Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ отбраковки КМОП интегральных схем, включающий подачу на объект контроля испытательных воздействий между входными и питающими выводами, замер информативных параметров, сравнение их с эталонными значениями, отбраковку, отличающийся тем, что в качестве информативных параметров используют значения напряжения при номинальном и максимально допустимом токах, а в качестве эталона - нормируемое напряжение при номинальном токе, при этом сначала отбраковывают интегральные схемы с напряжением при номинальном токе меньшем эталонного, а дальнейшую отбраковку производят в соответствии с критерием:

где UNN - напряжение при максимально допустимом токе. В;

UN - напряжение при номинальном токе, В;

 - численная величина, определяемая заданным полем допусков.

Текст

Изобретение относится к области контроля качества интегральных схем (ИС) и может быть использовано при изготовлении комплиментарных МОП (КМОП) ИС. Известен способ контроля [1], включающий подачу на интегральные схемы испытательных воздействий, замер информативных параметров и отбраковку. В качестве информативных параметров замеряется ток потребления объектов контроля, при заданном напряжении питания, а эталонным значением служит максимально допустимое напряжение источника питания. Такой способ не позволяет получить достаточно полное представление о характеристике приборов, так как при этом не представляется возможным судить о пробивных напряжениях ИС без потери ими работоспособности. Известен способ отбраковки КМОП интегральных схем, включающий подачу на объект контроля испытательных воздействий между входными и питающими выводами, замер информативных параметров, сравнения их с эталонными значениями и отбраковку [2]. При этом в качестве информативных параметров используют значение величины критического активного сопротивления в цепи питания, при котором прекращается функционирование ИС, после чего определяют значение критического сопротивления, соответствующего максимуму кривой распределения критических сопротивлений в контролируемой технологической партии. Эталоном, в данном случае, является критерий |Rкрит - Rкрит.м. | > d, где Rкрит. - индивидуальное критическое сопротивление ИС: Rкрит.м - критическое сопротивление ИС, соответствующее максимуму кривой распределения критических сопротивлений; d - численная величина, определяемая заданным уровнем надежности. Способ позволяет составить представление о начальном участке ветви вольт-амперных характеристик (ВАХ), но не дает возможности судить о параметрах ИС, приходящихся на участки, близкие и находящиеся в зоне развития лавинного процесса, что отрицательно сказывается на достоверности отбраковки. Задачей настоящего изобретения является создание такого способа отбраковки КМОП интегральных схем, в котором за счет более полного представления ВАХ в критериях, участвующи х в процессах, благодаря поэтапному их обследованию, повышается достоверность отбраковки изделий и, следовательно, качество выпускаемых изделий. Поставленная задача решена тем, что в способе отбраковки, включающем подачу на объект контроля испытательных воздействий между входными и питающими выводами. замер информативных параметров, сравнение их с эталонными значениями и отбраковку, согласно изобретению, в качестве информативных параметров используют значения напряжения при номинальном и максимально допустимом токах, а в качестве эталона - нормируемое напряжение при номинальном токе, при этом сначала отбраковывают интегральные схемы с напряжением при номинальном токе меньшем эталонного, а дальнейшую отбраковкупро-изводят в соответствии с критерием: где: UNN - напряжение при максимально допустимом токе, В; UN - напряжение при номинальном токе. В; a - численная величина, определяемая полем допусков. Техническим результатом, который при этом достигается, является повышение достоверности отбраковки. Предлагаемый способ основан на поэтапном обследовании ВАХ ИС. На чертеже представлен ряд характеристик приборов, где кривые 1 и 2 - ВАХ отдельных приборов; 3, 4 границы области характеристик ИС, обладающих достаточной надежностью. Точки 5, 6, 7 и соответствующие им значения пробивного напряжения U1, UN и U2, которые получают при номинальном стабильном токе IN. Точка 8 соответствует значению пробивного напряжения UNN, получаемому при максимально допустимом стабильном токе INN. При этом UN является нормируемым пробивным напряжением при номинальном токе IN. Отбраковка производится следующим образом. На первом этапе замеряют величину пробивного напряжения при IN. В случае, если значение U1 оказывается меньшим UN (кривая 1, точка 5), прибор отбраковывают. Если значение U2 оказывается большим UN (кривая 2, точка 7), у прибора замеряют значение U NN при токе INN (точка 8). Затем определяют D U как разницу между значениями UNN и UN и сравнивают с величиной a , определяемой заданным полем допусков или уровнем надежности. При значении D U меньшем a прибор считают соответствующим заданному уровню надежности. Значения D U (как и a ) могут быть как положительными, таки отрицательными в зависимости от расположения ВАХ в области правее UN, либо левее нормируемого пробивного напряжения. Величину критерия a для каждого типа ИС получают в результате испытаний на надежность. Пример: На первом этапе у КМОПИС серии 564 (564 ТМ2) производили замер величины пробивного напряжения при стабильном токе 1 мкА. Полученные результаты сравнивали с нормируемым пробивным напряжением, равным для данного изделия 20 В. Приборы со значением пробивного напряжения меньшим 20 В отбраковывали. Затем, на втором этапе, замеряли пробивное напряжение при максимально допустимом стабильном токе 1000 мкА. Определяли разницу пробивных напряжений UNN и UN и сравнивали с критерием отбраковки a . Для получения значения критерия a ИС 564 ТМ2, прошедшие первый этап отбраковки, устанавливали для испытаний на надежность при 125°С на 1000 часов. Данные испытаний сведены в таблицу. Приведенные значения позволяют разделить упомянутые изделия на три группы: 1. При a 1 2 - нестабильные. , Техническим результатом, получаемым при использовании способа, является повышение достоверности отбраковки за счет более полного представления ВАХ в критериях, участвующи х в процессе, что значительно повысит качество выпускаемых изделий.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for screening integrated circuits

Автори англійською

Bidnyk Dmytro Illich, Vorontsov Volodymyr Anatoliiovych, Illiuk Ihor Yevhenovych, Mykhalchuk Leonid Mykolaiovych, Molchanov Kostiantyn Viktorovych, Pentsak Ivan Borysovych, Chekmezov Oleksandr Mykolaiovych

Назва патенту російською

Способ отбраковки интегральных схем

Автори російською

Бидник Дмитрий Ильич, Воронцов Владимир Анатольевич, Иллюк Игорь Евгеньевич, Михальчук Леонид Николаевич, Молчанов Константин Викторович, Пенцак Иван Борисович, Чекмезов Александр Николаевич

МПК / Мітки

МПК: G01N 27/20, G01R 17/00

Мітки: інтегральних, схем, кмон, спосіб, відбраковки

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-2905-sposib-vidbrakovki-kmon-integralnikh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб відбраковки кмон інтегральних схем</a>

Подібні патенти