Бідник Дмитро Ілліч

Номер патенту: 19220

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Кривицький Владислав Петрович, Кшевецький Станіслав Антонович, Поленур Олександр Вольфович, Оліховський Степан Йосифович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Гуреєв Анатолій Миколайович, Литвинов Юрій Михайлович, Кисловський Євген Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Гуреєв Микола Анатолійович, Когут Михайло Тихонович, Осиновський Максим Євгенович, Остапчук Анатолій Іванович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: G01N 23/20

Мітки: монокристалів, динамічної, спосіб, розсіюючих, структурної, досконалості, визначення

Формула / Реферат:

Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...

Номер патенту: 18290

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Августімов Віталій Леонідович, Костенко Сергій Петрович, Бідник Дмитро Ілліч, Насипайко Олександр Васильович

МПК: G01N 27/12

Мітки: елемент, датчика, чутливий, вологості

Формула / Реферат:

Чувствительный элемент датчика влажности, содержащий кремниевую пластину, на поверхность которой последовательно нанесены слои окисла и нитрида кремния, поверх последнего сформирован в виде прямоугольных полос слой поликристаллического кремния с двумя электродами, легированного ионами элементов III или V групп, с нанесенным материалом, сорбирующим влагу, отличающийся тем, что слой поликремния сформирован в виде двух ортогональных по осям...

Номер патенту: 13520

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Воронін Валерій Олександрович, Бідник Дмитро Ілліч, Саваневський Володимир Григорович, Богдановський Юрій Миколайович, Сарапін Ярослав Миколайович, Гасько Любомир Захарович

МПК: H01L 21/225

Мітки: твердих, спосіб, фосфора, джерел, дифузії, виготовлення, планарних

Формула / Реферат:

Способ изготовления твердых планарных ис­точников для диффузии фосфора, включающий нанесение порошка диффузанта на основе метафосфата алюминия на кремниевые подложки и спекание при температуре 1050-1110°С, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения стойкости ис­точников к термоударам во время ввода кассеты с источниками в диффузионную печь, порошок диф­фузанта дополнительно содержит окись лантана в количестве 0,5-5 мас. %.

Номер патенту: 11101

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Бідник Дмитро Ілліч, Пенцак Іван Борисович, Чекмезов Олександр Миколайович

МПК: G01R 31/28

Мітки: вивідних, схем, колах, спосіб, дефектів, інтегральних, виявлення

Формула / Реферат:

(57) Способ обнаружения дефектов в выводных цепях интегральных схем, включающий разделение выводов на группы, подачу на объект контроля испытательного напряжения, регистрацию величины тока на выводах объекта контроля, сравнение полученного результата со значением тока утечки и отбраковку, отличающийся тем, что величину испытательного напряжения выбирают из соотношения0.1 UH =>Uи=>(1+0,02K)Ukгде Uн - номинальное напряжение,...

Номер патенту: 11383

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Леваднюк Едуард Нікодимович, Школьний Арнольд Костянтинович, Вікулін Олександр Олександрович, Терентьєв Борис Михайлович, Бідник Дмитро Ілліч, Ірінархов Сергій Михайлович

МПК: G21H 5/00

Мітки: електрофізичних, напівпровідникових, альфа-установка, регулювання, структур, радіаційного, параметрів

Формула / Реферат:

I. Альфа-установка для радиационного регу­лирования электрофизических параметров полу­проводниковых структур, состоящая из камеры облучения с облучателсм на основе радионуклидных источников альфа-излучения, держателя объ­ектов облучения, расположенного над облучателем, и системы перемещения объектов об­лучения, отличающаяся тем, что, с целью повы­шения эффективности радиационного воздействия на объекты облучения и радиационной безопасно­сти...

Номер патенту: 11375

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Плескач Олександр Петрович, Бідник Дмитро Ілліч, Атаманчук Ярослав Дмитрович

МПК: B23K 11/06

Мітки: схем, інтегральних, автомат, напівпровідникових, приладів, герметизації

Формула / Реферат:

1. Автомат для герметизации полупроводни­ковых приборов и интегральных схем контактной шовной сваркой, включающий смонтированные на основании питатель крышек, автооператор подачи крышек, устройство ориентации крышек, свароч­ные головки поперечных и продольных швов, сва­рочный трансформатор, устройство наблюдения за качеством сварки и транспортное устройство для передачи заготовок и приборов с одной позиции на другую, отличающийся тем, что, с...

Номер патенту: 11373

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Казінов Володимир Олександрович, Лазарук Сергій Костянтинович, Бідник Дмитро Ілліч, Баранов Ігор Ліверійович, Лабунов Володимир Архипович, Гуменюк Степан Дмитрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: інтегральних, спосіб, металізації, мікросхем, напівпровідникових, приладів, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлизации полу­проводниковых приборов и интегральных микро­схем, включающий осаждение на полупро­водниковую пластину пленки алюминия, нанесе­ние слоя фоторезиста и формирование в нем кон­фигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разде­лительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных пло­щадок,...

Номер патенту: 6595

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: G01R 31/28

Мітки: схем, інтегральних, спосіб, відбраковки

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки интегральных схем, включающий подачу на объект контроля напряжения питания и испытательных сигналов, замер первого и второго значений сопротивления, определение информативного параметра и отбраковку, отличающийся тем, что в качестве информативного параметра используют квазиравновесное сопротивление объекта контроля в активном режиме, а его значение при номинальном испытательном режиме принимают за эталон, при этом...

Номер патенту: 2905

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Воронцов Володимир Анатолійович, Пенцак Іван Борисович, Михальчук Леонід Миколайович, Молчанов Костянтин Вікторович, Іллюк Ігор Євгенович, Бідник Дмитро Ілліч, Чекмезов Олександр Миколайович

МПК: G01R 17/00, G01N 27/20

Мітки: схем, спосіб, відбраковки, кмон, інтегральних

Формула / Реферат:

Способ отбраковки КМОП интегральных схем, включающий подачу на объект контроля испытательных воздействий между входными и питающими выводами, замер информативных параметров, сравнение их с эталонными значениями, отбраковку, отличающийся тем, что в качестве информативных параметров используют значения напряжения при номинальном и максимально допустимом токах, а в качестве эталона - нормируемое напряжение при номинальном токе, при этом сначала...

Номер патенту: 2903

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Сидоренко Сергій Іванович, Макогон Юрій Миколайович, Крутько Олександр Олексійович, Іллюк Ігор Євгенович, Бідник Дмитро Ілліч, Бойко Степан Миколайович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, елементу, одержання, тонкоплівкового

Формула / Реферат:

Способ получения тонкопленочного элемента, включающий осаждение вакуумного конденсата путем магнетронного распыления сплава на основе Al(Al-Cu) с добавкой Si (0,8-2,8%) на кремниевую подложку в одном вакуумном цикле в виде двухслойной структуры в среде аргона и термообработку конденсата при максимальной температуре 720±10 К в защитной от окисления среде в течение 15-20 минут, отличающийся тем, что конденсат осаждают при температуре подложки...