaAs у вигляді ізольованої меза-канавки, що складається з р-n-переходу, в якому р-шар електрично зв'язаний з анодом світлодіода і є активним шаром, шар n-типу зв'язаний з катодом світлодіода, контакти анода і катода знаходяться на одній стороні підкладки, який відрізняється тим, що світлодіод має структуру з горизонтальним протіканням струму...
Безкорпусний сонячний колектор
Номер патенту: 79328
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Усік Сергій Дмитрович, Страшко Віталій Васильович
МПК: F24J 2/24
Мітки: безкорпусний, колектор, сонячний
Формула / Реферат:
1. Безкорпусний сонячний колектор, який складається із прозорої теплоізоляції та теплопоглинаючої панелі, що включає циліндричний рукав для теплоносія та розміщені співвісно на його протилежних сторонах два теплопоглинаючих ребра, зовнішні поздовжні грані котрих мають додаткові елементи, який відрізняється тим, що додаткові елементи утворюють із теплопоглинаючими ребрами таври, нижні вільні краї яких мають перпендикулярні повздовжні опорні...
Попередній патент: Гітара диференціала зубофрезерувального верстата
Наступний патент: Спосіб одержання стійких до осмотичного стресу клітинних ліній рослин методами клітинної селекції
Випадковий патент: Смугопропускний фільтр на с-негатроні з електронним керуванням