Саріков Андрій Вікторович
Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук
Номер патенту: 38628
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович
МПК: H01L 21/02, C30B 19/00, C30B 29/00 ...
Мітки: сполук, напівпровідникових, шарів, гетероепітаксійного, багатокомпонентних, спосіб, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...
Спосіб отримання полікристалічних шарів аiii вv на неорієнтуючій аморфній підкладці
Номер патенту: 19573
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Баганов Євген Олександрович, Чернов Андрій Юрійович, Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01C 17/00
Мітки: аморфний, полікристалічних, шарів, спосіб, аiii, підкладці, отримання, неорієнтуючій
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...
Спосіб отримання тонких шарів а ііі в v
Номер патенту: 10404
Опубліковано: 15.11.2005
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович, Чернов Андрій Юрійович
МПК: H01C 17/00
Мітки: ііі, шарів, спосіб, отримання, тонких
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...
Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії
Номер патенту: 63399
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Клюй Микола Іванович, Рассамакін Юрій Володимирович, Єфремов Олексій Олександрович, Саріков Андрій Вікторович, Попов Валентин Георгійович, Євтух Анатолій Антонович, Костильов Віталій Петрович, Литовченко Володимир Григорович
МПК: H01L 21/265, H01L 21/322
Мітки: кремнії, рекомбінаційно-активних, полікристалічному, монокристалічному, спосіб, гетерування, домішок
Формула / Реферат:
Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...