Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних фоторезистів

Реферат: Запропонований винахід належить до фотолітографії і стосується виготовлення літографічних масок на поверхні напівпровідникових чи діелектричних пластин в мікроелектронному чи оптичному виробництві а також формування за допомогою інтерференційної літографії рельєфно-фазових періодичних структур для використання їх в інтегральній оптиці, сенсорній та лазерній техніці, голографії, тощо. В основу винаходу поставлено задачу спростити технологічний процес виготовлення за допомогою халькогенідних фоторезистів літографічних масок, а також рельєфних мікроструктур і підвищити їх якість внаслідок зменшення імовірності утворення дефектів на поверхні фоторезисту. Для вирішення поставленої задачі пропонується спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах UA 99226 C2 (12) UA 99226 C2 халькогенідних фоторезистів, який включає нанесення на підкладинку шару фоторезисту з неорганічної халькогенідної сполуки, експонування фоторезисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проектування на фоторезист зображення відповідного фотошаблона, чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення фоторезисту в безводному травнику на основі амінів, який відрізняється тим, що перед експонуванням плівки халькогенідного фоторезисту відпалюють, а експонування і селективне травлення халькогенідного фоторезисту здійснюють одночасно. UA 99226 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Запропонований винахід належить до фотолітографії і стосується виготовлення літографічних масок на поверхні напівпровідникових чи діелектричних пластин в мікроелектронному чи оптичному виробництві, а також формування за допомогою інтерференційної літографії рельєфно-фазових періодичних структур для використання їх в інтегральній оптиці, сенсорній та лазерній техніці, голографії, тощо. За своєю суттю винахід належить до способів одержання рельєфних зображень з допомогою неорганічних фоторезистів на основі шарів халькогенідних стекол (ХС). Халькогенідні фоторезисти характеризуються високою роздільчою здатністю, широкою спектральною областю світлочутливості і можливістю нанесення на підкладки складної форми. Такі фоторезисти можуть бути нанесені з допомогою випаровування у вакуумі, тобто в одному циклі з нанесенням функціональних шарів в мікроелектронному виробництві. Крім того, такі фоторезисти мають високий показник заломлення (від 2,3 до 3,0 і навіть вище в ультрафіолетовій області спектра), вони стабільні, не потребують термічної обробки після нанесення і прозорі в інфрачервоній області спектра від 600 нм до 12-15 мкм. Високе значення показника заломлення (в 1,5-2 разу вище, ніж стандартних органічних фоторезистів) дозволяє ефективно використовувати халькогенідні форторезисти в імерсійній фотолітографії. В результаті опромінення світлом властивості термічно осаджених у вакуумі плівок халькогеніду суттєво змінюються, зокрема змінюються їх оптичні, механічні характеристики, розчинність в хімічних травниках. Фотостимульовані зміни в таких плівках мають дві компоненти: реверсивну та нереверсивну [1]. Використання халькогенідних плівок як фоторезистів пов'язано саме з нереверсивною зміною їх розчинності [2]. Після експонування швидкість розчинення плівок змінюється і в залежності від складу плівки та типу використаного розчинника можна отримати різну величину селективності, тобто відношення швидкостей розчинення експонованих та неекспонованих ділянок плівки. Як правило, в халькогенідах спостерігається травлення негативного типу, тобто коли експоновані ділянки розчиняються повільніше, ніж неекспоновані. В патенті [2] описано традиційний метод фотолітографії з використанням плівок халькогенідів як фоторезистів. Він включає вакуумне нанесення фоторезисту за допомогою термічного випаровування, експонування та після експозиційне селективне травлення. В результаті формується літографічна маска, через яку можливо обробляти матеріал підкладинки. Достатньо висока селективність травлення (тобто світлочутливість фоторезиста) спостерігається лише в халькогенідних плівках на основі миш'яку - складу As-S, As-Se та As-SSe. Плівки на основі халькогенідів германію малочутливі і для їх використання як фоторезистів необхідно нанесення додаткового шару срібла, що значно ускладнює технологічний процес [3]. Нереверсивні фотостимульовані зміни в халькогенідних резистах пов'язані з фотостимульованими структурними змінами осаджених у вакуумі шарів халькогенідів. Основним типом зв'язків у матриці аморфного халькогеніду складу As-S-Se є зв'язки миш'якхалькогенід. Однак, в термічно осадженій у вакуумі плівці спостерігається значний вміст "неправильних" зв'язків As-As, S-S, та Se-Se, присутні також пори та пустоти. В результаті освітлення чи відпалу відбувається полімеризація молекулярних груп в основну матрицю халькогенідного скла і кількість гомополярних зв'язків