Баганов Євген Олександрович
Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук
Номер патенту: 38628
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович
МПК: C30B 19/00, H01L 21/02, C30B 29/00 ...
Мітки: напівпровідникових, спосіб, сполук, вирощування, багатокомпонентних, шарів, гетероепітаксійного
Формула / Реферат:
Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...
Термофотовольтаїчний модуль
Номер патенту: 25444
Опубліковано: 10.08.2007
Автори: Баганов Євген Олександрович, Краснов Василь Олександрович, Лубяна Марія Дмитрівна, Аппазов Едуард Сейярович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H02N 6/00
Мітки: модуль, термофотовольтаїчний
Формула / Реферат:
Термофотовольтаїчний модуль, який складається з концентратора, емітера та термофотовольтаїчного перетворювача, який відрізняється тим, що концентратор виконаний у вигляді зрізаного конуса, основа якого має форму правильного шестигранника, а вершина - форму кола.
Спосіб отримання полікристалічних шарів аiii вv на неорієнтуючій аморфній підкладці
Номер патенту: 19573
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Баганов Євген Олександрович, Чернов Андрій Юрійович, Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01C 17/00
Мітки: спосіб, аiii, шарів, аморфний, полікристалічних, отримання, неорієнтуючій, підкладці
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...
Установка для рідкофазної епітаксії
Номер патенту: 14302
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Курак Владислав Володимирович, Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Андронова Олена Валеріївна
МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...
Мітки: епітаксії, установка, рідкофазної
Формула / Реферат:
Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...
Спосіб одержання епітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 14281
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/208, C30B 19/00, C30B 29/40 ...
Мітки: фазі, епітаксійних, шарів, рідкої, спосіб, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 9615
Опубліковано: 17.10.2005
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Андронова Олена Валеріївна, Курак Владислав Володимирович, Баганов Євген Олександрович
МПК: H01L 021/208, C30B 29/40, C30B 19/00 ...
Мітки: спосіб, гетероепітаксійних, шарів, гомо, рідкої, одержання, фазі
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...
Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 62235
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: H01L 21/208, C30B 29/40, C30B 19/00 ...
Мітки: одержання, гетероепітаксійних, спосіб, шарів, фазі, рідкої
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...