Патенти з міткою «відбраковки»

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 17.06.2002

Автор: Єрдяков Сергій Валерійович

МПК: H01H 49/00

Мітки: спосіб, реле, електромагнітних, поляризованих, регулювання, партії, відбраковки, двообмоткових

Формула / Реферат:

Способ регулировки и отбраковки партии электромагнитных двухобмоточных поляризованных реле, при котором постоянный магнит каждого поляризованного реле намагничивают магнитным полем одного направления, величина которого достаточна для его насыщения, выставляют регулировочные параметры каждого поляризованного реле и определяют его напряжение срабатывания, в случае отклонения напряжения срабатывания указанного поляризованного реле от заданной...

Номер патенту: 9783

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Чекмезов Олександр Миколайович, Пенцак Іван Борисович, Молчанов Костянтин Вікторович, Остапчук Анатолій Іванович

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, G01R 31/01 ...

Мітки: схем, кмон, відбраковки, спосіб, інтегральних, ненадійних

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки ненадежных КМОП интегральных схем, включающий пропускание стабильного тока между одним из питающих выводов, объединенным с входными выводами интегральной схемы, и другим питающим выводом интегральной схемы, измерение напряжения между питающими выводами интегральной схемы, отбраковку интегральной схемы по результатам измерений, отличающийся тем, что измеряют напряжение между питающими выводами интегральной схемы при...

Номер патенту: 7149

Опубліковано: 30.06.1995

Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Остапчук Анатолій Іванович, Молчанов Костянтин Вікторович, Чекмезов Олександр Миколайович, Воронцов Володимир Анатолійович, Пенцак Іван Борисович

МПК: G01R 31/26

Мітки: відбраковки, ненадійних, спосіб, кмон

Текст:

...замер пробивного напряжения (фиг. 1, где для ИС N: 1, 2 и 3 на кривых ВАХ 1, 2, 3 соответствующими пробивными напряжениями являют- 45 ся Ui\ U2' и из'). Полученные результаты сравнивают с имеющимся (для каждого типа приборов) эталонным пробивным напряжением UN. ИС со значениями пробивного наполнения меньшим U N отбраковываются 50 (например, кривая 2 на фиг. 1, где U2' < UN). На втором этапе замеряют пробивные напряжения при...

Номер патенту: 6595

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Бідник Дмитро Ілліч, Молчанов Костянтин Вікторович, Пенцак Іван Борисович

МПК: G01R 31/28

Мітки: інтегральних, відбраковки, схем, спосіб

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки интегральных схем, включающий подачу на объект контроля напряжения питания и испытательных сигналов, замер первого и второго значений сопротивления, определение информативного параметра и отбраковку, отличающийся тем, что в качестве информативного параметра используют квазиравновесное сопротивление объекта контроля в активном режиме, а его значение при номинальном испытательном режиме принимают за эталон, при этом...

Номер патенту: 2905

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Іллюк Ігор Євгенович, Воронцов Володимир Анатолійович, Чекмезов Олександр Миколайович, Михальчук Леонід Миколайович, Пенцак Іван Борисович, Молчанов Костянтин Вікторович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: G01N 27/20, G01R 17/00

Мітки: спосіб, схем, відбраковки, інтегральних, кмон

Формула / Реферат:

Способ отбраковки КМОП интегральных схем, включающий подачу на объект контроля испытательных воздействий между входными и питающими выводами, замер информативных параметров, сравнение их с эталонными значениями, отбраковку, отличающийся тем, что в качестве информативных параметров используют значения напряжения при номинальном и максимально допустимом токах, а в качестве эталона - нормируемое напряжение при номинальном токе, при этом сначала...

Номер патенту: 1056

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Сазонов Сергій Миколайович, Усатенко Василь Григорович, Сердюк Гай Борисович

Мітки: інтегральних, ненадійних, мікросхем, спосіб, відбраковки, нестабільних, потенційно

Формула / Реферат:

1. Способ отбраковки потенциально ненадежных и нестабильных интегральных микросхем, заключающийся в том, что выбирают пары выводов контролируемых интегральных микросхем, между которыми содержатся р-n-переходы, подают на выбранные лары выводов линейно возрастающее ступенчатое напряжение и регистрируют на заданном участке вольт-амперной характеристики величину информативного параметра, по которому проводят отбраковку дефектных микросхем,...