Спосіб контролю електрофізичних параметрів напівпровідників
Номер патенту: 11658
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Карачевцева Людмила Анатольєвна, Рябіков Віктор Михайлович, Любченко Олексій Вікторович, Сальков Євген Андрійович, Ергаков Валерій Костянтинович, Лукинський Юрій Леонідович
Формула / Реферат
Способ контроля электрофизических параметров полупроводников, основанный на измерении электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффициента Холла от величины магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвижности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении индукции магнитного поля в пределах
и вычисляют концентрации и подвижности электронов и дырок по формулам
Р = ni2/n,
где В - индукция магнитного поля;
mcn - справочное значение подвижности электронов в электронном материале;
a = Rxo s;
Rxo - коэффициент Холла в слабом магнитном поле;
s - электропроводимость;
ni - значение собственной концентрации носителей для данного материала при температуре определения параметров;
b = s /еmcn
e - заряд электрона;
n - концентрация электронов;
mn - подвижность электронов;
Р - концентрация дырок;
mp - подвижность дырок;
Rx - коэффициент Холла при значении магнитной индукции
Текст
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для раздельного определения концентраций и подвижностей электронов и дырок в полупроводниках. Цель Изобретения - повышение точности раздельного определения концентрации и подвижности электронов и дырок в Cd x Hg ( Те и ZnSb р-типа проводимости, Измеряют электропровдность полупроводника и коэффициент Холла в слабом магнитном поле. Дополнительно измеряют коэффициент Холла при значении индукции В магнитного поля в пределах 0,7/Рн - а ^ В ^ О . З ^ / ^ С - а ^ Ь . По измеренным знамениям вычисляют концентрации и подвижности электронов и дырок в полупроводнике, где (и{, - справочное значение подвижности электронов; п- - концентрация собственных носителей заряда, а = R^G», С ~ электропроводность полупроводни- с ка, Rj - коэффициент Холла в слабом & магнитном поле» b и С - коэффициенты. 4 ил., -2 табл. СЛ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для раздельного определения концентраций и подвижностей электронов и дырок в полупроводниках. Цель изобретения - повышение точности раздельного определения концентрации и подвижности электронов и дырок в Cd^Hg^Te и InSb р-типа проводимости . На фиг. 1 приведены графики зависимостей отношения концентраций дырок и электронов Р/п от отношения подвижностей (Wh/(Mp электронов и дырок соответственно, для четырех значений индукции В магнитного поля получен12-30 ных известным (_кривая 1) и предлагаемым (кривая 2).способами. * На фиг, 2 представлена" Зависимость коэффициента Холла от индукции магнитного поля для твердого раствора CdyHg^^Te (х=0,205) при температуре Т=77К. На фиг. 3 представлена зависимость приведенного коэффициента Холла -\J~R°/RX -Iі от индукции магнитного поля для твердого Cd y Hg
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюTesting method for physical parameters of semiconductors
Автори англійськоюSalkov Yevhen Andriiovych, Liubchenko Oleksii Viktorovych, Karachevtseva Liudmyla Anatoliivna, Ergakov Valerii Kostiantynovych, Lukynskyi Yurii Leonidovych, Riabikov Viktor Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ контроля электрофизических параметров полупроводников
Автори російськоюСальков Евгений Андреевич, Любченко Алексей Викторович, Карачевцева Людмила Анатольевна, Ергаков Валерий Константинович, Лукинский Юрий Леонидович, рябиков Виктор Михайлович
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/66
Мітки: контролю, спосіб, напівпровідників, електрофізичних, параметрів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-11658-sposib-kontrolyu-elektrofizichnikh-parametriv-napivprovidnikiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб контролю електрофізичних параметрів напівпровідників</a>
Альфа-установка для радіаційного регулювання електрофізичних параметрів напівпровідникових структур
Номер патенту: 11383
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Ірінархов Сергій Михайлович, Бідник Дмитро Ілліч, Школьний Арнольд Костянтинович, Вікулін Олександр Олександрович, Леваднюк Едуард Нікодимович, Терентьєв Борис Михайлович
МПК: G21H 5/00
Мітки: електрофізичних, структур, альфа-установка, регулювання, параметрів, напівпровідникових, радіаційного
Формула / Реферат:
I. Альфа-установка для радиационного регулирования электрофизических параметров полупроводниковых структур, состоящая из камеры облучения с облучателсм на основе радионуклидных источников альфа-излучения, держателя объектов облучения, расположенного над облучателем, и системы перемещения объектов облучения, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности радиационного воздействия на объекты облучения и радиационной безопасности...
Спосіб магнітного збагачення слабомагнітних руд
Номер патенту: 12292
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Нотович Григорій Ісакович, Ганзенко Таіна Борисівна, Лисянський Леонід Наумович
МПК: B03C 1/00
Мітки: магнітного, спосіб, збагачення, руд, слабомагнітних
Формула / Реферат:
Способ магнитного обогащения слабомагнитных руд, включающий разделение исходного материала на крупную и тонкую фракции, измельчение крупной фракции, магнитную сепарацию в слабом поле измельченной крупной фракции и тонкой фракции с получением концентрата и хвостов, магнитную сепарацию в сильном поле хвостов с выделением магнитного и немагнитного продуктов, отличающиеся тем, что, с целью повышения эффективности процесса обогащения, магнитную...
Спосіб іонно-плазмової обробки
Номер патенту: 172
Опубліковано: 30.04.1993
Автори: Семенюк Валерій Федорович, Трипута Геннадій Олександрович
МПК: H01L 21/26
Мітки: спосіб, обробки, іонно-плазмової
Формула / Реферат:
1. Способ ионно - плазменной обработки в скрещенных ВЧ электрическом и постоянном магнитном полях, включающие удаление материала с обрабатываемого изделия под действием заряженных и нейтральных частиц плазмы в условиях замагниченности электродов wне/nен>1, где wне - электронная циклотронная частота для минимального значения индукции магнитного поля, neн - частота упругих столкновений электронов с нейтральными частицами.отличающиися тем,...
Спосіб розділення компонентів в рідких потоках
Номер патенту: 6785
Опубліковано: 29.12.1994
Автори: Мочалов Олександр Олександрович, Вершкова Олена Олександрівна
МПК: B03B 7/00
Мітки: потоках, спосіб, компонентів, розділення, рідких
Формула / Реферат:
Способ разделения компонентов в жидких потоках, включающий придание смеси компонентов поступательного движения, действие на смесь магнитным полем, разделение смеси на компоненты и отвод раздельных потоков в отдельные емкости, отличающийся тем, что воздействие на смесь магнитным полем осуществляют при градиенте индукции поля, направленном перпендикулярно скорости потока, при этом отвод разделенных потоков производят в плоскости,...
Спосіб контролю механічних властивостей чавуну в відливках
Номер патенту: 12274
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Міневіч Олександр Шаєвич, Шульте Герман Юрійович
МПК: G01N 27/80
Мітки: механічних, контролю, відливках, властивостей, чавуну, спосіб
Формула / Реферат:
1. Способ контроля механических свойств чугуна в отливках, заключающийся в том, что проверяемую отливку помещают в переменное 'магнитное поле преобразователя, измеряют се магнитную характеристику и по заранее установленной корреляционной зависимости определяют механические свойства чугуна, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, используют преобразователь, являющийся элементом колебательного контура, отливку...
Попередній патент: Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу pi-cdchihgiota-chite
Наступний патент: Спосіб керування електрофізичними параметрами напівпровідникових сполук типу а11в1
Випадковий патент: Інкубатор