Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-inp

Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-ІnР, що включає електрохімічну обробку плас 3 58008 кристалу, залишаючи доволі розруйновану поверхню (фіг. 2). Реакції можна спостерігати в процесі травлення неозброєним поглядом - електроліт нагрівається, міняє свій колір та починається утворення бульбашок на межі розділу «електроліт - повітря», до того ж, можна спостерігати, що сама поверхня кристалу ініціює процес утворення бульбашок, що можна пояснити також розчиненням оксидів на поверхні матеріалу. Такий процес майже миттєвий, але травлення слід проводити ще декілька хвилин, для більш рівномірного видалення поруватого шару з поверхні кристалу. Поруваті зразки мають підвищену концентрацію атомів індію на поверхні. Тому процес може протікати за різними сценаріями: - першочергове витравлювання надлишкових атомів індію, що мають безліч обірваних зразків, або вже окислені в процесі попереднього анодування; - дотравлювання підгратки фосфору, що призводить до крихкості приповерхневого шару, що майже повністю складається з атомів індію. В результаті дефектний шар просто «розсипається». За умови дії цього механізму необхідно продовжити процес полірування для того, щоб вировняти поверхню, так як поруватий шар з'єднується з під Комп’ютерна верстка І.Скворцова 4 кладкою нерівномірно - деякі пори можуть бути значно глибшими, ніж основний масив; - одночасне розтравлювання індію і фосфору шляхом «шар за шаром». При цьому якість полірування буде пропорційно залежите від часу травлення. Такий спосіб характеризується малим часом травлення, що в загальній сукупності складає близько 5 хвилин. Далі полірування кристалу проходить за схемою для звичайних монокристалів фосфіду індію з великою кількістю поверхневих дефектів. Доцільним вважається продовження процесу розчинення в тому ж самому розчині електроліту. Після такої поліровки зразки можна знову використовувати як монокристалічні. Перевагами такого способу є, як зазначалося вище, малий термін реакції розчинення. До того ж, характеризується простотою - не вимагає піддержувати постійну концентрацію електроліту. Перелік фігур креслення Фіг.1. Поруватий шар фосфіду індію, який підлягає видаленню Фіг. 2. Поверхня кристалу ІnР зі «зрізаним» поруватим шаром. Електрохімічна обробка проводилася у два етапи: 1 - травлення при середніх значеннях щільності струму(близько 80 мА/см2), 2 травлення при рекордно великій щільності стуму (250 мА/см2). Загальний час процесу 5 хвилин Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601