Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури
Номер патенту: 39868
Опубліковано: 10.03.2009
Автори: Романюк Борис Миколайович, Мельник Павло Вікентієвич, Мельник Віктор Павлович, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович
Формула / Реферат
1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж 10-30 хв., після чого проводять низькотемпературний відпал структури з Si-нк при температурі 440-460 °С, впродовж 1-6 год. в атмосфері, що додатково містить кисень, при такому співвідношенні компонентів в суміші:
азот
70-80 об. %
кисень
решта.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що структуру додатково відпалюють в атмосфері водню при 450-480 °С впродовж 2-3 год.
Текст
1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), фо 3 39868 із методів підвищення інтенсивності люмінесценції. Для виготовлення таких стр уктур використовуються методи іонної імплантації кремнію в плівку SiO2, або напилення плівок SiOx на кремнієву підкладку (методами термічного розпилення, магнетронного розпилення, розпилення електронним променем, плазмохімічного осадження з парової фази та ін.) з наступним високотемпературним відпалом. Спектральний максимум фотолюмінісценції (ФЛ) таких структур знаходиться в діапазоні довжин хвиль світла від 590 нм до 750 нм. Проте такі матеріали мають низький зовнішній квантовий вихід (< 1,6 %). Для досягнення високого квантового виходу фото- або електролюмінісценції таких структур важливим завданням є отримання активного випромінюючого шару з високою концентрацією нанокластерів Si, вбудованих в діелектричну матрицю, і з малою кількістю центрів безвипромінювальної рекомбінації. В [1] запропоновано спосіб формування випромінювальних нанокристалічних структур на базі плівок SiOx (x
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for manufacturing photoluminescent silicon nanocluster structure
Автори англійськоюRomaniuk Borys Mykolaiovych, Melnyk Pavlo Vikentiiovych, Popov Valentyn Heorhiiovych, Melnyk Viktor Pavlovych, Khatsevych Ihor Myroslavovych
Назва патенту російськоюСпособ изготовления фотолюминесцентной кремниевой нанокластерной структуры
Автори російськоюРоманюк Борис Николаевич, Мельник Павел Викентьевич, Попов Валентин Георгиевич, Мельник Виктор Павлович, Хацевич Игорь Мирославович
МПК / Мітки
МПК: H01L 29/00, H01L 21/00
Мітки: кремнієвої, фотолюмінесцентної, спосіб, структури, нанокластерної, виготовлення
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-39868-sposib-vigotovlennya-fotolyuminescentno-kremniehvo-nanoklasterno-strukturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури</a>
Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури
Номер патенту: 85477
Опубліковано: 26.01.2009
Автори: Оберемок Олександр Степанович, Романюк Борис Миколайович, Гамов Дмитро Вікторович, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович
МПК: H01L 21/00, H01L 29/00
Мітки: фотолюмінесцентної, спосіб, кремнієвої, нанокластерної, структури, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...
Багатошарова контактна система до кремнієвої структури з мілкозалегаючим p-n переходом
Номер патенту: 36917
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна
МПК: H01L 29/40
Мітки: переходом, багатошарова, система, контактна, структури, кремнієвої, мілкозалегаючим
Текст:
...рівняння: T1=T 2+DRT×P (4) DRT - гранично допустиме значення теплового опору бар'єрного шару; Р - потік тепла через бар'єрний шар. Вирішуючи (2) відносно L, знаходимо гранично максимальну товщин у бар'єрного шару: м3 Q - кількість речовини, накопиченої на поверхні розділу метал-бар'єрний шар, атом . м3 2 Новими ознаками, які має дане технічне рішення порівняно з прототипом, є виконання бар'єрного шару з певним відношенням титану до азоту і...
Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію
Номер патенту: 75793
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Данько Віктор Андрійович, Шепелявий Петро Євгенович, Майданчук Іван Юрійович, Індутний Іван Захарович, Минько Віктор Іванович
МПК: H01L 21/265
Мітки: кремнію, світловипромінювального, спосіб, основі, одержання, матеріалу
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію, який включає осадження в вакуумі на підкладку шару субоксиду кремнію SiOx, де х менше 2 і наступного термічного відпалу цього шару при підвищеній температурі в атмосфері інертного газу або у вакуумі, який відрізняється тим, що під час осадження шару SiOx підкладку орієнтують під кутом від 20 до 80 градусів між нормаллю до підкладки і напрямком потоку осаджуваної...
Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки пористого кремнію
Номер патенту: 50353
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Каганович Елла Борисівна, Манойлов Едуард Геннадійович, Кізяк Ірина Миронівна, Примаченко Віктор Євгенович
МПК: H01L 21/203, H01L 21/268
Мітки: фотолюмінесцентної, плівки, спосіб, формування, кремнію, пористого
Формула / Реферат:
Спосіб формування фотолюмінесцентної плівки пористого кремнію, що включає лазерну абляцію кремнієвої мішені в атмосфері інертного газу, осадження плівки із зворотного потоку часток ерозійного факела на розташовану в площині мішені підкладку та пасивацію внутрішньої поверхні плівки, який відрізняється тим, що абляцію здійснюють променем лазера ІAГ:Nd3+ з довжиною хвилі 1,06 мкм, густиною енергії імпульсу 15-30 Дж/см2, його тривалістю 8-12 нс...
Спосіб виготовлення щільникової структури
Номер патенту: 38016
Опубліковано: 15.05.2001
Автор: Наливка Григорій Данилович
МПК: B28B 3/20
Мітки: виготовлення, спосіб, структури, щільникової
Текст:
...%); алюміній 40-70% кремній залишок а кінцеве спікання заготовки здійснюють шляхом азотування у потоці азоту з надмірним тиском 0,10,2 МПа за двоступінчатим режимом: 1 ступінь нагрівання до 800-1100°С протягом 1,5-2 години, 2 ступінь - нагрівання до 1200-1300°С протягом 0,81,2 години; або як матричний порошок використовують нітрид алюмінію і нітрид титану, при цьому пластичну масу з них виробляють окремо, розміщують пошарово чи...
Попередній патент: Привід штанговий насосної установки з нереверсивним інерційно-вантажним зрівноважуванням
Наступний патент: Плазмон-поляритонний фотодетектор для визначення концентрації домішок етанолу в газових сумішах
Випадковий патент: Харчовий екструдований продукт