та пустот зменшується, що і призводить до зміни фізико-хімічних властивостей плівки, зокрема і розчинності. Основними критеріями при виборі травників для резистних шарів ХС є висока селективність і хороша якість травленої поверхні. Для негативного травлення резистних шарів AS 2S3 відомі водні розчини неорганічних [4] та органічних реагентів-основ [5]. Характерними недоліками цих травників є невисокі значення селективності (~10), неоднорідність травлення. Досить високу селективність (~100) і хорошу якість травленої поверхні забезпечують безводні травники на основі етилендіаміну і етилового спирту [6], або метиламіну і етилового спирту [7], етилендіаміну і диметилформаміду [8], етилендіаміну, ацетону і диметилсульфоксиду [9-11]. Всі ці селективні травники є травниками негативного типу. Вони дозволили реалізувати процес інтерференційної літографії з використанням халькогенідних фоторезистів (патенти [9], [11], [7], [12]). Цей технологічний процес включає вакуумне нанесення фоторезисту за допомогою термічного випаровування, експонування (однократне, чи двократне) інтерференційним світловим полем, сформованим шляхом накладання когерентних пучків лазерного випромінювання, та після експозиційне селективне травлення. В результаті формується періодична рельєфна структура, яку можна використовувати як голографічні оптичні елементи, захисних голограм, елементів інтегральної оптики та ін. Однак описані способи реалізації процесу фотолітографії на шарах халькогенідного резисту характеризуються певними недоліками. Термічно осаджені плівки халькогенідів містять дефекти, пори, обірвані зв'язки, які створюють дефекти і в літографічній масці. Більш 1 UA 99226 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 однорідними та значно менш дефектними є плівки, відпалені при температурі близькій до температури розм'якшення халькогенідного скла. Однак в традиційному способі літографії такі плівки є нечутливими і на них неможливо сформувати літографічну маску, чи рельєфну структуру за допомогою інтерференційної літографії. Крім того, як згадувалось вище, нечутливими є також халькогеніди германію, які нетоксичні і мають переваги перед сполуками миш'яку з екологічної точки зору. Також нечутливими є плівки халькогенідів миш'яку, які осаджені на підкладинку за допомогою електронно-променевого випаровування, лазерного чи високочастотного магнетронного розпилення у вакуумі, нанесені на підкладинку із розчинів. Такі способи осадження забезпечують меншу дефектність плівок, тому для використання їх в традиційних способах фото- та інтерференційної літографії необхідно осадження додаткового шару срібла, що суттєво ускладнює технологічний процес і не дозволяє отримувати якісний рельєф, чи літографічну маску. В основу винаходу поставлено задачу спростити технологічний процес виготовлення за допомогою халькогенідних фоторезистів літографічних масок, а також рельєфних структур і підвищити їх якість внаслідок зменшення імовірності утворення дефектів на поверхні фоторезисту. Нечутливість до світлового випромінювання відпалених плівок пов'язана з тим, що в них відбулась полімеризація обірваних зв'язків, перебудова монополярних зв'язків в біполярні, зменшення вмісту пор та пустот. Невеликі реверсивні зміни структури, які спостерігаються у відпалених плівках, не приводять до помітної зміни розчинності в селективних травниках. Однак, як показали останні дослідження [13], у відпалених плівках халькогенідів спостерігаються також перехідні фотостимульовані зміни структури, які існують лише протягом експонування плівки і швидко релаксують після виключення освітлення. Як показали дослідження авторів заявки, такі перехідні зміни структури супроводжуються зміною розчинності халькогеніду в селективному травнику, причому травники негативної дії розчиняють освітлені місця (лише in situ, тобто в процесі освітлення) плівки халькогеніду - тобто діють як позитивні травники. Тому для вирішення поставленої задачі пропонується реалізувати фотолітографічний процес (в тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах халькогеніду, відпалених при температурі, близькій до температури розм'якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного травлення таких шарів. Вирішення поставленої задачі досягається тим, що спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних фоторезистів, який включає нанесення на підкладинку шару фоторезисту з неорганічної халькогенідної сполуки, експонування фоторезисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проектування на фоторезист зображення відповідного фотошаблона, чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення фоторезисту в безводному травнику на основі амінів відрізняється тим, що перед експонуванням плівки халькогенідного фоторезисту відпалюють протягом 1-3 годин при температурі від T g-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, а експонування і селективне травлення