Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії
Номер патенту: 65585
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Гешл Павел, Феш Роман Миколайович, Копач Олег Вадимович, Фочук Петро Михайлович
Формула / Реферат
1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою частиною якого накрита ампула росту, а верхня частина якого прикріплена до індуктивно-ємнісного датчика переміщення, з'єднаного з ампулою скляним штоком, розміщеним всередині компенсаційного ковпака.
2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що ампула росту, компенсаційний ковпак та шток виконані з однакового скла.
Текст
1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наваж 3 ньої частини ковпака 5 кріпиться датчик переміщення 6, щоб врахувати і компенсувати термічне розширення скла. Датчик переміщення 6 з'єднаний з ампулою скляним штоком 7 і комп'ютером кабелем 8. Вся конструкція знаходиться в автоклаві 9, що розрахований на роботу у вакуумі або під тиском декілька десятків атмосфер. Автоклав вакуумується і заповнюється інертним газом через штуцер 10. Даний пристрій дозволяє вимірювати безпосередній тиск в ампулі і базується на можливості створити різницю зовнішнього і внутрішнього тисків в ампулі, компенсувати вплив термічного розширення скла і виміряти зміну аксіального розміру ампули з достатньою точністю. Приклад конкретного виконання. Описана методика була використана для контролю тиску пари Кадмію при вирощуванні монокристалів CdTe методом Бріджмена при 1110 °C. Синтезований CdTe і 5-10г Cd поміщали у кварцову ампулу, відкачували, запаювали її і приварюва Комп’ютерна верстка Н. Лисенко 65585 4 ли кварцовий шток. Ампулу ставили на п'єдесталі в печі в область високотемпературного плато під компенсаційним ковпаком з кварцового скла. До верхньої частини ковпака фіксували датчик переміщення, що з'єднувався також з ампулою кварцовим штоком. Вся конструкція знаходилася у автоклаві, який вакуумували і заповнювали інертним газом під контрольованим тиском. Після етапу нагрівання і деякої витримки при цій температурі, визначали тиск Cd в ампулі за описаним алгоритмом. Якщо тиск відповідав необхідному, то починали процес вирощування. В іншому разі, змінюючи температуру зони Cd, встановлювали необхідне значення тиску. Джерела інформації: [1] Mochizuki К, Masumoto Т, Miyazaki Т. Patent JP 59035086 (A)/ 1987. [2] Koyama A., Hirano R. Patent US 6,299,680. 2000. [3] Vada M, Suzuki J., Yamazaki T. Patent JP 62021787 (A). 1987. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюDevice for growth of monocrystals with control deflection from stoichiometry
Автори англійськоюFesh Roman Mykolaiovych, Fochuk Petro Mykhailovych, Heshl Pavel, Kopach Oleh Vadymovych
Назва патенту російськоюУстройство для выращивания монокристаллов с контрольным отклонением от стехиометрии
Автори російськоюФеш Роман Николаевич, Фочук Петр Михайлович, Гешл Павел, Копач Олег Вадимович
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/18, C30B 13/14
Мітки: монокристалів, пристрій, стехіометрії, вирощування, контрольованим, відхиленням
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-65585-pristrijj-dlya-viroshhuvannya-monokristaliv-z-kontrolovanim-vidkhilennyam-vid-stekhiometri.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії</a>
Пристрій для вирощування монокристалів кремнію, екрануючий пристрій для нього і спосіб вирощування монокристалів кремнію за методом чохральського
Номер патенту: 72795
Опубліковано: 15.04.2005
Автори: Повстяний Володимир Григорович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович
МПК: C30B 35/00, C30B 15/02
Мітки: монокристалів, кремнію, нього, екрануючий, спосіб, вирощування, методом, чохральського, пристрій
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...
Пристрій для вирощування монокристалів
Номер патенту: 56549
Опубліковано: 10.01.2011
Автори: Біляков Віктор Миколайович, Нетак Борислав Борисович, Канібор Юрій Олександрович, Черненков Данило Віталійович, Макарова Ірина Олегівна, Макаров Олег Дмитрович
МПК: C30B 15/00
Мітки: монокристалів, вирощування, пристрій
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів, що включає циліндричну камеру росту з коаксіально розташованими нагрівником і подвійним концентричним тиглем із зовнішньою і внутрішньою частинами, механізм обертання тигля, затравкоутримувач, встановлений над тиглем і закріплений на штоку з можливістю обертання та вертикального переміщення, систему підживлення розплаву у вигляді бункера з трубкою, який відрізняється тим, що камера росту оснащена...
Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів)
Номер патенту: 52152
Опубліковано: 10.08.2010
Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич
МПК: C30B 35/00, C30B 23/00
Мітки: пристрій, алманітів, вирощування, монокристалів, карбіду, кремнію
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів), що містить кристалізатор і затравку, причому кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6 мм рт. ст.),...
Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук а4в6, а2в6 методом сублімації
Номер патенту: 87353
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Микитюк Павло Дмитрович, Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 29/46, C30B 23/00
Мітки: вирощування, твердих, розчинів, а2в6, а4в6, пристрій, сублімації, монокристалів, методом, сполук
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контейнера, який відрізняється тим, що контейнер складається з двох з'єднаних вздовж поздовжньої осі симетрії частин, причому торець однієї частини з меншим діаметром має капіляр,...
Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8
Номер патенту: 28492
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Панкевич Володимир Зіновієвич, Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович
МПК: C30B 11/00
Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, aggage3se8
Формула / Реферат:
Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах: температура в зоні розплаву ...
Попередній патент: Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації
Наступний патент: Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі gаas та inp
Випадковий патент: Спосіб визначення мінімальної флегматизувальної концентрації газової вогнегасної речовини