Спосіб отримання полікристалічних шарів аiii вv на неорієнтуючій аморфній підкладці
Номер патенту: 19573
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович, Баганов Євген Олександрович
Формула / Реферат
Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з коефіцієнтом термічного розширення, відповідним до вибраної сполуки АIII BV.
Текст
Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній 3 19573 мованому по нормалі до межі розділу розчинрозплав - підкладка, а швидкість охолодження обирають у межах 0,1-0,5К/хв. Для отримання тонких полікристалічних плівок на неорієнтуючу підкладку наносять послідовним вакуумним напиленням елементи III і V груп. Потім цю підкладку з нанесеними шарами поміщують на плоский нагрівальний елемент, причому нанесені шари обернені до нагрівального елементу. Таке розташування пластини напиленими шарами до нагрівального елементу забезпечує заданий напрям градієнту температури. Температура задається зміною значення струму, що пропускається крізь нагрівальний елемент. Гомогенізація розчину-розплаву здійснюється при витримці протягом 10-30хв. при постійній температурі. При цьому в тонкому шарі розплаву елемента IIІ встановлюється концентраційний профіль елементу V групи, зумовлений температурним профілем в системі нагрівальний елемент-багатошарова структура. Зниження температури, що здійснюється шляхом Комп’ютерна верстка А. Крулевський 4 зменшення величини струму через нагрівальний елемент, призводить до пересичення розчинурозплаву і кристалізації. Швидкість охолодження обирається не більш, ніж 0,5К/хв. для забезпечення вказаного напрямку градієнта температури. Заданий напрямок градієнту температури забезпечує початок кристалізації від межі поділу підкладка-розчин-розплав. Тонкі полікристалічні шари АIII BV, одержані описуваним способом, не потребують дорогої монокристалічної підкладки, спосіб є відносно недорогим і простим з точку зору технології отримання, і може бути застосованим для виготовлення широкого спектру напівпровідникових приладів мікро- і оптоелектроніки. Зокрема, отримані таким способом тонкі шари полікристалічного антимоніду галію можуть бути використані для виготовлення термофотовольтаїчних перетворювачів, які за своїми характеристиками можуть наближатися до перетворювачів, виготовлених на основі монокристалів GaSb. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for forming the thin polycrystalline layer of material with аiii bv structure on a nonorientable amorphous substrate
Автори англійськоюBahanov Yevhen Oleksandrovych, Chernov Andrii Yuriiovych, Sarikov Andrii Viktorovych, Shutov Stanislav Viktorovych
Назва патенту російськоюСпособ создания тонкого поликристаллического слоя материала со структурой аiii bv на неориентируемой аморфной подложке
Автори російськоюБаганов Евгений Александрович, Чернов Андрей Юрьевич, Сариков Андрей Викторович, Шутов Станислав Викторович
МПК / Мітки
МПК: H01C 17/00
Мітки: отримання, аморфний, неорієнтуючій, шарів, спосіб, аiii, полікристалічних, підкладці
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-19573-sposib-otrimannya-polikristalichnikh-shariv-aiii-vv-na-neoriehntuyuchijj-amorfnijj-pidkladci.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання полікристалічних шарів аiii вv на неорієнтуючій аморфній підкладці</a>
Спосіб отримання тонких шарів а ііі в v
Номер патенту: 10404
Опубліковано: 15.11.2005
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович, Чернов Андрій Юрійович
МПК: H01C 17/00
Мітки: тонких, отримання, спосіб, шарів, ііі
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...
Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю
Номер патенту: 63548
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович
МПК: C30B 31/00
Мітки: цинку, шарів, провідністю, отримання, дірковою, сульфоселенідів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки та відпал кристалів, який відрізняється тим, що відпал кристалів проводять у насиченій парі індію при температурі 700-850°С.
Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 62235
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: H01L 21/208, C30B 29/40, C30B 19/00
Мітки: шарів, гетероепітаксійних, фазі, рідкої, одержання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 9615
Опубліковано: 17.10.2005
Автори: Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович, Марончук Ігор Євгенович, Курак Владислав Володимирович
МПК: C30B 19/00, C30B 29/40, H01L 021/208
Мітки: фазі, одержання, шарів, гомо, спосіб, рідкої, гетероепітаксійних
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...
Спосіб одержання епітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 14281
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/208, C30B 19/00, C30B 29/40
Мітки: одержання, спосіб, рідкої, фазі, епітаксійних, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...
Попередній патент: Кумулятивний перфоратор зі змінним зовнішнім діаметром
Наступний патент: Спосіб лікування хворих на хронічні захворювання скронево-нижньощелепного суглоба
Випадковий патент: Пристрій для перетворення кінетичної енергії потоків води в електроенергію з автоматичним регулюванням заглиблення ротора з лопатями у потік при зміні рівня води