халькогенідного фоторезисту здійснюють одночасно. Спосіб відрізняється також тим, що як халькогенідні фоторезисти використовують подвійні або потрійні сполуки As, Ge, S та Se. Спосіб відрізняється також тим, що нанесення халькогенідних фоторезистів здійснюють у вакуумі за допомогою термічного або електронно-променевого випаровування, лазерного чи високочастотного магнетронного розпилення. Спосіб відрізняється також тим, що нанесення халькогенідних фоторезистів здійснюють шляхом осадження на підкладинку із розчинів. Спосіб ілюструється схемою послідовності виконання технологічних операцій, що використовуються для отримання літографічної маски чи періодичної рельєфно-фазової структури. Фіг. 1. Послідовність виконання технологічних операцій для отримання літографічної маски. На схемі використано наступні позначення: 1 - підкладинка, 2 - адгезивний шар, 3 халькогенідний фоторезист, 4 - прозора кювета, 5 - селективний травник. Зображені на Фіг. 1 фрагменти здійснення способу ілюструють наступне. На поліровану підкладинку 1 методом термічного вакуумного осадження наносять послідовно адгезивний шар 2, та шар фоторезисту 3 (Фіг. 1, а). Далі фоторезист відпалюють при температурі від T g-5 до Tg15° С, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду. Після цього зразок помішують у 2 UA 99226 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 посудину із прозорим селективним травником та прозорою плоскою стінкою і здійснюють експонування за допомогою установки проекційної фотолітографії. Під час експонування відбувається селективне розчинення освітлених ділянок халькогеніду в результаті чого формується літографічна маска (Фіг. 1, б). Наступним кроком є травлення адгезивного шару через отриману халькогенідну маску (Фіг. 1, в). В результаті отримуємо подвійну резистивну маску, яка може бути використана для травлення чи інших технологічних обробок підкладинки. Фіг. 2. Послідовність виконання технологічних операцій для отримання періодичної рельєфно-фазової структури. На схемі використано ті ж позначення, що і на Фіг. 1. Такими ж залишаються спосіб нанесення фоторезисту та умови його відпалу (Фіг. 2, а). Після відпалу зразок поміщують у посудину із прозорим селективним травником та прозорою плоскою стінкою і здійснюють експонування фоторезисту в зоні інтерференційної картини когерентних світлових пучків лазерного випромінювання. Під час інтерференційного експонування також відбувається селективне розчинення освітлених ділянок халькогеніду в результаті чого на поверхні шару 3 формують ID літографічну маску з заданою умовами експонування просторовою частотою (Фіг. 2, б). Спосіб, що заявляється дає можливість проводити багатократне експонування із поворотом чи зсувом проекційної картини чи інтерференційної картини відносно зразка. Це дає можливість формувати на поверхні фоторезисту складні двовимірні рельєфно-фазові структури, чи літографічні маски. Спосіб відрізняється також тим, що на відміну від традиційної літографії з використанням халькогенідних резистів, де селективні травники є травниками негативного типу, в даному способі розчиняються освітлені ділянки фоторезисту, тобто відбувається травлення позитивного типу, що розширює можливості його використання. Запропонований спосіб має ряд переваг, порівняно з традиційними літографічними технологіями. Він реалізується на відпалених шарах халькогенідів, які характеризуються значно меншою дефектністю порівняно з термічно осадженими і невідпаленими плівками. Це дозволяє отримувати якісніші літографічні маски, чи періодичні рельєфно-фазові структури. Після відпалу, при одночасному експонуванні і травленні достатню світлочутливість проявляють також і халькогеніди на основі германію. Це дозволить використовувати ці більш екологічно прийнятні сполуки як фоторезисти. Процеси травлення та експонування в даному способі суміщені, що зменшує кількість технологічних операцій в фотолітографічному процесі. Крім того, фотостимульоване розчинення халькогенідів відбувається лише у освітлених місцях. Це дозволяє отримувати за допомогою запропонованого способу маски та рельєфні структури з глибоким рельєфом завдяки відсутності бокового ізотропного підтравлювання, яке має місце в традиційній літографічній технології при використанні рідинного травлення. Тобто рідинне травлення по способу, що заявляється, є аналогом більш затратного сухого анізотропного травлення в традиційній технології. В даному способі для нанесення плівок халькогеніду можна використовувати також і більш технологічні методи осадження тонких плівок: електроннопроменеве випаровування, лазерне чи високочастотне магнетронне розпилення, нанесення на підкладинку із розчинів. Після відпалу протягом 1-3 годин при температурі, близькій до температури розм'якшення властивості всіх плівок халькогенідів наближаються до властивостей халькогенідного скла відповідного складу, незалежно від способу нанесення. Збільшення часового інтервалу відпалу може призвести до окислення (відпал відбувається на повітрі) плівок та зміни їх властивостей. В цілому спосіб дозволяє значно спростити технологічний процес виготовлення літографічних масок а також рельєфних мікроструктур і підвищити якість внаслідок зменшення імовірності утворення дефектів на поверхні фоторезисту. Винахід належить до галузі сучасних високотехнологічних розробок і може бути використаний в мікроелектронному виробництві, а також при виготовленні різних типів періодичних рельєфних структур субмікронних розмірів, що слугують дифракційними елементами в інтегральній оптиці, сенсорній та лазерній техніці. Нижче наведені приклади реалізації запропонованого способу. Приклад 1. