Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук а4в6, а2в6 методом сублімації

1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контей 3 87353 4 ней високотемпературної трубчатої печі має вікно ратури. Одна з торцевих граней цієї ампули має для спостереження за ростом кристалу, а частини плоску форму, а друга - з'єднана співвісно вздовж контейнера виготовляються у вигляді ампул із повздовжньої осі з ампулою 3. Ампула 3 має менкварцового скла. ший діаметр і по своїй довжині розташовується у Відповідність критерію "новизна" запропононизькотемпературній зоні "В" печі 2 із заданим ваному пристрою забезпечує та обставина, що значенням температури (Фіг.2). Торцева грань печі заявлена сукупність ознак не міститься в жодному 2 містить кварцове вікно 4, за допомогою якого з об'єктів існуючого рівня техніки. До такого виснопроводиться візуальне спостереження за ростом вку нас привів результат великого об'єму фізикокристалу 5. Внутрішня торцева грань трубки 3 мехімічних та технологічних досліджень. І ншого діаметру виготовлена у вигляді капіляру 6 У винаході запропоновано принципово нове (Фіг.1), який розташовується у високотемпературрішення для пристроїв вирощування монокристаній зоні печі 2 із заданим розподілом температури лів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом (Фіг.2). сублімації, що складається з контейнера для розЗапропонований пристрій працює наступним міщення наважки вихідних компонент термоелектчином. У кварцову ампулу діаметром d1=36мм, ричного матеріалу та високотемпературної трубдовжиною l1=200мм з плоскою торцевою гранню чатої печі з внутрішнім діаметром більшим за розміщували циліндричний злиток із загостреним зовнішній діаметр контейнера; контейнер складакінцем синтезованого матеріалу Cd-Zn-Te відповіється з двох, з'єднаних вздовж поздовжньої осі дного складу. Далі другу торцеву грань цієї ампули симетрії, частин, причому торець однієї частини з з'єднували по довжині з кварцовою ампулою менменшим діаметром має капіляр, виведений у висошого діаметру (d2=10мм, l2=150мм), торцева грань котемпературну зону другої частини з більшим якої, в свою чергу, мала капіляр певних довжини діаметром, у якій розміщується наважка; віднота діаметру (d3=0,36мм, l3=5мм). \ шення діаметрів капіляра частини контейнера з При розміщенні запропонованого пристрою у меншим діаметром до внутрішнього діаметра часзону теплової дії горизонтальної печі з заданим тини контейнера з більшим діаметром знаходиться розподілом температури внаслідок поступового випаровування з наступним переносом відповідв інтервалі і 0,01¸0,0075, при цьому хоч одна з них елементарних компонентів в кінці циліндричторцевих граней високотемпературної трубчатої ного злитку з загостреним кінцем виростав монопечі має вікно для спостереження за ростом крискристал Cd-Zn-Te відповідного складу. Швидкість талу, а частини контейнера виготовляються у вийого росту складала 2см3/добу. Отримані моногляді ампул із кварцового скла. кристали мали розмір 2,5x2,5x4,0 см з густиною Тому ознака - торець однієї частини з меншим дислокацій ~103см-2, обмежених природними градіаметром має капіляр, виведений у високотемпенями, що відповідають площинам (110), (111), ратурну зону другої частини з більшим діаметром, (100). у якій розміщується наважка; відношення діаметПроведені дослідження показали, що напіврів капіляра частини контейнера з меншим діамеширини кривих гойдання для площин відбивання тром до внутрішнього діаметра частини контейнена рентгенограмах СuКa - випромінювання з індекра з більшим діаметром знаходиться в інтервалі сами Міллера (111), (220), (311), (422), (331), 0,01¸0,0075, при цьому хоч одна з торцевих граотримані відповідно 25°, 17,5°, 13,6°, 28,8°, 13,6°, ней високотемпературної трубчатої печі має вікно при цьому об'ємних ; дефектів і механічних напруг для спостереження за ростом кристалу, а частини не виявлено. Кристали отримувались як n-, так і pконтейнера виготовляються у вигляді ампул із типу провідності з концентрацією носіїв струму [Д]кварцового скла - забезпечує пристрою, який за3×1014см-3, акцепторів [А]=1,7×1015 см-3, при цьому являється, необхідний "винахідницький рівень". Промислове використання запропонованого рухливість носіїв складала 326см3/В×с, 69см3/В×с, винаходу не вимагає спеціальних технологій і мавідповідно. При відхилені від заявленого співвідтеріалів, його реалізація можлива на існуючих підношення в більшу сторону зростали втрати матеприємствах електронної і приладобудівної промиріалу через капіляр, а при відхилені в меншу стословості. рону з'являлись виділення надлишкового На Фіг.1 представлено схематичну конструкцію компонента у вигляді включень. одного з можливих варіантів пристроїв для вироЛітература щування монокристалів твердих розчинів сполук 1. Tamari N., Shtrikman H. Non-seeded growth of А4В6, А2В6 методом сублімації, а на Фіг.2 - темпеlanger single Pb1-xSnxTe crystals on a suarface // J. ратурний розподіл, який встановлюється вздовж Cryst. Growth. - 1978. - V.43. - P.378-380. довжини запропонованого пристрою. 2. Anderzej Szczerbakow, Ken Durose, SelfПристрій для вирощування монокристалів selecting vapour growth of bulk crystals - Principles 4 6 2 6 твердих розчинів сполук А В , А В методом субand applicability // J.Cryst. Growth. - 2005. - V.51 лімації, (Фіг.1), складається із ампули 1 з наважP.81-108. кою, яка розташована у високотемпературній зоні "А" трубчатої печі 2 з заданим розподілом темпе 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 87353 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601