G01N 27/12 — твердого тіла залежно від абсорбції текучого середовища, твердого тіла; залежно від реакції з текучим середовищем

Номер патенту: 29104

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Янсон Ігор Кіндратович, Єременко Андрій Вікторович, Поспєлов Олександр Петрович, Камарчук Геннадій Васильович

МПК: B82B 3/00, G01N 27/12

Мітки: сенсор, газовий, точково-контактний

Формула / Реферат:

Точково-контактний газовий сенсор, що включає два струмопідводи з розташованою між ними наноструктурою, розмір якої не перевищує довжину вільного пробігу носіїв заряду, який відрізняється тим, що як матеріал наноструктури використовують будь-яку тверду речовину, яка проводить струм.

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Євтух Анатолій Антонович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович

МПК: G01N 27/22, G01N 27/12

Мітки: виготовлення, чутливого, датчика, спосіб, газового, сірководню, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Номер патенту: 18836

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Кущ Євгенія Геннадіївна, Камарчук Геннадій Васильович, Заіка Олександр Сергійович, Александров Юрій Леонідович

МПК: G01N 27/12

Мітки: газу, складу, твердотільний, датчик

Формула / Реферат:

1. Твердотільний датчик складу газу, що містить діелектричну підкладку, газочутливий шар і електроди, який відрізняється тим, що як матеріал газочутливого шару використана іон-радикальна сіль 7,7,8,8-тетраціанохінодиметану.2. Датчик за п. 1, який відрізняється тим, що підкладка виконана, наприклад, зі склотекстоліту.3. Датчик за п. 1, який відрізняється тим, що підкладка виконана, наприклад, з поліаміду.4. Датчик за пп....

Номер патенту: 17424

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Куковицький Миколай Миколайович, Кущ Євгенія Геннадіївна, Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Камарчук Геннадій Васильович

МПК: G01N 27/12

Мітки: газовий, твердотільний, сенсор

Формула / Реферат:

1. Твердотільний газовый сенсор, що містить газочутливий шар і електроди, який відрізняється тим, що електроди, які знаходяться у контакті з газочутливим шаром, мають різну хімічну природу і сформовані з матеріалу газочутливого шару і металевого струмопідвода.2. Сенсор за п. 1, який відрізняється тим, що газочутливим шаром є іон-радикальна сіль 7,7,8,8-тетраціанохінодиметану.3. Сенсор за п. 1, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 72367

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Семко Людмила Степанівна, Кручек Ярослав Іванович, Горбик Петро Петрович, Шевляков Юрій Анатолійович, Чуйко Олексій Олексійович, Гаращенко Іван Іванович

МПК: G01N 27/12, G01N 27/00

Мітки: сенсор, газовий, матеріал, газосенсорний

Формула / Реферат:

1. Газосенсорний матеріал, що містить вуглець, який відрізняється тим, що як вуглець застосовують щонайменше розширений графіт.2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що розширений графіт додатково містить функціональні домішки, в склад яких входять одна або декілька модифікацій вуглецю і/або органічні матеріали, і/або неорганічні матеріали, і/або інші прийнятні матеріали.3. Матеріал за пп. 1 і 2, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 66563

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Суглоба Маргарита Олександрівна, Скрипник Юрій Олексійович, Курко Владимир Романович, Супрун Наталія Петрівна

МПК: G01N 27/12

Мітки: матеріалів, вологості, поверхневої, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю поверхневої вологості матеріалу, що містить вимірювальний і опорний електроди пробника, в якому опорний електрод з'єднаний з входом блока опорних резисторів та одним із входів диференційного підсилювача, смуговий підсилювач змінних напруг і квадратичний детектор, які послідовно з'єднані з виходом диференційного підсилювача, та вимірювальний прилад, який відрізняється тим, що в нього введені автоматичний перемикач,...