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного 3 осадження у вакуумі 2,5·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S30Se30 товщиною 150 нм. Потім зразок відпалюють на повітрі при температурі 165 °C протягом 1 години (Tg для As40S30Se30 дорівнює 170 °C). Відпалений зразок розміщують у кварцовій кюветі, заповненій селективним травником на основі безводного розчину етилендіаміну. Експонування здійснюють через металеву маску використовуючи колімоване інтегральне випромінювання ртутної лампи ДРШ-250. При густині потужності випромінювання 3 UA 99226 C2 2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 0,4 Вт/см час одночасного експонування та травлення складав 30 секунд. Після експонування з травленням, промивання та просушування за допомогою стисненого повітря отримали літографічну маску з шару халькогеніду. Наступний етап - травлення хрому в розчині соляної кислоти та формування двошарової маски хром-халькогенід. При цьому товщина неосвітлених ділянок фоторезисту не змінилась. Експонування протягом меншого часу не приводить до повного протравлювання халькогеніду. Приклад 2. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного 3 осадження у вакуумі 2,5·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S20Se40 товщиною 150 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1 (при цьому мінімальний час експонування, при якому відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 55 секунд). Температура відпалу теж становить 165 °C оскільки Tg для As40S20Se40 дорівнює 170 °C. В результаті отримують двошарову маску хром-халькогенід. Приклад 3. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного 3 осадження у вакуумі 2,5·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар AS40S40 товщиною 550 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, (при цьому мінімальний час експонування, при якому відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 4 хвилин). Температура відпалу становить 175 °C оскільки Tg для AS40S40 дорівнює 184 °C, а час відпалу складав 3 години. В результаті отримують двошарову маску хром-халькогенід. Приклад 4. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного 3 осадження у вакуумі 2,5·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As4S66Ge30 товщиною 200 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, (при цьому мінімальний час експонування, при якому відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 5 хвилин). Температура відпалу становить 480 °C оскільки Tg для As4S66Ge30 дорівнює 492 °C. В результаті отримують двошарову маску хромхалькогенід. Приклад 5. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом елктронно3 променевого розпилення у вакуумі 1·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар Ge25Se75 товщиною 150 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, (при цьому час експонування, при якому відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 5 хвилин). Температура відпалу становить 380 °C оскільки Tg для Ge25Se75 дорівнює 386 °C. В результаті отримують двошарову маску хромхалькогенід. Приклади 1-5 показують, що швидкість травлення в селективному травнику при однакових умовах експонування залежить від складу халькогеніду. Найбільша швидкість травлення відпалених плівок потрійного складу As40S30Se30. Приклад 6. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом вакуумного 3 термічного осадження у вакуумі 2,5·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S20Se30 товщиною 150 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, проте експонування здійснюють випромінюванням напівпровідникового лазера з довжиною хвилі 410 нм. При густині потужності випромінювання 2 0,12 Вт/см мінімальний час експонування, при якому відбувається повне протравлення халькогеніду, складає біля 35 секунд. Після травлення хрому в розчині соляної кислоти отримують двошарову маску хром-халькогенід. Приклад 7. На поліровану пластинку кремнію (Si) марки КЭФ методом термічного 3 осадження у вакуумі 2,5·10- Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S20Se30 товщиною 150 нм. Далі виконують наступні технологічні операції, описані в прикладі 1, проте експонування здійснюють