Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю
Номер патенту: 54833
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Чав'як Іван Ігорович, Ткачук Андрій Іванович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович
Формула / Реферат
1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що час витримки на повітрі t складає 30-40 год.
Текст
1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуу 3 54833 підкладку протягом певного часу . Температура випаровування складає Тв=(700±10) °С, а температуру осадження (підкладки) варіюють у межах Тп =(120-150) °С, час осадження (час експозиції) становить (5-90) хв. Температури випарника, осадження, а також час експозиції визначають структуру та товщину осадженого наноструктурованого матеріалу. Після цього плівки витримують на повітрі протягом (30 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 4 45) год. Перелік фігур креслення. Фіг. 1. Залежність термоелектричної потужності S2 від товщини d для плівок РbТе різного часу витримки на повітрі t, хв: 1 - свіжовирощені; 2 1480; 3 - 2760. Температура випаровування складає Тв=(700±10) °С, а температуру осадження (підкладки) Тп =150 °С, час осадження становить (590) хв. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for improvement of thermoelectric properties of lead telluride nanostructures
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Nykyrui Liubomyr Ivanovych, Chaviak Ivan Ihorovych, Tkachuk Andrii Ivanovych
Назва патенту російськоюСпособ улучшения термоэлектрических характеристик наноструктур теллурида свинца
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Никируй Любомир Иванович, Чавьяк Иван Игоревич, Ткачук Андрей Иванович
МПК / Мітки
МПК: B82B 3/00
Мітки: телуриду, свинцю, спосіб, наноструктур, термоелектричних, покращення, характеристик
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-54833-sposib-pokrashhennya-termoelektrichnikh-kharakteristik-nanostruktur-teluridu-svincyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю</a>
Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках ксі
Номер патенту: 54832
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Харун Лідія Тарасівна, Дзундза Богдан Степанович
МПК: C23C 14/24
Мітки: телуриду, підкладках, отримання, спосіб, свинцю, ксі, наноструктурованого
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю – телуриду тербію
Номер патенту: 43163
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна, Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович
МПК: C22C 32/00, C30B 1/00, C22C 5/00, C22C 1/00
Мітки: спосіб, тербію, сплавів, отримання, телуриду, термоелектричних, свинцю
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...
Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу
Номер патенту: 30390
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович
МПК: C01B 19/00, H01L 21/00
Мітки: телуриду, n-типу, термоелектричних, спосіб, основі, отримання, оптимізованих, свинцю, сплавів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності
Номер патенту: 30706
Опубліковано: 11.03.2008
Автор: Борик Віктор Васильович
МПК: C21D 1/00
Мітки: отримання, провідності, сплавів, спосіб, n-типу, телуриду, свинцю, термоелектричних
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...
Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю
Номер патенту: 24936
Опубліковано: 25.07.2007
Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: свинцю, телуриду, спосіб, основі, отримання, сплавів, термоелектричних
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю, який полягає у тому, що сплав синтезують у вакуумованих кварцових ампулах при температурах, вищих за температури плавлення вихідних речовин, для приведення у рівноважний стан здійснюють гомонізуючий відпал при температурах, нижчих за температуру плавлення сплаву, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи Рb, Те та Cd високого ступеня чистоти,...
Попередній патент: Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках ксі
Наступний патент: Спосіб отримання наноструктурованого pbte на поліаміді
Випадковий патент: Установка "m-ундадент"