Номер патенту: 65129

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Ільницька Галина Дмитриївна, Невструєв Георгій Феодосович

МПК: G01N 27/12

Мітки: спосіб, дефектності, оцінки, матеріалу, варіанти, зерен, порошкового

Формула / Реферат:

1. Спосіб оцінки дефектності поверхні зерен порошкового матеріалу, який передбачає нанесення на дефектні мікроділянки поверхні зерен часток речовини у вигляді моношару, по кількісному визначенню яких оцінюють дефектність поверхні зерен порошкового матеріалу, який відрізняється тим, що як частки речовини використовують мікрочастки твердого матеріалу і додатково визначають масу часток речовини у вигляді моношару, що закріпилися на зернах, а...

Номер патенту: 63780

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Ширшов Юрій Михайлович, Відибіда Олександр Костянтинович, Павлюченко Олексій Сергійович, Кукла Олександр Леонідович

МПК: G01N 27/12, G01D 1/00

Мітки: газових, складу, сумішей, аналізу, хімічний, сенсор

Формула / Реферат:

Технічне рішення, що заявляється, відноситься до області аналітичної техніки для хімічного і біохімічного аналізу і може бути використане для підвищення метрологічних характеристик аналізаторів складу газових сумішей, принцип дії яких базується на селективній адсорбції-десорбції досліджуваних хімічних речовин специфічними адсорбуючими ділянками (рецепторними центрами). До таких аналізаторів відносяться прилади, в яких в якості первинного...

Номер патенту: 48602

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: газу, вимірювач

Формула / Реферат:

Вимірювач газу, який містить газочутливий опір, який відрізняється тим, що в нього введені два джерела постійної напруги, другий газочутливий опір, два біполярних транзистори, опір, індуктивність і ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом опору, а другий вивід опору підключений до бази першого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером другого біполярного транзистора, при цьому...

Номер патенту: 48601

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Прокопова Марія Олександрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01F 1/00, G01N 27/12

Мітки: газу, напівпровідниковий, вимірювач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий вимірювач газу, який містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені біполярний транзистор, два джерела постійної напруги, газочутливий резистор, індуктивність, ємність і резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з витоком польового...

Номер патенту: 48600

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/12

Мітки: газу, давач, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний давач газу, що містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені два джерела постійної напруги, два газочутливих польових транзистори, два резистори і дві ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора, витік якого з'єднаний з...

Номер патенту: 47906

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Прокопова Марія Олександрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: вимірювання, пристрій, газу

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання газу, що складається з польового газочутливого транзистора, який відрізняється тим, що додатково введені два джерела постійної напруги, газочутливий резистор, другий польовий газочутливий транзистор, індуктивність, ємність і резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора,...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Возний Орест Зеновійович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович, Шкумбатюк Петро Степанович

МПК: G01K 7/00, H01C 17/00, G01N 27/12, G01N 19/00 ...

Мітки: терморезистивного, датчика, спосіб, виготовлення, напівпровідникового

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...

Номер патенту: 18290

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Костенко Сергій Петрович, Августімов Віталій Леонідович, Остапчук Анатолій Іванович, Бідник Дмитро Ілліч, Насипайко Олександр Васильович

МПК: G01N 27/12

Мітки: вологості, датчика, елемент, чутливий

Формула / Реферат:

Чувствительный элемент датчика влажности, содержащий кремниевую пластину, на поверхность которой последовательно нанесены слои окисла и нитрида кремния, поверх последнего сформирован в виде прямоугольных полос слой поликристаллического кремния с двумя электродами, легированного ионами элементов III или V групп, с нанесенным материалом, сорбирующим влагу, отличающийся тем, что слой поликремния сформирован в виде двух ортогональных по осям...

Номер патенту: 14384

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Удовицький Віктор Григорович, Колос Надія Миколаївна, Орлов Валерій Дмитрієвич

МПК: G01N 27/12

Мітки: галогенами, датчик, повітря, загазованості

Формула / Реферат:

Датчик загазованности воздуха галогенами, содержащий диэлектрическую подложку, на кото­рой расположены подключенные к источнику из­мерительного напряжения и измерителю тока металлические электроды и нанесенный на эти элек­троды полупроводниковый слой, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности дат­чика к галогенам в области их микроконцентраций, равных ПДК рабочей зоны, полупроводниковый слой выполнен из...