випромінюванням напівпровідникового лазера з 2 довжиною хвилі 630 нм. При густині потужності випромінювання 0,14 Вт/см час експонування складав 15 хвилин. При цьому травлення освітлених ділянок халькогеніду не спостерігалось. Приклади 6 та 7 показують, що ефект травлення відпалених плівок халькогеніду в селективному травнику під час експонування спостерігається лише в тому випадку (приклад 6), коли експонування здійснюється світлом спектрального складу із області міжзонного поглинання халькогеніду. Приклад 8. На плоску поліровану пластинку, виготовлену з оптичного скла марки К8, -3 методом термічного осадження у вакуумі 2,5·10 Па послідовно наносять адгезивний шар хрому товщиною ~ 30 нм та шар As40S20Se30 товщиною 150 нм. Далі зразок відпалюють на повітрі при температурі 165 °C протягом 1 години і розміщують у кварцовій кюветі, заповненій селективним травником на основі безводного розчину етилендіаміну. Експонування здійснюють 4 UA 99226 C2 5 10 15 20 25 30 інтерференційним світловим полем, сформованим двома когерентними пучками випромінювання гелій-кадмієвого лазера з довжиною хвилі 440 нм. Просторова частота -1 інтерференційної картини складала 1370 мм . При густині потужності випромінювання 0,075 2 Вт/см час експонування складав 15 хвилин. Після експонування, промивання та просушування за допомогою стисненого повітря отримали періодичну рельєфну структуру на поверхні шару халькогеніду у вигляді дифракційної ґратки із вказаною вище просторовою частотою. Дифракційна ефективність ґратки визначалась як відношення інтенсивності світла, дифрагованого в перший порядок, до інтенсивності падаючого на ґратку пучка в схемі Літтрова. Для довжини хвилі 632 нм дифракційна ефективність в неполяризованому світлі становила біля 30 %. В цьому прикладі показана можливість запропонованого технічного рішення формувати в одному технологічному процесі високочастотні рельєфно-фазові дифракційні структури. Таким чином, наведені приклади демонструють, що спосіб, що заявляється, дозволяє спростити технологічний процес виготовлення з допомогою халькогенідних фоторезистів літографічних масок, а також рельєфних структур і підвищити їх якість внаслідок зменшення імовірності утворення дефектів на поверхні фоторезисту та, за рахунок переходу від негативного до позитивного травлення, розширити можливості його використання. Джерела інформації: 1. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл-полупроводник /И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум и др.- Киев: Наук, думка, 1992.-240 с. 2. Патент США № 3,762,325, G03F 7/004 (20060101); B41n 001/00, 1973. 3. Патент США № 4,127,414, G03F 1/08 (20060101); G03F 7/004 (20060101), 1978. 4 4. А.с. ЧССР № 239785, МПК G 03 С 1/76, 1984. 4 5. А.с. СССР № 1160483, МПК Н 01 L 21/302, 1985. 5 6. Патент України № 7442, МПК G02B 5/18, 1995. 5 7. Патент України № 4737, МПК G03H 1/18, 1994. 5 8. Патент України № 7443, МПК G03H1/18, G02B5/32, 1995. 5 9. Патент Російської Федерації № 2008285, МПК С 03 С 15/00, 1994. 6 10. Патент України № 34995 А МПК С 03С 15/00, С 0ЗС 23/00, G 03C 1/76, 2001. 6 11. Патент України № 36209 А, МПК G 03Н 1/18, G 02В 5/32, 2001. 7 12. Патент № 87393 України, МПК G03H 1/26; G03G 5/082; G03F 7/00, 2009. 13. Ashtosh Ganjoo, H. Jain, S. Khalid, Atomistic observation of photo-expansion and photocontraction in chalcogenide films by in situ EXAFS / Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 2673-2678. 35 ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 40 45 50 1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних фоторезистів, який включає нанесення на підкладинку шару фоторезисту з неорганічної халькогенідної сполуки, експонування фоторезисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду, шляхом проектування на фоторезист зображення відповідного фотошаблона, чи інтерференційного поля, сформованого двома когерентними світловими пучками і селективне травлення фоторезисту в безводному травнику на основі амінів, який відрізняється тим, що перед експонуванням плівки халькогенідного фоторезисту відпалюють протягом 1-3 годин при температурі від Tg - 5 до Tg - 15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, а експонування і селективне травлення халькогенідного фоторезисту здійснюють одночасно. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як халькогенідні фоторезисти використовують подвійні або потрійні сполуки As, Ge, S та Se. 3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нанесення халькогенідних фоторезистів здійснюють у вакуумі за допомогою термічного або електронно-променевого випаровування, лазерного чи високочастотного магнетронного розпилення. 4. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нанесення халькогенідних фоторезистів здійснюють шляхом осадження на підкладинку із розчинів. 5 UA 99226 C2 6 UA 99226 C2 Комп’ютерна верстка Л. Купенко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 7